本发明涉及在如电子照相方法、静电记录方法和调色剂喷射方法的图像形成方法中使用的调色剂。近年来，打印机和复印机需要更高的图像质量、更高的速度和更长的寿命，并且还需要开发具有优异的显影性能、转印性和耐久性的调色剂。为了响应这些需求，作为改善调色剂耐久性的一种手段，已经提出将聚甲基倍半硅氧烷细颗...

本发明涉及用于例如电子照相法等图像形成方法的调色剂。要求电子照相图像形成设备小型化和长寿命化，并且需要在调色剂的各种性能方面的进一步改善以满足这些要求。从小型化的观点，已经作出努力以使用各种单元来节省空间。特别地，作出各种努力来改善转印性，这是因为，如果改善了调色剂转印性，则可以使从感光鼓...

本发明涉及用于图像形成方法如电子照相法的调色剂。在电子照相法中，首先通过各种方式使潜像承载构件带电，然后将其曝光以在潜像承载构件的表面上形成静电潜像。然后，用调色剂使静电潜像显影以形成调色剂图像，然后将其转印到转印材料如纸上。然后，通过施加热、压力或热和压力将转印材料上的调色剂图像定影，以...

本发明涉及用于在例如电子照相和静电打印等图像形成方法中使静电图像显影的调色剂。近年来，对复印机和打印机的要求变得更加多元化，并且在各种各样的环境中要求更高的速度、更长的操作寿命和更高的图像品质等。采用通过将二氧化硅颗粒从外部添加至调色剂颗粒来改善调色剂的耐久性、带电性和流动性的方法。作为一...

本发明涉及用于例如电子照相法等图像形成方法的调色剂。要求电子照相图像形成设备具有较长的寿命和小型化，并且为了应对这些，还要求调色剂在各种性能方面的进一步改善。特别地，对于调色剂，从延长寿命的观点，要求较高水平的品质稳定性和由此导致的在长期耐久性方面的改善，同时，从小型化的观点，必须尽可能减...

本发明涉及用于例如电子照相法、静电记录法和磁记录法的调色剂。近年来，要求激光束打印机(lbp)具有比以往更高的图像品质和更长的寿命。具体地，lbp必须能够从一个盒打印更多张纸并且必须能够在长期使用期间维持高的图像品质。因此，所使用的调色剂必须在使用寿命期间显示高的流动性和高的带电性能。作为...

本发明涉及光刻机领域，特别涉及一种兼顾调焦调平和精密对准的测量系统及其测量方法，以及以该测量系统及其测量方法为基础的光刻机。在半导体芯片的生产过程中，为了达到期望的精度指标，需要精确建立光刻机各个坐标系间的关系，使掩模、物镜、承片台等能够建立统一的位置关系。通常这些设备会配置一套或多套垂向...

本发明涉及清洗液，尤其涉及一种用于led、oled等半导体制造领域的光刻胶清洗液。在led、oled等半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，...

本发明涉及清洗液，尤其涉及一种用于led、oled等半导体制造领域的光刻胶清洗液。在led、oled等半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，...

本发明涉及半导体微纳结构制造，特别涉及一种微纳结构固化方法。现代集成电路工艺不断向着更小特征尺寸和更大晶圆尺寸方向发展，例如特征尺寸进入10纳米以及晶圆直径大于12寸，这对微电子器件制作工艺提出了更大的挑战。因为在微电子器件的制造过程中，随着特征尺寸的进一步减小和结构复杂程度的进一...

本发明涉及光刻，特别是关于一种无掩模光刻系统及一种像面焦点实时检测方法。基于数字微镜阵列(digitalmicro-mirrordevice，dmd)空间光调制器的数字无掩模光刻技术大幅简化了传统光刻掩膜制作工艺的繁琐流程，使得新型数字光刻掩膜的制作变得简单易控，显著提升了光刻图形...

本发明涉及照明光学系统、使用照明光学系统的曝光装置以及产品的制造方法。通过照明光学系统对原版进行照明并将该原版的图案经由投影光学系统投影到基板的曝光装置为了使吞吐量提高而推进光源的高输出化。然而，如果使光源高输出化，则可能会促进用于曝光装置的光学元件的玻璃材料性能的降低。在专利文献1中，提...

本公开涉及一种光刻装置，尤其涉及基于衬底调平数据对光刻装置的控制。本公开进一步涉及一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法使用光刻装置。光刻装置将掩模版(reticle)图案投影到半导体衬底的多个曝光场中，其中，所述掩模版图案被成像到设置在所述半导体衬底上的辐射敏感材料层中。在曝光期间，辐...

本发明实施例涉及光刻设备，尤其涉及一种掩模板冷却装置及光刻设备。光刻机在曝光阶段，通常需要采用激光照射掩模板。掩模板包括金属铬层，金属铬层吸收激光后容易导致整个掩模板的温度随之升高，使掩模板发生形变，进而影响到了光刻的精度以及产品的良率。因此，掩模板的温度控制对于光刻精度来讲十分重...

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种预对准系统、预对准方法以及包含所述预对准系统的光刻设备。光刻(photolithography)工艺是半导体器件制造过程中的重要步骤，其一般包括旋涂光刻胶、曝光、显影等工序。通常，在基底(例如是硅片、玻璃基板等)上旋涂光刻胶后，利用曝光和显影工艺将光掩模上...

本发明属于半导体设备制造领域，涉及一种光刻机框架及光刻机。当今世界是一个信息化、智能化的世界，科学技术的日新月异使得各类新型智能化产品层出不穷，使得人们的生活更加便捷。与此同时，人们对显示器的各项性能要求也越来越高，显示屏技术向着超薄、低功耗等方向飞速发展。而性能更佳的显示屏的生产制造离不...

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种波像差测量装置及其方法。波像差，由于实际光学系统存在像差，球面波经光学系统后所形成的波面已不是球面，这种实际波面与理想波面的之间的光程差即为波像差，对于一般的光学系统，几何像差可简单直观地评价光学系统质量，但对于高像质要求的光学系统，必须进一步研究光波...

本发明涉及光刻，特别涉及一种浸没光刻设备的液体控制系统及方法。现代光刻设备以光学光刻为基础，它利用光学系统将掩膜版上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的衬底(例如：硅片)上。浸没光刻是指在曝光镜头与硅片之间充满水或更高折射的液体，以取代传统干式光刻技术中对应的空气。由于水的折射率比空...

相关申请的交叉引用本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求2018年12月28日于日本提交的第2018-247071号专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。本发明涉及感光树脂组合物、层叠体和图案形成方法。在现有技术中，用于半导体芯片的感光保护膜和用于多层印...

本发明涉及一种能够形成在敏感性、分辨率和膜保留率方面优异的固化膜的正型光敏树脂组合物，以及一种由其制备的待用于液晶显示器、有机el显示器等中的固化膜。一般来说，需要较少加工步骤的正型光敏树脂组合物广泛用于液晶显示装置、有机el显示装置等中。然而，使用常规正型光敏树脂组合物的平坦化膜或显示元...