阵列基板、显示面板和显示装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上形成有多条交叉排布的公共电极线和栅线；形成有公共电极线和栅线的衬底基板上设置有多个导电结构，多个导电结构中的第一导电结构的一端与公共电极线上任一断开点的一端连接，第一导电结构的另一端用于与彩膜基板上的公共电极线连接。本实用新型通过在公共电极线与栅线的交叉位置设置断开点，且使断开点的一端能够与彩膜基板上的公共电极线连接，解决了相关技术中公共电极线和数据线之间的电容较大的问题。达到了阵列基板上的公共电极线能够通过与彩膜基板上公共电极线的连接来提高阵列基板上各处公共电极线的电压的均一性效果。
【专利说明】
阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]显示面板通常包括对盒成形的阵列基板、彩膜基板以及分布在阵列基板与彩膜基板之间的液晶，阵列基板与彩膜基板之间还分布有用于支撑阵列基板和彩膜基板的多个隔垫物(英文:Photo Spacer;简称:PS)，液晶位于PS支撑起来的空间内。阵列基板的结构复杂，是显示面板的重要组成部分。阵列基板上通常包括衬底基板和多个数据线、栅线和公共电极线，为了避免光线照射对数据线产生影响，衬底基板上设置有黑矩阵(英文= BlackMatrix;简称:BM)来为数据线挡光。公共电极线与栅线形成于同一层，且公共电极线与栅线在衬底基板上交叉排布。在公共电极线与栅线的交叉位置，公共电极线通过过孔在上层进行连接，以增加阵列基板上公共电极线的电压的均一性。
[0003]相关技术中有一种阵列基板，为了提高开口率(阵列基板上有效的透光区域与全部面积的比例)，该阵列基板上的数据线与公共电极线在衬底基板上的正投影重叠，这样就可以由公共电极线来为数据线进行挡光，减少了 BM的面积，提高了阵列基板的开口率。
[0004]在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:由于数据线与公共电极线存在大量的重叠区域，导致公共电极线和数据线之间的电容大幅度增大，这会对公共电极线的电压产生较大影响，而公共电极线的电压受影响后会降低阵列基板的性能。
【实用新型内容】
[0005]为了解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置。所述技术方案如下:
[0006]根据本实用新型的第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括:
[0007]衬底基板；
[0008]所述衬底基板上形成有多条交叉排布的公共电极线和栅线，所述公共电极线与所述栅线的交叉位置存在断开点；
[0009]形成有所述公共电极线和栅线的衬底基板上设置有多个导电结构，所述多个导电结构中的第一导电结构的一端与所述公共电极线上任一断开点的一端连接，所述第一导电结构的另一端用于与彩膜基板上的公共电极线连接。
[0010]可选地，所述多个导电结构中的第二导电结构的一端与所述任一断开点的另一端连接，所述第二导电结构的另一端用于与所述彩膜基板上的公共电极线连接。
[0011]可选地，形成有所述公共电极线和栅线的衬底基板上形成有多个隔垫物PS，所述多个导电结构中的每个导电结构设置在一个所述PS上。
[0012]可选地，所述多个导电结构中的任一导电结构为导电PS。
[0013]可选地，所述形成有所述公共电极线和栅线的衬底基板上设置有数据线，所述数据线与所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影重叠。
[0014]根据本实用新型的第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板和第一方面所述的阵列基板，所述阵列基板上设置有多个导电结构，所述多个导电结构中的第一导电结构的一端与所述阵列基板上的公共电极线上任一断开点的一端连接，所述第一导电结构的另一端与所述彩膜基板上的公共电极线连接。
[0015]可选地，所述多个导电结构中的第二导电结构的一端与所述任一断开点的另一端连接，所述第二导电结构的另一端与所述彩膜基板上的公共电极线连接。
[0016]可选地，所述彩膜基板上的公共电极线为一个整体的公共电极线。
[0017]可选地，所述显示面板为扭曲向列TN型显示面板。
[0018]根据本实用新型的第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面中任一所述的显示面板。
[0019]本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0020]通过在公共电极线与栅线的交叉位置设置断开点，且使断开点的一端能够与彩膜基板上的公共电极线连接，解决了相关技术中数据线与公共电极线存在大量的重叠区域，导致公共电极线和数据线之间的电容大幅度增大，降低阵列基板的性能的问题。达到了阵列基板上的公共电极线能够通过与彩膜基板上公共电极线的连接来提高阵列基板上各处公共电极线的电压的均一性效果，提高了阵列基板的性能。
【附图说明】
[0021]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本实用新型实施例示出的一种阵列基板的结构示意图；
[0023]图2-1是本实用新型实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图；
[0024]图2-2是本实用新型实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图；
[0025]图2-3是本实用新型实施例示出的另一种阵列基板的结构示意图；
[0026]图2-4是图2-3所不阵列基板的#1』面不意图；
[0027]图2_5是电平漂移和失真；S减的不意图；
