一种阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：一衬底基板；位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、像素电极层和公共电极层，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布，每个所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；位于所述多个薄膜晶体管之上的彩色滤光层；位于所述彩色滤光层之上的触控走线层，所述触控走线层包括多条触控走线；位于所述触控走线层之上的第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘膜层。本实用新型提供的阵列基板、显示面板及显示装置可以消除由于触控走线的设置而对后续制程造成的不良影响，降低触控走线与其他层结构之间的耦合电容，减少对产品的触控性能的影响，并提升产能，降低成本。
【专利说明】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及触控显示领域，特别涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板及包括该显示面板的显示装置。
【背景技术】
[0002]目前的液晶触控显示面板的主体包括阵列基板和与阵列基板相对设置的对向基板，具体地，阵列基板上一般设置有薄膜晶体管(TFT)、像素电极、公共电极、触控走线等;对向基板上设置有彩色滤色层等。在现有设计中，如图1所示，阵列基板包括衬底基板101;位于衬底基板101上的多个薄膜晶体管、像素电极110和公共电极112，薄膜晶体管包括栅极102、有源层104、源极105a和漏极105b，栅极102上方设置有栅极绝缘层103，源极105a和漏极105b上方设置有第一绝缘层106和第二绝缘层111，像素电极110与漏极105b电连接，在第一绝缘层106和第二绝缘层111之间设置触控走线层108，触控走线层108包括多条触控走线1081。通常复用公共电极作为触控电极，触控走线可以通过过孔与公共电极电连接，而公共电极与薄膜晶体管中栅极、源漏极等金属的寄生电容较大，这会严重影响产品的触控性能；在膜层之间设置触控走线，使得位于触控走线之上的膜层表面不平坦，这样会对后续的摩擦效果产生很大的影响，导致产品漏光等问题;另外，触控走线与触控电极之间存在较大的耦合电容，容易出现信号阴影，从而进一步对触控性能造成影响。
【实用新型内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型提供一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板及包括该显示面板的显示装置。
[0004]第一方面，本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括:一衬底基板;位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、像素电极层和公共电极层，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布，每个所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;位于所述多个薄膜晶体管之上的彩色滤光层；位于所述彩色滤光层之上的触控走线层，所述触控走线层包括多条触控走线;位于所述触控走线层之上的第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘膜层。
[0005]第二方面，本实用新型实施例提供一种显示面板，包括上述第一方面所提供的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板。
[0006]第三方面，本实用新型实施例提供一种显示面板，包括上述第一方面所提供的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板;所述对向基板包括第二黑矩阵，所述触控走线在所述衬底基板所在平面的正投影被所述第二黑矩阵在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖。
[0007]第四方面，本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上述第二方面或第三方面所提供的显示面板。
[0008]与现有技术相比，本实用新型提供的阵列基板、显示面板及显示装置在公共电极层和薄膜晶体管之间设置有彩色滤光层，而彩色滤光层为有机绝缘材料，由于复用彩色滤光层作为有机膜层，在阵列基板的对向基板上不需要再制备彩色滤光层，能够提升产能，降低成本;在触控走线层上方设置第一平坦层，这样可以改善触控走线层中的由触控走线的设置而引起的位于触控走线之上的膜层表面不平坦的问题，从而消除了由于触控走线的设置而对后续制程造成的不良影响，而第一平坦层为有机绝缘膜层，这可以有效降低触控走线与其他层结构之间的耦合电容，减少对触控性能的影响。
