一种基板、显示装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基板、显示装置，用以在改善大视角发红时，节约材料的使用。基板，包括衬底基板、叠层设置在所述衬底基板上的氧化硅膜层和氮化硅膜层，其中，所述氧化硅膜层和所述氮化硅膜层的界面为凸凹不平的界面。
【专利说明】
一种基板、显示装置
技术领域
[0001] 本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板、显示装置。
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管液晶显不面板（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display， TFT-LCD)是目前常用的平板显示器，液晶显示面板以其体积小、功耗低、无辐射、分辨率高 等优点，被广泛地应用于现代数字信息化设备中。
[0003] 如图1所示，目前的TFT IXD阵列基板工艺中，阵列基板包括衬底基板10、叠层设置 在衬底基板10上的氧化硅(SiOx)膜层11和氮化硅(SiNx)膜层12,背光源13中的红光照到氧 化娃膜层11表面，一部分被反射，另一部分被折射，折射光经过氧化娃膜层11和氮化娃膜层 12接触面时，又有一部分被反射，反射光线经过氧化硅膜层11表面时，发生又一次的折射， 最终反射光线14和折射光线15干涉相消，由于总的能量是守恒的，相消的两束光就会以透 射光的形式透过膜层，增加了红光的透过率，宏观表现为发生大视角发红的问题。
[0004] 现有技术在改善大视角发红时采用的方法主要有:改变氧化硅膜层和氮化硅膜层 的厚度比、改变R、G、B彩膜层的厚度进而改变R、G、B彩膜层的色坐标、更换背光源等。
[0005] 虽然以上方法能够改善大视角发红，但在改善大视角发红时存在材料浪费的问 题。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型实施例提供了一种基板、显示装置，用以在改善大视角发红时，节约材 料的使用。
[0007] 本实用新型实施例提供的一种基板，包括衬底基板、叠层设置在所述衬底基板上 的氧化硅膜层和氮化硅膜层，其中，所述氧化硅膜层和所述氮化硅膜层的界面为凸凹不平 的界面。
[0008] 由本实用新型实施例提供的基板，由于本实用新型实施例氧化硅膜层和氮化硅膜 层的界面为凸凹不平的界面，照射到氧化硅膜层和氮化硅膜层接触面的光线会发生漫反 射，与现有技术相比，最后射出的折射光线的传播方向各异，进而使得反射光线和折射光线 的干涉相消减弱，减少红光的透光率，能够在节约材料的使用的情况下起到改善大视角发 红的问题。
[0009] 较佳地，所述氧化硅膜层位于靠近所述衬底基板的一侧，所述氮化硅膜层位于远 离所述衬底基板的一侧；
[0010]所述氧化硅膜层在与所述氮化硅膜层接触的接触面上具有若干朝向所述衬底基 板一侧凹陷的凹槽;或，
[0011]所述氧化硅膜层在与所述氮化硅膜层接触的接触面上具有若干背向所述衬底基 板一侧凸起的凸起部。
[0012]较佳地，所述氧化硅膜层位于远离所述衬底基板的一侧，所述氮化硅膜层位于靠 近所述衬底基板的一侧；
[0013] 所述氮化硅膜层在与所述氧化硅膜层接触的接触面上具有若干朝向所述衬底基 板一侧凹陷的凹槽;或，
[0014] 所述氮化硅膜层在与所述氧化硅膜层接触的接触面上具有若干背向所述衬底基 板一侧凸起的凸起部。
[0015] 较佳地，所述凹槽的截面形状为梯形、三角形或弧形。
[0016] 较佳地，所述梯形为等腰梯形，所述三角形为等腰三角形。
[0017] 较佳地，所述凸起部的截面形状为梯形、三角形或弧形。
[0018] 较佳地，所述梯形为等腰梯形，所述三角形为等腰三角形。
[0019] 较佳地，所述衬底基板为玻璃基板或柔性基板。
[0020] 较佳地，所述基板为阵列基板，包括若干阵列设置的栅极线、数据线和像素单元。
[0021] 本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的基板。
【附图说明】
[0022] 图1为现有技术提供的基板的截面结构示意图；
[0023] 图2为本实用新型实施例一提供的一种基板的截面结构示意图；