[0028]图3是本实用新型实施例提供的显示装置的结构示意图。
[0029]上述各个附图中，附图标记的含义可以为:10_阵列基板，11-衬底基板，12-公共电极线，13-栅线，14-导电结构，141-第一导电结构，a-断开点的一端，b断开点的另一端，142-第二导电结构，15-?3，16-数据线，17-绝缘层，ml和m2-剖面位置，20-彩膜基板，21-彩膜基板的公共电极线。
[0030]通过上述附图，已示出本实用新型明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本实用新型构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本实用新型的概念。
【具体实施方式】
[0031]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
[0032]图1是本实用新型实施例示出的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板10可以包括:
[0033]衬底基板11。
[0034]衬底基板11上形成有多条交叉排布的公共电极线12和栅线13，公共电极线12与栅线13的交叉位置存在断开点(图1中未标出)。
[0035]形成有公共电极线12和栅线13的衬底基板11上设置有多个导电结构14，多个导电结构14中的第一导电结构141的一端与公共电极线12上任一断开点的一端a连接，第一导电结构141的另一端用于与彩膜基板上的公共电极线(图1中未示出)连接。
[0036]综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板，通过在公共电极线与栅线的交叉位置设置断开点，且使断开点的一端能够与彩膜基板上的公共电极线连接，解决了相关技术中数据线与公共电极线存在大量的重叠区域，导致公共电极线和数据线之间的电容大幅度增大，降低阵列基板的性能的问题。达到了阵列基板上的公共电极线能够通过与彩膜基板上公共电极线的连接来提高阵列基板上各处公共电极线的电压的均一性效果，提高了阵列基板的性能。
[0037]进一步的，请参考图2-1，其示出了本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板10在图1所示的阵列基板的基础上增加了更优选的部件，从而使得本实用新型实施例提供的阵列基板具有更好的性能。
[0038]可选地，多个导电结构14中的第二导电结构142的一端与任一断开点(图2中未标出)的另一端b连接，第二导电结构142的另一端用于与彩膜基板上的公共电极线(图2中未示出)连接。即在衬底基板11上，公共电极线的每个断开点的两端均连接有导电结构，这样可以进一步的提高阵列基板上各处公共电极线的电压的均一性。公共电极线12和栅线13可以为垂直交叉排布。
[0039]此外，本实用新型实施例提供的阵列基板上还可以包括由栅线等结构构成的薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT)，该TFT用于驱动显示面板上的各个像素，以实现显示面板高速度高亮度高对比度显示信息。
[0040]可选地，多个导电结构14中的任一导电结构为导电隔垫物(英文:photo spacer；简称:PS)。导电PS可以由导电的材料制成，示例性的，导电PS的材料可以包括可导电的光阻(英文:ph0t0 resist)材料。直接将导电结构设置成导电PS，使得导电结构既起到了稳定阵列基板上公共电极线的电压的作用，还起到了传统PS的支撑液晶层的作用，同时还方便了导电结构的设置。
[0041]如图2-2所示，形成有公共电极线12和栅线13的衬底基板11上形成有多个隔垫物15，多个导电结构14中的每个导电结构设置在一个PS15上。图2-2是导电结构的另一种设置方式，即可以将导电结构设置在PS上，例如，导电结构可以是设置在PS上的线路或导电涂层等。图2-2中其他标记的含义可以参考图2-1，在此不再赘述。
[0042]如图2-3所示，形成有公共电极线12和栅线13的衬底基板上设置有数据线16，数据线16与公共电极线12在衬底基板上的正投影重叠。使数据线16与公共电极线12在衬底基板上的正投影重叠时，公共电极线可以为数据线阻挡光线，可以减少阵列基板上黑矩阵的面积，提高开口率。示例性的，本实用新型实施例提供的阵列基板可以应用于高开口率的高级超维场转换(英文:H-ADvanced Super Dimens1n Switch，简称:H-ADS)的显不面板。
[0043]如图2-4所示，其为图2-3中沿ml-m2处的剖面图，其中17为绝缘层，数据线16形成于公共电极线12的上方。图2-4中其他标记的含义可以参考图2-3在此不再赘述。
[0044]需要说明的是，为了提高开口率而使数据线与公共电极线在衬底基板上的正投影重叠时，数据线与公共电极线间耦合严重，这使得数据线与公共电极线间的耦合电容C较大，C较大会导致公共电极线发生电平漂移(英文:Level Shift)，这导致公共电极线的电压严重失真，使得显示画面泛绿(英文Greenish)。其中，与画面泛绿有关的因素主要包括公共电极线的电平漂移和失真衰减(英文distort1n Decay)，影响电平漂移的因素可以表示为:CXVXr，C为公共电极线和数据线的耦合电容，V为数据线的电压的变化量，r为显示面板的分辨率。影响失真衰减的因素可以表示为RXC，R为公共电极线的电阻，C为公共电极线和数据线的耦合电容。如图2-5所示，其为电平漂移和失真衰减的示意图，其中，横轴代表时间T，纵轴代表公共电极线的电压Vcom，在时刻tl，Vcom发生了电平漂移，由正常电压Vl跳转上升到了 v2，之后开始失真衰减，直至时刻t2才恢复到正常的电压vl，在时刻tl和时刻t2之间，显示面板的显示画面会发生泛绿的现象。
