阵列基板和显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
【背景技术】
[0002]随着科技的发展，单纯具有显示功能的传统显示面板及包括该显示面板的显示装置已经不能满足人们的要求。显示面板生产厂商已经实现在传统的显示面板中集成触控功能，形成触控显示面板。
[0003]现有的触控显示面板有多种实现方式，其中一种是:将传统的阵列基板上的公共电极分为多个条状电极，形成第一触控电极，并在彩膜基板上设置多个第二触控电极，其中的第一触控电极发送触控驱动信号，通过在第二触控电极上进行触控信号检测，利用上述第一触控电极和第二触控电极相结合实现触控功能。
[0004]其中，阵列基板上的上述位于显示区域的第一触控电极需要与非显示区域的驱动芯片电连接，以实现驱动芯片将触控驱动信号发送到各个第一触控电极，现有技术中，通常是使用金属走线将驱动芯片和对应的第一触控电极电连接。另外，在阵列基板的显示区域还会设置多条数据线，该多条数据线也会通过金属走线与非显示区域的驱动芯片电连接，以进行显示信号的传输。
[0005]在阵列基板和对置基板进行对盒工艺时，通常使用封框胶进行封装，并通过紫外线进行紫外固化，然且封框胶一般会与上述金属走线的所在区域重叠，此时，上述金属走线影响透光率，降低对封框胶进行紫外固化时的效率。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的在于提出一种阵列基板和显示面板，能够解决现有技术中金属走线影响透光率，降低对封框胶进行紫外固化时的效率的问题。
[0007]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0008]—方面，本实用新型提供了一种阵列基板，包括:
[0009]显示区域和非显示区域，所述显示区域包括多条第一触控电极，所述非显示区域设置有驱动芯片，
[0010]衬底基板，所述衬底基板包括多条多晶硅走线，
[0011]每条所述第一触控电极与所述驱动芯片通过所述多晶硅走线电连接。
[0012]另一方面，本实用新型实施例还提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板，该阵列基板还包括:
[0013]多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线沿着第一方向延伸，所述多条数据线沿着第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向交叉；
[0014]以及多条第二触控电极，所述多条第二触控电极沿第一方向延伸并且沿着第二方向排列，所述多条第一触控电极沿第二方向延伸并且沿着第一方向排列。
[0015]本实用新型实施例提供的阵列基板和显示面板，该阵列基板上显示区域包括多条第一触控电极，衬底基板上设置多条多晶硅走线，其中每条第一触控电极通过多晶硅走线与驱动芯片电连接，其中的多晶娃走线为透明走线，透光率较金属走线高，相对于现有技术中每条第一触控电极通过金属走线与驱动芯片电连接，能够有效提高对封框胶进行紫外固化时的紫外光透过率，提高固化效率。
【附图说明】
[0016]为了更加清楚地说明本实用新型示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本实用新型所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0017]图1为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
[0018]图2A为本实用新型实施例提供的第一种连接方式的俯视示意图一；
[0019]图2B为沿图2A中A卜A2的截面示意图；
[0020]图2C为本实用新型实施例提供的第一种连接方式的俯视示意图二；
[0021]图3A为本实用新型实施例提供的第二种连接方式的俯视示意图一；
[0022]图3B为沿图3A中B1-B2的截面示意图；
[0023]图3C为本实用新型实施例提供的第二种连接方式的俯视示意图二；
[0024]图4A为本实用新型实施例中多晶硅走线区域与薄膜晶体管区域的截面对照示意图一；