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是现有技术提供的阵列基板的剖面示意图；
[0011]图2是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；
[0012]图3是图2示出的阵列基板沿AA’方向的一种剖面示意图；
[0013]图4是图2示出的阵列基板沿AA’方向的另一种剖面示意图；
[0014]图5是图2示出的阵列基板沿AA’方向的又一种剖面示意图；
[0015]图6是图2示出的阵列基板沿AA’方向的又一种剖面示意图；
[0016]图7是图2示出的阵列基板沿AA’方向的又一种剖面示意图；
[0017]图8是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的俯视示意图
[0018]图9是图8示出的阵列基板沿AA’方向的一种剖面示意图；
[0019]图1O是图8示出的阵列基板沿AA’方向的另一种剖面示意图；
[0020]图11是本实用新型实施例提供的一种显示面板的剖面示意图；
[0021]图12是图11示出的显示面板的一种俯视示意图；
[0022]图13是图11不出的显不面板的另一种俯视不意图；
[0023]图14是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0025]本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括:一衬底基板;位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、像素电极层和公共电极层，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布，每个所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;位于所述多个薄膜晶体管之上的彩色滤光层;位于所述彩色滤光层之上的触控走线层，所述触控走线层包括多条触控走线;位于所述触控走线层之上的第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘膜层。
[0026]需要说明的是，本实用新型实施例提供的第一平坦层所起的作用是平坦作用，为有机绝缘膜层，材料采用有机材料。一般的制作方式是将液态的有机材料固化在被平坦的膜层之上，再通过光刻制程形成需要的图案。可以理解的是，第一平坦层虽然同时具有绝缘作用，但平坦层并不相当于现有技术中的绝缘层，第一平坦层采用的材料与绝缘层是有本质区别的，例如绝缘层采用的材料一般是氮化硅和氧化硅等。另外，第一平坦层采用的工艺制程与绝缘层采用的工艺制程也是有本质区别的。绝缘层一般采用化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposit1n)成膜，同时需要结合光刻制程以及刻蚀制程，才能形成最终的图案。
[0027]与现有技术相比，本实用新型实施例提供的阵列基板在公共电极层和薄膜晶体管之间设置有彩色滤光层，而彩色滤光层为有机绝缘材料，由于复用彩色滤光层作为有机膜层，在阵列基板的对向基板上不需要再制备彩色滤光层，能够提升产能，降低成本;在触控走线层上方设置第一平坦层，这样可以改善触控走线层中的由触控走线的设置而引起的位于触控走线之上的膜层表面不平坦的问题，从而消除了由于触控走线的设置而对后续制程造成的不良影响，而第一平坦层为有机绝缘膜层，这可以有效降低触控走线与其他层结构之间的耦合电容，减少对触控性能的影响。
[0028]需要说明的是，本实用新型实施例所描述的“上”、“下”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本实用新型实施例的限制。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一元件上或者下，其也可以通过中间元件间接形成在另一元件上或者下。
[0029]参考图2，图2是本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图。图2示出的阵列基板，包括:在衬底基板201上沿一个方向延伸且互相平行地隔开的多条栅极线2021;与栅极线2021交叉以便用交叉点界定像素区域220的多条数据线2051;和在栅极线2021与数据线2051之间的每个交叉点上设置的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极202、有源层204、源极205a和漏极205b，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布。图2示例性地示出了四个像素区域220。在本实施例中，在部分或全部数据线2051之上相邻两个像素区域220之间可以设置触控走线层208a，触控走线层208a包括多条触控走线2081。在本实用新型其他可选的实施例中，触控走线层208a也可以设置在栅极线2021之上相邻两个像素区域220之间，本实用新型实施例对此不做限定。
