抗蚀剂层的薄膜化装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化装置。
技术领域
[0002] 随着电气及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于以回路形成用的干膜抗蚀剂（dry film resist)、焊料抗蚀剂（solder resist)为首的感光性树脂(感光性材料)，为了对应于印刷配线板（printed wiring board、PWB)的高密度化而要求高分辨率。由这些感光性树脂实现的图像形成通过在将感光性树脂曝光后显影来进行。
[0003] 为了对应于印刷配线板的小型化、高功能化，感光性树脂有薄膜化的倾向。在感光性树脂中有涂敷液体而使用的类型(液状抗蚀剂、liquid resist)和干膜类型(干膜抗蚀剂)。最近，开发了厚度为15 μ m以下的干膜抗蚀剂，其产品化正在推进。但是，在这种薄的干膜抗蚀剂中，与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性及对凹凸的追随性不充分，有发生剥离或空隙（void)等的问题。
[0004] 此外，作为用干膜实现高分辨率化的方法，有在曝光前将感光性树脂上具备的支承膜剥离、不夹着支承膜而曝光的方法。在这种情况下，也有使光学工具（photo tool、光掩模（photo mask))直接密接在感光性树脂上的情况。但是，由于感光性树脂通常具有某种程度的粘附性，所以在使光学工具直接密接在感光性树脂上而进行曝光的情况下，密接的光学工具的除去变得困难。此外，光学工具因感光性树脂而污染、或者感光性树脂因将支承膜剥离而暴露在大气中的氧中，光感度容易下降。
[0005] 为了改善上述的问题，提出了在使用较厚的感光性树脂的同时能够实现高分辨率的各种手段。例如，在通过减去（subtractive)法制作导电图案的方法中，公开了下述导电图案的形成方法，其特征在于，在绝缘层的单面或两面上设置金属层而成的层叠基板上粘贴干膜抗蚀剂而形成抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行回路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序(例如参照专利文献1 )。此外，在形成焊料抗蚀剂图案的方法中，公开了下述焊料抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，在具有导电性图案的回路基板上形成由焊料抗蚀剂构成的抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案曝光工序，再次进行抗蚀剂层的薄膜化工序(例如参照专利文献2及3)。
[0006] 此外，在专利文献4中公开了一种抗蚀剂层的薄膜化装置，至少包括四个处理单元：薄膜化处理单元，将形成有抗蚀剂层的基板浸渍（dip)到高浓度的碱性水溶液(薄膜化处理液）中而将抗蚀剂层的成分的胶束（micelle)先不溶化，使其不易溶解扩散到处理液中；胶束除去处理单元，通过胶束除去液喷雾而将胶束一下子溶解除去；水洗处理单元，将表面用水清洗；干燥处理单元，将水洗水除去。
[0007]使用图4所示的概略剖视图对专利文献4所公开的薄膜化装置的一部分进行说明。在薄膜化处理单元11中，从投入口 7投入形成了抗蚀剂层的基板3。基板3从浸渍槽2的入口辊对他有简记为“入口辊对”的情况）4向浸渍槽2中运送，在浸渍在薄膜化处理液1中的状态下在浸渍槽2内运送，进行抗蚀剂层的薄膜化处理。然后，基板3向胶束除去处理单元12运送。在胶束除去处理单元12中，对于由胶束除去处理单元的运送辊29运送来的基板3,通过胶束除去液供给管20从胶束除去液用喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。将基板3的抗蚀剂层在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2中通过作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1，使抗蚀剂层成分的胶束对于薄膜化处理液1先不溶化。然后，通过用胶束除去液喷雾22将胶束除去，抗蚀剂层被薄膜化。
[0008]在图4所示的抗蚀剂层的薄膜化装置中，基板3以浸渍在浸渍槽2中的薄膜化处理液1中的状态被运送。图5是在抗蚀剂层的薄膜化装置中浸渍槽的入口辊对4或者浸渍槽的出口辊对(有简记为“出口辊对”的情况)5的放大概略剖视图。在基板3通过入口辊对4或者出口辊对5之际，入口辊对4或者出口辊对5的上侧辊被上抬基板3的厚度量，在上侧辊与下侧辊之间形成间隙24。而且，有薄膜化处理液1通过该间隙24向浸渍槽2外流出，浸渍槽2内的薄膜化处理液面下降的情况。由于在基板3的厚度大的情况下间隙24也增大，所以有流出的薄膜化处理液1的量增加的倾向，并有比薄膜化处理液面还下降的倾向。
[0009]对该薄膜化处理液面的下降产生的问题详细地进行说明。在基板3未被投入的状态下，从浸渍槽的入口辊对4和浸渍槽的出口辊对5溢流（overflow)的薄膜化处理液1的量少，能够将浸渍槽2内的薄膜化处理液面维持在高的位置（图6)。浸渍槽2内的薄膜化处理液面的位置只要是入口辊对4、出口辊对5以及浸渍槽内的运送辊对28中的上侧的辊湿润的程度即可，可高可低，但优选在基板3向浸渍槽2中运送的期间维持该位置不变。