[0024] 图3(a)-图3(e)为本实用新型实施例一提供的一种基板的制作过程的不同阶段的 截面结构示意图；
[0025] 图4为本实用新型实施例二提供的一种基板的截面结构示意图；
[0026] 图5为本实用新型实施例三提供的一种基板的截面结构示意图；
[0027] 图6为本实用新型实施例四提供的一种基板的截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]本实用新型实施例提供了一种基板、显示装置，用以在改善大视角发红时，节约材 料的使用。
[0029] 为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用 新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动 前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0030] 本实用新型具体实施例提供了一种基板，包括衬底基板、叠层设置在衬底基板上 的氧化硅膜层和氮化硅膜层，氧化硅膜层和氮化硅膜层的界面为凸凹不平的界面。
[0031] 下面结合附图详细介绍本实用新型具体实施例提供的基板。
[0032] 附图中各膜层厚度和区域大小、形状不反应各膜层的真实比例，目的只是示意说 明本【实用新型内容】。
[0033] 实施例一：
[0034]如图2所示，本实用新型具体实施例提供了一种基板，包括衬底基板10、叠层设置 在衬底基板10上的氧化硅膜层11和氮化硅膜层12,氧化硅膜层11位于靠近衬底基板10的一 侦I氮化硅膜层12位于远离衬底基板10的一侧，氧化硅膜层11在与氮化硅膜层12接触的接 触面上具有若干朝向衬底基板10-侧凹陷的凹槽。
[0035] 具体地，本实用新型具体实施例一中凹槽的截面形状为梯形、三角形或弧形，优选 地，本实用新型具体实施例中的梯形为等腰梯形，三角形为等腰三角形。当然，在实际设计 时，凹槽的截面形状还可以为其它类型的规则形状，如矩形，也可以为不规则形状，如不规 则的多边形。
[0036] 如图2所示，本实用新型具体实施例中凹槽的截面形状以弧形为例进行介绍，背光 源13中的红光照到氧化硅膜层11表面，一部分被反射，另一部分被折射，折射光经过氧化硅 膜层11和氮化硅膜层12接触面时，又有一部分被反射，反射光线经过氧化硅膜层11表面时， 发生又一次的折射。
[0037] 由于本实用新型具体实施例中氧化硅膜层11和氮化硅膜层12接触面不平整，因此 照射到氧化硅膜层11和氮化硅膜层12接触面的光线会发生漫反射，使得最后经过氧化硅膜 层11表面射出的折射光线15的传播方向各异，与现有技术相比，反射光线14和折射光线15 的干涉相消减弱，这时减少了红光的透光率，能够起到改善大视角发红的问题。
[0038] 如图2所示，本实用新型具体实施例具体设计时，相邻两个弧形凹槽之间的距离e 为0.5μπι，弧形凹槽的深度d为0.15μπι，弧形凹槽的宽度c为0.35μπι，在实际生产过程中，相邻 两个弧形凹槽之间的距离、弧形凹槽的深度以及弧形凹槽的宽度根据实际生产工艺确定， 本实用新型具体实施例并不对e、d和c的具体数值做限定。
[0039] 下面结合附图详细介绍本实用新型具体实施例的氧化硅膜层在与氮化硅膜层接 触的接触面上形成朝向衬底基板一侧凹陷的凹槽的具体方法。
[0040] 如图3(a)所示，在衬底基板10上沉积氧化硅膜层11，本实用新型具体实施例中的 衬底基板10为玻璃基板或柔性基板，当然，在实际生产过程中，衬底基板10还可以为陶瓷基 板等其它类型的基板，本实用新型具体实施例不对衬底基板的具体类型做限定。
[0041] 本实用新型在衬底基板10上沉积氧化硅膜层11时采用等离子体增强化学气相沉 积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)的方法，沉积的氧化娃膜层 11 的厚度为3000埃（A )。当然，实际生产过程中，还可以采用其它薄膜沉积的方法沉积氧化硅 膜层11，这里不做具体限定;沉积得到的氧化硅膜层11的厚度可以根据实际生产情况设定， 这里也不做具体限定。
[0042] 之后，在氧化硅膜层11上涂覆光刻胶30,采用掩膜板31进行曝光，图中向下的箭头 表示曝光时光线的照射方向，本实用新型具体实施例中曝光的具体过程与现有技术类似， 这里不再赘述。
