本实用新型涉及吸音棉领域，具体涉及一种空腔共振-梯度吸音棉。
背景技术：
梯度吸音棉属层压阶梯密度多孔吸声材料，吸声机理是材料内部有大量微小的连通的孔隙，声波沿着这些孔隙可以深入材料内部，与材料发生摩擦将声能转化为热能。但是现有的梯度吸音棉密度通常为递增或递减设置，虽然可以达到较好的吸声效果，但是其非对称结构造成有可能会有声音穿透而影响吸音效果。
材料外部空间与内部腔体通过窄的瓶颈连接，声波入射时，在共振频率上，颈部的空气和内部空间之间产生剧烈的共振作用损耗了声能。亥姆霍兹共振吸收的特点是只有在共振频率上具有较大的吸声系数，共振吸音结构一般吸声频带比较窄，在共振频率附近，吸音系数很高，可以接近于l，但是如果一旦偏离共振峰，吸音系数就会迅速下降，因此它只适用吸收中、低频的单频声音材料，为了得到宽频降噪材料，多数做成夹层结构以提高其吸声性能。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种空腔共振-梯度吸音棉。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：
一种空腔共振-梯度吸音棉，包括从上到下顺次设置的空腔共振吸音层、梯度吸音层和磁性层，各层之间通过胶黏剂或热熔膜粘接，所述空腔共振吸音层为平板结构，且上表面开有多个共振腔，所述共振腔包括内部空腔和连接颈部，所述内部空腔通过连接颈部与外界连通，所述平板上还开有多个通孔，所述梯度吸音层包括上下设置的第一梯度吸音层和第二梯度吸音层，所述第一梯度吸音层和第二梯度吸音层均由多层不同密度的吸音层组成，第一梯度吸音层的吸音层密度为从上到下密度递增设置，第二梯度吸音层的吸音层密度为从上到下密度递减设置。
进一步的，所述磁性层是以塑料或橡胶为粘接剂，与磁粉混合粘结加工而成的磁性体。
进一步的，所述第一梯度吸音层和第二梯度吸音层由相同的多层吸音层组成，仅吸音层的排列顺序不同。
本实用新型的有益效果为：共振吸音结构一般吸声频带比较窄，在共振频率附近，吸音系数很高，一般用于低频吸音，梯度吸音层由从上到下密度递增的第一梯度吸音层和由从上到下密度递减的第二梯度吸音层组成，可以全面防止各种频率的声音穿透吸音层，其与空腔共振吸音层组成的复合结构可以达到更好的吸音效果；本实用新型的空腔共振吸音层上还设置有通孔，声音可以通过通孔穿过空腔共振吸音层进入梯度吸音层，使声音能够被梯度吸音层吸收，增强吸音效果。磁性层的设置可以使吸音棉便于安装，可以直接将吸音棉吸附在铁质金属上，或者在安装位置设置有对应的吸附部位，在将磁性层安装在吸附部位上。
附图说明
图1为本实用新型的剖面结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、空腔共振吸音层；2、梯度吸音层；3、磁性层；4、通孔；5、共振腔；21、第一梯度吸音层；22、第二梯度吸音层
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示，一种空腔共振-梯度吸音棉，包括从上到下顺次设置的空腔共振吸音层1、梯度吸音层2和磁性层3，各层之间通过胶黏剂或热熔膜粘接，所述空腔共振吸音层1为平板结构，且上表面开有多个共振腔5，所述共振腔5包括内部空腔和连接颈部，所述内部空腔通过连接颈部与外界连通，所述平板上还开有多个通孔4，所述梯度吸音层2包括上下设置的第一梯度吸音层21和第二梯度吸音层22，所述第一梯度吸音层21和第二梯度吸音层22均由多层不同密度的吸音层组成，第一梯度吸音层21的吸音层密度为从上到下密度递增设置，第二梯度吸音层22的吸音层密度为从上到下密度递减设置。
所述磁性层3是以塑料或橡胶为粘接剂，与磁粉混合粘结加工而成的磁性体。
第一梯度吸音层21和第二梯度吸音层22可以是对称梯度密度或者非对称梯度密度，本实施例中，第一梯度吸音层21和第二梯度吸音层22是对称梯度密度，即所述第一梯度吸音层21和第二梯度吸音层22由相同的多层吸音层组成，仅吸音层的排列顺序不同。
空腔共振吸声被称为亥姆霍兹共振吸声，吸声原理类似于暖水瓶的声共振，材料外部空间与内部腔体通过窄的瓶颈连接，声波入射时，在共振频率上，颈部的空气和内部空间之间产生剧烈的共振作用损耗了声能。亥姆霍兹共振吸收的特点是只有在共振频率上具有较大的吸声系数，其吸声频带比较窄，在共振频率附近的吸音系数很高，一般用于低频吸音，梯度吸音层由从上到下密度递增的第一梯度吸音层和由从上到下密度递减的第二梯度吸音层组成，可以全面防止各种频率的声音穿透吸音层，其与空腔共振吸音层组成的复合结构可以达到更好的吸音效果；本实用新型的空腔共振吸音层上还设置有通孔，声音可以通过通孔穿过空腔共振吸音层进入梯度吸音层，使声音能够被梯度吸音层吸收，增强吸音效果。磁性层的设置可以使吸音棉便于安装，可以直接将吸音棉吸附在铁质金属上，或者在安装位置设置有对应的吸附金属，在将磁性层安装在吸附金属上。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。