[0030]参考图3，图3是图2示出的阵列基板沿AA’方向的一种剖面示意图。结合图2与图3，该阵列基板包括衬底基板201;位于衬底基板201上的多个薄膜晶体管、像素电极层210和公共电极层212，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布，每个所述薄膜晶体管包括栅极202、有源层204、源极205a和漏极205b;位于多个薄膜晶体管之上的彩色滤光层207;位于彩色滤光层207之上的触控走线层208a，触控走线层208a包括多条触控走线2081;位于触控走线层208a之上的第一平坦层209，第一平坦层209为有机绝缘膜层。
[0031]结合图2和图3，该阵列基板中，薄膜晶体管起三端开关作用，一端是栅极202，.对应扫描线2021;—端是源极205a，对应数据线2051;—端是漏极205b对应像素电极。在栅极202控制下，源极205a对应的数据线2051通过薄膜晶体管向漏极205b对应的像素电极实施充放电，以达到显示功能。
[0032]图3示出的阵列基板与现有技术相比，在公共电极层212和薄膜晶体管之间设置有彩色滤光层207，而彩色滤光层207为有机绝缘材料，可以降低公共电极与薄膜晶体管中栅极202、源级205a、漏极205b等金属的寄生电容，如果公共电极层复用作触控电极层，可以减少对产品的触控性能的影响；同时由于复用彩色滤光层207作为有机膜层，在阵列基板的对向基板上不需要再制备彩色滤光层，能够提升产能，降低成本;另外，在触控走线层208上方设置第一平坦层209，这样可以改善触控走线层208a中的由触控走线2081的设置而引起的位于触控走线2081之上的膜层表面不平坦的问题，从而消除了由于触控走线2081的设置而对后续制程造成的不良影响，而第一平坦层209为有机绝缘膜层，这可以有效降低触控走线2081与其他层结构之间的耦合电容，减少对触控性能的影响。
[0033]可选地，图3示出的阵列基板，第一平坦层209的厚度为0.5?1.5μπι。第一平坦层209的厚度在0.5?1.5μπι，既能够有效改善触控走线层208a中的由触控走线2081的设置而引起的位于触控走线2081之上的膜层表面不平坦的问题和降低触控走线2081与其他层结构之间的耦合电容，也由于厚度适宜能够节省产能。
[0034]可选地，图3示出的阵列基板，还包括位于多个薄膜晶体管和彩色滤光层207之间的第一绝缘层206，第一绝缘层206覆盖多个薄膜晶体管。由于有机膜层对薄膜晶体管沟道产生影响，所以在薄膜晶体管上方设置第一绝缘层206，以消除此影响。
[0035]继续参考图3，图3示出的阵列基板，像素电极层210位于彩色滤光层207之下，具体地，像素电极层210可以位于第一绝缘层206之下，像素电极层210包括多个像素电极，像素电极的部分与漏极205b直接层叠电连接;公共电极层212可以位于彩色滤光层207之上或者位于第一平坦层209之上，图2只示例性地示出了公共电极层212位于第一平坦层209之上。本实施例的公共电极位于顶端，即top-com对应的一种阵列基板，像素电极不需打孔与漏极电连接，节省了打孔制程，降低了制备成本。当公共电极层212位于第一平坦层209之上时，如果公共电极层复用作触控电极层，则触控走线层208a和公共电极层212之间的第一平坦层209能够降低触控走线2081与触控电极之间的耦合电容，提高触控灵敏度。
[0036]参考图4，图4是图2示出的阵列基板沿AA’方向的又一种剖面示意图。结合图2与图4，该阵列基板包括衬底基板201;位于衬底基板201上的多个薄膜晶体管、像素电极层210和公共电极层212，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布，每个所述薄膜晶体管包括栅极202、有源层204、源极205a和漏极205b;位于多个薄膜晶体管之上的彩色滤光层207;位于彩色滤光层207之上的触控走线层208a，触控走线层208a包括多条触控走线2081;位于触控走线层208a之上的第一平坦层209，第一平坦层209为有机绝缘膜层;像素电极层210和公共电极层212位于第一平坦层209之上，像素电极层210和公共电极层212相互绝缘;还包括位于像素电极层210和公共电极层212之间的第二绝缘层211，像素电极层210和公共电极层212通过第二绝缘层211相互绝缘;像素电极层210位于第一平坦层209和第二绝缘层210之间；像素电极层210包括相互独立的多个像素电极，每个像素电极通过第一过孔与漏极205b电连接。
[0037]与现有技术相比，图4示出的阵列基板同样能够降低公共电极与薄膜晶体管中栅极、源漏极等金属的寄生电容，提升产能，降低成本，消除由于触控走线的设置而对后续制程造成的不良影响，降低触控走线与其他层结构之间的耦合电容，此处不再赘述。