[0010]若形成了抗蚀剂层的基板3通过入口辊对4而向装有薄膜化处理液1的浸渍槽2中运送，则入口辊对4的上侧辊被抬起，薄膜化处理液1从形成在上侧辊与下侧辊之间的间隙24向浸渍槽2外流出，薄膜化处理液面下降（图7)。浸渍槽2内的薄膜化处理液面的下降取决于向浸渍槽2外的流出量和向浸渍槽2的循环供给量，在前者多的情况下，薄膜化处理液面在基板3的运送同时逐渐下降（图8)。图7以及图8中的薄膜化处理液面比图6中的薄膜化处理液面低，但由于处于基板3上表面的抗蚀剂层表面之上，所以处于基板3被薄膜化处理液1完全浸渍的状态。但是，处于基板3上表面的抗蚀剂层表面的薄膜化处理液1的液膜逐渐变薄。在抗蚀剂层表面为疏水性的情况下，该液膜与抗蚀剂层表面的亲和性降低，薄膜化处理液1在抗蚀剂层表面流动，有薄膜化处理液1的覆盖量不均匀的情况。若薄膜化处理液1的覆盖量多，则抗蚀剂层的成分的胶束化速度加快，相反，若薄膜化处理液1的覆盖量少，则胶束化速度变慢。因此，若薄膜化处理液1的覆盖量不均匀，则有薄膜化的抗蚀剂层的厚度不均匀的情况。
[0011]进而，在相对于运送方向，从入口辊对4到出口辊对5的长度比基板3的尺寸短的情况下，在入口辊对4和出口辊对5的两方上，上侧辊被抬起，同时薄膜化处理液1从形成在上侧辊与下侧辊之间的间隙24流出，浸渍槽2内的薄膜化处理液面进一步下降（图9)。在图9中，在基板3上表面的抗蚀剂层表面上，薄膜化处理液1在运送的中途消失。也就是说，相对于基板3的运送方向，越接近后端，基板3上表面的抗蚀剂层表面上的薄膜化处理液1的覆盖量越少，有薄膜化的抗蚀剂层的厚度减少的情况。
[0012]这样，若薄膜化的抗蚀剂层的厚度变得不均匀，在薄膜化后的抗蚀剂层中有厚度薄的部分，则在减去法的导电图案形成中成为回路的断线的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中成为耐候性下降的原因，有哪种都带来生产中的成品率的下降的问题。
[0013]专利文献1 :国际公开第2009 / 096438号手册，
[0014]专利文献2 :日本国特开2011-192692号公报，
[0015]专利文献3 :国际公开第2012 / 043201号手册，
[0016]专利文献4 :日本国特开2012-27299号公报。
【实用新型内容】
[〇〇17]本实用新型的课题是提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案形成用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，通过将基板上表面的抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的覆盖量不均匀的问题抑制在最小限度，能够使薄膜化的抗蚀剂层的厚度均匀。
[0018]本实用新型者们发现，通过下述技术方案，能够解决这些课题。
[0019](1)—种蚀剂层的薄膜化装置，具备通过薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元，其特征在于，该薄膜化处理单元具有用于向基板下表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的浸渍槽，设有用于通过辊涂敷（roll coating)向基板上表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的涂敷辑（coating roll)。
[0020](2)如上述（1)所记载的抗蚀剂层的薄膜化装置，设有多个涂敷辊，该涂敷辊彼此的间隔W相对于涂敷辊的半径r为2r<W兰23ir。
[0021]根据本实用新型，能够提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案形成用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，通过将基板上表面的抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的覆盖量不均匀的问题抑制在最小限度，能够使薄膜化的抗蚀剂层的厚度均匀。
【附图说明】
[0022]图1是在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示浸渍槽的辊配置放大概略剖视图；
[0023]图2是在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示浸渍槽的辊配置的放大概略剖视图；
[0024]图3是在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示浸渍槽的辊配置的放大概略剖视图；
[0025]图4是表示现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置的一部分的概略剖视图；
[0026]图5是在抗蚀剂层的薄膜化装置中、浸渍槽的入口辊对或者出口辊对的放大概略剖视图；
[0027]图6是在现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示浸渍槽内的薄膜化处理液面变化的概略剖视图；
[0028]图7是在现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示浸渍槽内的薄膜化处理液面变化的概略剖视图；
[0029]图8是在现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示浸渍槽内的薄膜化处理液面变化的概略剖视图；
[0030]图9是在现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示浸渍槽内的薄膜化处理液面变化的概略剖视图。
[0031] 附图标记说明：
[0032] 1 :薄膜化处理液(浸渍槽)，2 :浸渍槽，3 :基板，4 :浸渍槽的入口辊对，5 :浸渍槽的出口辊对，6 :边界部的运送辊对，7 :投入口，8 :浸渍槽的涂敷辊，9 :浸渍槽的运送辊，10 :胶束除去液，11 :薄膜化处理单元，12 :胶束除去处理单元，13