[0025]图4B为本实用新型实施例中多晶硅走线区域与薄膜晶体管区域的截面对照示意图二；
[0026]图5A为本实用新型实施例提供的显示面板的俯视示意图；
[0027]图5B为沿图5A中C1-C2的截面示意图。
【具体实施方式】
[0028]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本实用新型实施例中的附图，通过【具体实施方式】，完整地描述本实用新型的技术方案。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本实用新型的保护范围之内。
[0029]本实用新型实施例提供了一种阵列基板。图1为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图。如图1所示，该阵列基板包括显示区域I和非显示区域2，其中显示区域I包括多条第一触控电极U，非显示区域2设置有驱动芯片21，该阵列基板还包括衬底基板3，以及在衬底基板3上包括多条多晶硅走线31，其中多晶硅走线31可以是与每条第一触控电极11对应设置，即每条第一触控电极11通过多晶硅走线31与驱动芯片21电连接。
[0030]本实用新型实施例提供的阵列基板，其中每条第一触控电极11通过多晶硅走线31与驱动芯片21电连接，其中的多晶娃走线31为透明走线，透光率较金属走线高，相对于现有技术中每条第一触控电极11通过金属走线与驱动芯片21电连接，能够有效提高对封框胶进行紫外固化时的紫外光透过率，提高固化效率。
[0031]具体的，本实用新型上述实施例中提供的多晶硅走线31和第一触控电极11非同层设置，通常将第一触控电极11设置在多晶硅走线31的上方，对于第一触控电极11和多晶硅走线31的连接方式，具体可以包括两种情况，其一是第一触控电极11直接通过过孔与对应的多晶硅走线31电连接，其二是设置金属连接部，其中第一触控电极11先通过过孔与金属连接部电连接，金属连接部再通过过孔与多晶娃走线31电连接。
[0032]针对第一种情况，具体可以参见图2A和图2B，其中图2A为本实用新型实施例提供的第一种连接方式的俯视示意图，图2B为沿图2A中A1-A2的截面示意图。如上述图2A和图2B所示，其中第一触控电极11设置在多晶硅走线31上方，且与多晶硅走线31之间设置有第一绝缘层32，多晶硅走线31的第一端与驱动芯片21电连接，第一触控电极11通过第一绝缘层32中的第一过孔33与多晶硅走线31的第二端电连接。其中在图2A所示实施例中，与每条第一触控电极11对应的第一过孔33的数目为I个，另外，如图2C所示，还可以设置多个第一过孔33，该多个第一过孔33以并联的形式设置在第一触控电极11和多晶硅走线31之间，能够有效提高二者之间的电连接性能。
[0033]针对第二种情况，具体可以参见图3A和图3B，其中图3A为本实用新型实施例提供的第二种连接方式的俯视示意图，图3B为沿图3A中B1-B2的截面示意图。如上述图3A和图3B所示，多晶硅走线31上方设置有第二绝缘层34，第二绝缘层34上方设置有与每条多晶硅走线31对应的第一金属连接部35，第一金属连接部35上方设置有第三绝缘层36，第一触控电极11设置在第三绝缘层36上方，每条第一触控电极11通过第三绝缘层36中的一个第三过孔37与对应的第一金属连接部35连接，多晶硅走线31的第一端与驱动芯片21电连接，以及每个第一金属连接部35通过第二绝缘层中34的一个第二过孔38与多晶硅走线31的第二端电连接。其中在图3A所示实施例中，与每套第一触控电极11对应的第二过孔38和第三过孔37的数目为I个，另外，如图3C所示，还可以设置多个第二过孔38和多个第三过孔37。本实施例中，其中设置第一金属连接部35，分别与第一触控电极11和多晶硅走线31电连接，相对于直接将第一触控电极11和多晶硅走线31电连接，能够有效提高电连接性能。
[0034]进一步的，参照上述图1、图2A和图3A所示的，其中在阵列基板的显示区域I还可以包括多条数据线12，并且参照上述图2A和图3A所示的，在衬底基板上还可以设置多个薄膜晶体管13，该多个薄膜晶体管13也位于阵列基板的显示区域I，且与各个像素电极15—一对应设置，阵列基板的显示区域I内的薄膜晶体管13可以呈矩阵排列。
[0035]本实用新型实施例中，其中多晶硅走线31可以与上述多个薄膜晶体管13的