[0043]之后，对完成上述步骤的衬底基板进行显影，显影后部分光刻胶被去除，如图3(b) 所示。
[0044] 之后，对完成上述步骤的衬底基板进行刻蚀，如图3(c)所示，本实用新型具体实施 例中的刻蚀方法具体采用干法刻蚀，干法刻蚀过程中，未被光刻胶覆盖区域的氧化硅膜层 被刻蚀形成凹槽，本用新型具体实施例凹槽的截面形状以弧形为例。
[0045] 之后，去除覆盖在氧化硅膜层11上的剩余光刻胶，如图3(d)所示。最后，在氧化硅 膜层11上沉积氮化硅膜层12,如图3(e)所示，具体实施时，本实用新型具体实施例采用 PECVD的方法沉积氮化硅膜层12,沉积的氮化硅膜层12的厚度为2000 A。当然，实际生产过 程中，还可以采用其它方法沉积氮化硅膜层12,这里不做具体限定;沉积得到的氮化硅膜层 12的厚度可以根据实际生产情况设定，这里也不做具体限定。
[0046] 实施例二：
[0047] 如图4所示，本实用新型具体实施例提供了一种基板，包括衬底基板10、叠层设置 在衬底基板10上的氧化硅膜层11和氮化硅膜层12,氧化硅膜层11位于靠近衬底基板10的一 侦I氮化硅膜层12位于远离衬底基板10的一侧，氧化硅膜层11在与氮化硅膜层12接触的接 触面上具有若干背向衬底基板10-侧凸起的凸起部。
[0048]具体地，本实用新型具体实施例二中凸起部的截面形状为梯形、三角形或弧形，优 选地，本实用新型具体实施例中的梯形为等腰梯形，三角形为等腰三角形。当然，在实际设 计时，凸起部的截面形状还可以为其它形状，在此本实用新型具体实施例不做具体限定。
[0049] 如图4所示，本实用新型具体实施例中凸起部的截面形状以弧形为例进行介绍，背 光源13中的红光照到氧化硅膜层11表面，一部分被反射，另一部分被折射，折射光经过氧化 硅膜层11和氮化硅膜层12接触面时，又有一部分被反射，反射光线经过氧化硅膜层11表面 时，发生又一次的折射。
[0050] 由于本实用新型具体实施例中氧化硅膜层11和氮化硅膜层12接触面不平整，因此 照射到氧化硅膜层11和氮化硅膜层12接触面的光线会发生漫反射，使得最后经过氧化硅膜 层11表面射出的折射光线15的传播方向各异，与现有技术相比，反射光线14和折射光线15 的干涉相消减弱，这时减少了红光的透光率，能够起到改善大视角发红的问题。
[0051 ] 实施例三：
[0052]如图5所示，本实用新型具体实施例提供了一种基板，包括衬底基板10、叠层设置 在衬底基板10上的氧化硅膜层11和氮化硅膜层12,氧化硅膜层11位于远离衬底基板10的一 侦I氮化硅膜层12位于靠近衬底基板10的一侧，氮化硅膜层12在与氧化硅膜层11接触的接 触面上具有若干朝向衬底基板10-侧凹陷的凹槽。
[0053]具体地，本实用新型具体实施例三中凹槽的截面形状为梯形、三角形或弧形，优选 地，梯形为等腰梯形，三角形为等腰三角形。当然，在实际设计时，凹槽的截面形状还可以为 其它形状，在此本实用新型具体实施例不做具体限定。
[0054]图5中光线的具体传播路径与本实用新型具体实施例一中的光线的传播路径类 似，这里不再详细阐述。本实用新型具体实施例三照射到氧化硅膜层11和氮化硅膜层12接 触面的光线会发生漫反射，使得最后经过氮化硅膜层12表面射出的折射光线15的传播方向 各异，与现有技术相比，反射光线14和折射光线15的干涉相消减弱，这时减少了红光的透光 率，能够起到改善大视角发红的问题。
[0055] 实施例四：
[0056] 如图6所示，本实用新型具体实施例提供了一种基板，包括衬底基板10、叠层设置 在衬底基板10上的氧化硅膜层11和氮化硅膜层12,氧化硅膜层11位于远离衬底基板10的一 侦I氮化硅膜层12位于靠近衬底基板10的一侧，氮化硅膜层12在与氧化硅膜层11接触的接 触面上具有若干背向衬底基板10-侧凸起的凸起部。
[0057] 具体地，本实用新型具体实施例四中凸起部的截面形状为梯形、三角形或弧形，优 选地，梯形为等腰梯形，三角形为等腰三角形。当然，在实际设计时，凸起部的截面形状还可 以为其它形状，在此本实用新型具体实施例不做具体限定。
[0058] 图6中光线的具体传播路径与本实用新型具体实施例二中的光线的传播路径类 似，这里不再详细阐述。本实用新型具体实施例四照射到氧化硅膜层11和氮化硅膜层12接 触面的光线会发生漫反射，使得最后经过氮化硅膜层12表面射出的折射光线15的传播方向 各异，与现有技术相比，反射光线14和折射光线15的干涉相消减弱，这时减少了红光的透光 率，能够起到改善大视角发红的问题。