[0038]本实施例的公共电极位于顶端，是top-com对应的另一种阵列基板，与图3示出的阵列基板不同之处在于，像素电极没有与漏极205b直接层叠电连接，而是通过第一过孔214与漏极205b电连接。并且，像素电极层210和公共电极层212之间只存在一层第二绝缘层211，这可以有效增加像素电极层210和公共电极层212之间的存储电容。
[0039]图5是图2示出的阵列基板沿AA’方向的又一种剖面示意图。如图5所示，与图4示出的阵列基板相同的部分此处不再赘述，不同之处在于，在本实施例中，阵列基板还包括与触控走线层208a同层设置但相互绝缘的金属衬垫208b，金属衬垫208b通过第二过孔215和漏极205b连接；像素电极层210包括多个像素电极，像素电极通过第三过孔216与金属衬垫208b电连接。其中，触控走线层208a和金属衬垫208b可以采用同种材料制备。
[0040]图5示出的阵列基板，金属衬垫208b通过第二过孔215和薄膜晶体管的漏极205b连接，像素电极通过第三过孔216和金属衬垫208b电连接，从而实现了像素电极层210和薄膜晶体管的漏极205b间接进行电连接。这样设置两个过孔，每个过孔的深度较浅，因此工艺制程实现比较简单，还可以同时优化像素电极与薄膜晶体管的漏极205b之间的接触电阻。[0041 ]可选地，第二过孔215和第三过孔216在衬底基板201所在平面的正投影相互错开。第二过孔215和第三过孔216在衬底基板201所在平面的正投影相互错开时，第三过孔216贯穿的深度比较浅，可以简化工艺。
[0042]图6是图2示出的阵列基板沿AA’方向的又一种剖面示意图。结合图2与图6，该阵列基板包括衬底基板201 ；位于衬底基板201上的多个薄膜晶体管、像素电极层210和公共电极层212，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布，每个所述薄膜晶体管包括栅极202、有源层204、源极205a和漏极205b;位于多个薄膜晶体管之上的彩色滤光层207;位于彩色滤光层207之上的触控走线层208a，触控走线层208a包括多条触控走线2081;位于触控走线层208a之上的第一平坦层209，第一平坦层209为有机绝缘膜层;像素电极层210和公共电极层212位于第一平坦层209之上，像素电极层210和公共电极层212相互绝缘;还包括位于像素电极层210和公共电极层212之间的第二绝缘层211，像素电极层210和公共电极层212通过第二绝缘层211相互绝缘;公共电极层212位于第一平坦层209和第二绝缘层211之间；像素电极层210包括相互独立的多个像素电极，每个像素电极通过第一过孔与漏极205b电连接。
[0043]本实施例的公共电极位于中间，像素电极位于顶端，是mid-com对应的一种阵列基板。本实施例的像素电极通过第一过孔214与漏极205b电连接，像素电极层210和公共电极层212之间只存在一层第二绝缘层211，这可以有效增加像素电极层210和公共电极层212之间的存储电容。
[0044]图7是图2示出的阵列基板沿AA’方向的又一种剖面示意图。如图7所示，与图6示出的阵列基板相同的部分此处不再赘述，不同之处在于，阵列基板还包括与触控走线层208a同层设置但相互绝缘的金属衬垫208b，金属衬垫208b通过第二过孔215和漏极205b连接;像素电极层210包括多个像素电极，像素电极通过第三过孔216与金属衬垫208b电连接。
[0045]图7示出的阵列基板，金属衬垫208b通过第二过孔215和薄膜晶体管的漏极205b连接，像素电极通过第三过孔216和金属衬垫208b电连接，从而实现了像素电极层210和薄膜晶体管的漏极205b间接进行电连接。这样设置两个过孔，每个过孔的深度较浅，因此工艺制程实现比较简单，还可以同时优化像素电极与薄膜晶体管的漏极205b之间的接触电阻。
[0046]参考图8，图8是本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的俯视示意图。如图8所示，与图2示出的阵列基板相同的部分此处不再赘述，不同之处在于，在本实施例中，阵列基板还包括位于触控走线(图8未示出)和彩色滤光层(图8未示出)之间的第一黑矩阵213，触控走线在衬底基板201所在平面的正投影被第一黑矩阵213在衬底基板201所在平面的正投影覆盖;其中，第一黑矩阵213为绝缘材料。需要说明的是，如图8所示，制备第一黑矩阵213时，第一黑矩阵213可以同时遮挡数据线、栅极线以及薄膜晶体管部分，因此，图8只示例性地标注了衬底基板201和第一黑矩阵213，其他膜层结构未标注。为了便于本领域技术人员的理解，下面将结合该阵列基板沿AA’方向的剖面示意图进行说明。
[0047]参考图9，图9是图8示出的阵列基板沿AA’方向的一种剖面示意图。如图9所示，与图3示出的阵列基板的剖视图相同的部分此处不再赘述，不同之处在于，图9示出的阵列基板，还包括位于触控走线2081和彩色滤光层207之间的第一黑矩阵213，触控走线2081在衬底基板201所在平面的正投影被第一黑矩阵213在衬底基板201所在平面的正投影覆盖;其中，第一黑矩阵213为绝缘材料。