[0045]本实用新型实施例提供的阵列基板一方面通过在公共电极线与栅线的交叉位置设置断开点，断开公共电极线，减少了公共电极线与栅线的重叠区域，继而降低了栅线与公共电极线间的电容，从而减小了栅线上的负载，这样可以使每个像素容易完成充电，更容易覆盖掉(英文= Cover)工艺波动导致的负载变化引起的充电不足的问题。另一方面通过使断开点与导电结构连接，使得阵列基板上的公共电极线能够直接与彩膜基板上的公共电极线连接，提高了阵列基板上各处公共电极线的电压的均一性(即各处公共电极线的电压相差较小)，即使公共电极线与数据线有较大的重叠区域，阵列基板上的各处公共电极线的电压的均一性也较高，可以在很大程度上改善显示画面泛绿的问题，提高了显示面板的性能。
[0046]综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板，通过在公共电极线与栅线的交叉位置设置断开点，且使断开点的一端能够与彩膜基板上的公共电极线连接，解决了相关技术中数据线与公共电极线存在大量的重叠区域，导致公共电极线和数据线之间的电容大幅度增大，降低阵列基板的性能的问题。达到了阵列基板上的公共电极线能够通过与彩膜基板上公共电极线的连接来提高阵列基板上各处公共电极线的电压的均一性效果，提高了阵列基板的性能。
[0047]图3是本实用新型实施例提供的一种显示面板的结构示意图，该显示面板可以包括彩膜基板20和图1、图2-1、图2-2或图2-4所示的阵列基板10，阵列基板10上设置有多个导电结构，多个导电结构中的第一导电结构141的一端与阵列基板10上的公共电极线12上任一断开点的一端a连接，第一导电结构141的另一端与彩膜基板20上的公共电极线21连接。
[0048]可选的，多个导电结构中的第二导电结构142的一端与任一断开点的另一端b连接，第二导电结构142的另一端与彩膜基板20上的公共电极线21连接。
[0049]可选地，彩膜基板20上的公共电极线21为一个整体的公共电极线。即彩膜基板20上各处的公共电极线21均相互连接呈一个成体，电压的均一性较高，阵列基板10上的公共电极线12与彩膜基板20上的公共电极线21连接后，能够显著的提高阵列基板10上的公共电极线12的电压的均一性。
[0050]可选地，该显示面板为扭曲向列(英文:Twist Nematic;简称:TN)型显示面板。
[0051]综上所述，本实用新型实施例提供的显示面板，通过在公共电极线与栅线的交叉位置设置断开点，且使断开点的一端与彩膜基板上的公共电极线连接，解决了相关技术中数据线与公共电极线存在大量的重叠区域，导致公共电极线和数据线之间的电容大幅度增大，降低阵列基板的性能的问题。达到了阵列基板上的公共电极线能够通过与彩膜基板上公共电极线的连接来提高阵列基板上各处公共电极线的电压的均一性效果，提高了显示面板的性能。
[0052]本实用新型实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括图3所示的显示面板。
[0053]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括: 衬底基板； 所述衬底基板上形成有多条交叉排布的公共电极线和栅线，所述公共电极线与所述栅线的交叉位置存在断开点； 形成有所述公共电极线和栅线的衬底基板上设置有多个导电结构，所述多个导电结构中的第一导电结构的一端与所述公共电极线上任一断开点的一端连接，所述第一导电结构的另一端用于与彩膜基板上的公共电极线连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个导电结构中的第二导电结构的一端与所述任一断开点的另一端连接，所述第二导电结构的另一端用于与所述彩膜基板上的公共电极线连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 形成有所述公共电极线和栅线的衬底基板上形成有多个隔垫物PS，所述多个导电结构中的每个导电结构设置在一个所述PS上。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个导电结构中的任一导电结构为导电PS。5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述形成有所述公共电极线和栅线的衬底基板上设置有数据线，所述数据线与所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影重叠。6.—种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板和权利要求1至5任一所述的阵列基板，所述阵列基板上设置有多个导电结构，所述多个导电结构中的第一导电结构的一端与所述阵列基板上的公共电极线上任一断开点的一端连接，所述第一导电结构的另一端与所述彩膜基板上的公共电极线连接。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多个导电结构中的第二导电结构的一端与所述任一断开点的另一端连接，所述第二导电结构的另一端与所述彩膜基板上的公共电极线连接。8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板上的公共电极线为一个整体的公共电极线。9.根据权利要求6至8任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为扭曲向列TN型显示面板。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求6至9任一所述的显示面板。
【文档编号】G02F1/1362GK205507319SQ201620308340
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月13日
【发明人】王骁, 吴俊
【申请人】北京京东方显示技术有限公司, 京东方科技集团股份有限公司