[0059] 优选地，本实用新型具体实施例中的基板为阵列基板，阵列基板包括若干阵列设 置的栅极线、数据线和像素单元，本实用新型具体实施例中的氧化硅膜层和氮化硅膜层设 置在阵列基板的相邻两层导电层之间，起到绝缘的作用，阵列基板的具体设置与现有技术 类似，这里不再赘述。
[0060] 本实用新型具体实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的基板，该 显不装置可以为液晶面板、液晶显不器、液晶电视、有机发光^极管（Organic Light Emitting Diode，0LED)面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。
[0061] 综上所述，本实用新型具体实施例提供一种基板，包括衬底基板、叠层设置在衬底 基板上的氧化硅膜层和氮化硅膜层，其中，氧化硅膜层和氮化硅膜层的界面为凸凹不平的 界面。由于本实用新型具体实施例氧化硅膜层和氮化硅膜层的界面为凸凹不平的界面，照 射到氧化硅膜层和氮化硅膜层接触面的光线会发生漫反射，与现有技术相比，最后射出的 折射光线的传播方向各异，进而使得反射光线和折射光线的干涉相消减弱，减少了红光的 透光率，能够在节约材料的使用的情况下起到改善大视角发红的问题。
[0062] 显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用 新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及 其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种基板，包括衬底基板、叠层设置在所述衬底基板上的氧化硅膜层和氮化硅膜层， 其特征在于，所述氧化硅膜层和所述氮化硅膜层的界面为凸凹不平的界面。2. 根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述氧化硅膜层位于靠近所述衬底基板的 一侧，所述氮化硅膜层位于远离所述衬底基板的一侧； 所述氧化硅膜层在与所述氮化硅膜层接触的接触面上具有若干朝向所述衬底基板一 侧凹陷的凹槽;或， 所述氧化硅膜层在与所述氮化硅膜层接触的接触面上具有若干背向所述衬底基板一 侧凸起的凸起部。3. 根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述氧化硅膜层位于远离所述衬底基板的 一侧，所述氮化硅膜层位于靠近所述衬底基板的一侧； 所述氮化硅膜层在与所述氧化硅膜层接触的接触面上具有若干朝向所述衬底基板一 侧凹陷的凹槽;或， 所述氮化硅膜层在与所述氧化硅膜层接触的接触面上具有若干背向所述衬底基板一 侧凸起的凸起部。4. 根据权利要求2或3所述的基板，其特征在于，所述凹槽的截面形状为梯形、三角形或 弧形。5. 根据权利要求4所述的基板，其特征在于，所述梯形为等腰梯形，所述三角形为等腰 三角形。6. 根据权利要求2或3所述的基板，其特征在于，所述凸起部的截面形状为梯形、三角形 或弧形。7. 根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述梯形为等腰梯形，所述三角形为等腰 三角形。8. 根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述衬底基板为玻璃基板或柔性基板。9. 根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板为阵列基板，包括若干阵列设置 的栅极线、数据线和像素单元。10. -种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一权利要求所述的基板。
【文档编号】G02F1/1362GK205539824SQ201620262859
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】黎文秀, 孟维欣, 陈强, 夏高飞, 任伟
【申请人】鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司, 京东方科技集团股份有限公司