[0048]将第一黑矩阵213设置在阵列基板侧，与现有技术将黑矩阵设置在对向基板侧相比，不需要考虑两基板对盒时的对位问题，因此，可以将第一黑矩阵213的尺寸做得相对较小，从而提高开口率。第一黑矩阵213为绝缘材料，以防第一黑矩阵213与触控走线2081导通。
[0049]可以理解的是，与图9示出的阵列基板相似，对于图4-图7示出的阵列基板，也可以在触控走线和彩色滤光层之间的第一黑矩阵，通过将第一黑矩阵设置在阵列基板侧，不需要考虑两基板对盒时的对位问题，从而提高开口率。以图4为例，图10是本实用新型实施例提供的又一种阵列基板的剖面示意图。如图10所示，与图4示出的阵列基板相同的部分此处不再赘述，不同之处在于，在本实施例中，阵列基板还包括位于触控走线2081和彩色滤光层207之间的第一黑矩阵213，触控走线2081在衬底基板201所在平面的正投影被第一黑矩阵213在衬底基板201所在平面的正投影覆盖;其中，第一黑矩阵213为绝缘材料。
[0050]本实用新型实施例提供一种显示面板。图11是本实用新型实施例提供的一种显示面板的剖面示意图。图11示出的显示面板包括阵列基板200，具体地，该阵列基板200可以是上述图2-图10任意一个实施例所提供的阵列基板;还包括与阵列基板200相对设置的对向基板300;阵列基板200和对向基板300之间可以设置液晶层400。
[005? ]图12是图11示出的显示面板的一种俯视示意图(示例性地示出部分膜层)。如图12所示，该显示面板的公共电极层212可以包括相互独立的呈阵列排布的多个块状公共电极2121，每个块状公共电极2121连接一条或多条触控走线2081(图12中示例性地示出一条)；块状公共电极2121在触控阶段复用作触控电极。其中，每个块状公共电极2121与对应的触控走线2081可以通过过孔217实现电连接。在触控阶段，多个触控电极(即块状公共电极2121)可以通过自电容进行触控检测。
[0052]图13是图11示出的显示面板的另一种俯视示意图(示例性地示出部分膜层)。如图13所示，该显示面板的公共电极层212可以包括相互独立的多个条状公共电极2121，多个条状公共电极2121沿第一方向001延伸，沿第二方向002依次并列排布，第一方向001和第二方向002交叉，每个条状公共电极2121连接一条或多条触控走线2081;条状公共电极2121在触控阶段复用作第一触控电极。其中，每个条状公共电极2121与对应的触控走线2081可以通过过孔217实现电连接，也可以通过直接层叠实现电连接。该显示面板还包括多个条状第二触控电极302，第二触控电极302依次并列排布，第二触控电极302的延伸方向与第一方向001相交。可选地，第二触控电极302可以设置在对向基板上。在触控阶段，第一触控电极和第二触控电极可以通过互电容进行触控检测。具体地，可以将第一触控电极2121作为触控驱动电极，接收触控驱动电路提供的触控驱动信号;可以将第二触控电极302作为触控检测电极，提供触控检测信号。
[0053]图12是本实用新型实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图。图12示出的显示面板包括阵列基板200，具体地，该阵列基板200可以是上述图2、图2-图7任意一个实施例所提供的阵列基板(图12只示例性地示出了阵列基板200包括的衬底基板201和触控走线层208a，其他结构并未示出)；还包括与阵列基板200相对设置的对向基板300;阵列基板200和对向基板300之间可以设置液晶层400。其中，对向基板300包括第二黑矩阵301，触控走线2081在衬底基板201所在平面的正投影被第二黑矩阵301在衬底基板201所在平面的正投影覆盖。
[0054]可以理解的是，图12示出的显示面板，没有在阵列基板200上设置黑矩阵，而在对向基板300上设置第二黑矩阵301，起到遮光作用，由于阵列基板200上膜层结构较多，因此可以将黑矩阵设置在对向基板300上，简化工艺制程。
[0055]可以理解的是，图12示出的显示面板也可以如图10或图11所示的技术方案进行结合，在此不做赘述。
[0056]需要说明的是，以上实施例提供的显示面板，其中所述显示面板的液晶驱动方式可以为面内转换(IPS，In Plane Switching)方式；也可以为边缘场开关(FFS，FringeFiled Switching)方式。
[0057]本实用新型实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以包括以上任意一个实施例所述的显示面板。本实用新型实施例提供的显示装置具有本实用新型实施例提供的阵列基板和显示面板的有益效果，可以参考上述实施例提供的阵列基板和显示面板，在此不做赘述。该显示装置可以是手机、台式电脑、笔记本、平板电脑、电子纸等任意具有显示功能的设备。
[0058]以上对本实用新型实施例所提供的阵列基板、显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括: 一衬底基板； 位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、像素电极层和公共电极层，所述多个薄膜晶体管呈阵列排布，每个所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极； 位于所述多个薄膜晶体管之上的彩色滤光层； 位于所述彩色滤光层之上的触控走线层，所述触控走线层包括多条触控走线； 位于所述触控走线层之上的第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘膜层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述多个薄膜晶体管和所述彩色滤光层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述多个薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层位于所述彩色滤光层之下，所述像素电极层包括多个像素电极，所述像素电极的部分与所述漏极直接层叠电连接； 所述公共电极层位于所述彩色滤光层之上或者位于所述第一平坦层之上。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层和所述公共电极层位于所述第一平坦层之上，所述像素电极层和所述公共电极层相互绝缘。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述像素电极层和所述公共电极层之间的第二绝缘层，所述像素电极层和所述公共电极层通过所述第二绝缘层相互绝缘； 所述像素电极层位于所述第一平坦层和所述第二绝缘层之间； 或者所述公共电极层位于所述第一平坦层和所述第二绝缘层之间。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层包括相互独立的多个像素电极，每个所述像素电极通过第一过孔与所述漏极电连接。7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括与所述触控走线层同层设置但相互绝缘的金属衬垫，所述金属衬垫通过第二过孔和所述漏极连接； 所述像素电极层包括多个像素电极，所述像素电极通过第三过孔与所述金属衬垫电连接。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔和第三过孔在所述衬底基板所在平面的正投影相互错开。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一平坦层的厚度为0.5?1.5μmD10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述触控走线和所述彩色滤光层之间的第一黑矩阵，所述触控走线在所述衬底基板所在平面的正投影被所述第一黑矩阵在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖； 所述第一黑矩阵为绝缘材料。11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板。12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极层包括相互独立的呈阵列排布的多个块状公共电极，每个所述块状公共电极连接一条或多条所述触控走线； 所述块状公共电极在触控阶段复用作触控电极。13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极层包括相互独立的多个条状公共电极，所述多个条状公共电极沿第一方向延伸，沿第二方向依次并列排布，所述第一方向和所述第二方向交叉，每个所述条状公共电极连接一条或多条所述触控走线； 所述条状公共电极在触控阶段复用作第一触控电极； 所述显示面板还包括多个条状第二触控电极，所述第二触控电极依次并列排布，所述第二触控电极的延伸方向与所述第一方向相交。14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板； 所述对向基板包括第二黑矩阵，所述触控走线在所述衬底基板所在平面的正投影被所述第二黑矩阵在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖。15.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求11-14任一项所述的显示面板。
【文档编号】G02F1/1335GK205427390SQ201620223327
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年3月22日
【发明人】谢亮, 李谷骏, 姚绮君
【申请人】天马微电子股份有限公司, 上海天马微电子有限公司