带电束收集和粒子吸引器的制作方法

专利名称：带电束收集和粒子吸引器的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及一种用于将离子注入至工件中的离子注入系统、装 置以及方法，并且尤其涉及一种用于一般性地防止与离子束有关的粒子 污染的离子注入系统、装置以及方法。
背景技术：
在半导体设备的制造中，使用离子注入系统来以杂质掺杂半导体晶 片或其它工件。在这种系统中，离子源使期望的掺杂元素离子化，该掺 杂元素以离子束形式由离子源提取。典型地对离子束进行质量分析以选 择期望荷质比的离子，然后将所述离子导向半导体晶片的表面，以便以 该掺杂元素来注入晶片。诸如在晶片中的晶体管器件的制造中，该射束 离子穿透晶片表面，以形成期望的导电区域。典型的离子注入机包括 用于产生离子束的离子源；射束线组件，该射束线组件包括用于使用磁 场来质量解析离子束的质量分析装置；以及靶室，该靶室包含将被离子 束注入的半导体晶片或工件。典型地，使由离子束所产生的离子形成射束，且将射束沿着预定的 射束路径导引至注入台。此离子束注入机可进一步包括形成和成形在 离子源与注入台之间延伸的射束结构。此射束形成与成形结构尝试维持 此离子束，并限制延长的内部腔或通道，通过该内部腔或通道将此射束 传送至注入台。当操作此离子注入机时，典型地将此通路抽成真空，以 降低由于与空气分子的碰撞而使得离子从预定的射束路径偏移的可能 性。离子的质量相对于其上电荷的比(即，荷质比)会影响离子通过静 电或磁场而在轴向与横向上加速的程度。因此，可以使到达半导体晶片 或其它目标的期望区域的离子束非常纯，这是因为不期望的分子量的离 子会偏移至远离射束的位置，且可以避免期望材料以外的离子注入。选 择性地分开期望与不期望荷质比的离子的过程称为质量分析。质量分析 器典型地使用质量分析磁铁，质量分析磁铁在弧形通道中产生双极性磁 场以经由磁性偏移使离子束中的各种离子偏移，磁性偏移将会把不同荷 质比的离子有效地分开。将离子束典型地聚焦且导引至工件期望的表面区域。通常，将离子 束的高能离子加速至预定的能量级，以穿透至工件的主体。例如，使这 种离子嵌入至材料的晶格中以形成期望导电区域，离子束的能量通常决定了注入深度。这种离子注入系统的实例包括从Massachusetts州Beverly 市的Axcelis Technologies得到的离子注入系统。然而，此典型离子注入机或其它离子束设备(例如，线性加速器) 的操作，可能导致各种来源的污染粒子的产生，例如，这种污染粒子尺 寸可能小于约lpm，但对于所注入工件仍然会造成有害影响。例如，这 种污染粒子可能夹带于离子束中，且与射束一起传输至工件，因此导致 工件不期望的污染。在典型离子注入系统中，例如，此污染粒子的来源为经由质量分析 器通道有关的材料。例如，质量分析器的通道典型地以石墨覆盖或涂覆， 其中，非想要的离子通常会撞击通道的石墨衬里，且通常夹带于石墨涂 层中。然而，随着时间流逝，当离子继续撞击石墨涂层时，此石墨涂层 的粒子会从通道脱离，然后夹带于离子束中。然后，在离子注入期间， 这种在离子束中的污染粒子会与工件或其它衬底碰撞且附着至该工件或 其它衬底上，然后，在处理的工件上需要亚微米图案定义的半导体与其 它工件的制造中，成为收率损失的来源。由于要以更大精确度及缩小的尺寸制造半导体器件，因此用于制造 这种半导体器件的设备需要更高准确度及效率。因此，令人期望的是，在此工件上游各个位置降低离子束中污染粒子的程度，以减轻工件的污染。发明内容本发明通过提供一种用于控制与工件上游各个位置的离子束有关的 污染的装置、系统及方法，而克服已知技术的限制。因此，以下提供本 发明的概要，以提供本发明一些观点的基本了解.此概要并非本发明的 广泛总论。用意既非在于辨识本发明关键或重要组件，亦非描述本发明 的范围。此概要目的在于，以简化形式介绍本发明的一些观念，作为在 稍后更详细说明的序言。根据本发明的示例性观点，提出一种射束收集组件，以降低在离子注入系统中的离子束的污染。其中，此离子收集组件包括粒子收集器、 粒子吸引器、以及屏蔽。可操作此粒子吸引器的电位，以通常吸引由离 子注入系统所形成的废离子束并且使其减慢下来，其中与废离子束有关 的污染粒子通常受限于粒子收集器中。例如，此粒子吸引器的电位通常 是与离子束电位相反，其中废离子束通常被吸引至粒子收集器中的粒子 吸引器。在一个实例中，可操作此屏蔽以将与粒子吸引器有关的电位和粒子 收集器以外的离子束屏蔽开，例如在离子注入系统的质量分析器的内部 区域中。此屏蔽进一步是多孔的，其中此屏蔽通常允许大部分废离子束 进入粒子收集器，同时将粒子吸引器的电位与离子注入系统的其余部分 屏蔽开。例如，此屏蔽可以电接地，或与质量分析器的壁在相同电位， 其中除非此离子束经过该屏蔽，否则质量分析器中的离子束并不受到粒 子吸引器电位的影响。然而， 一旦废离子束进入粒子吸引器(经由多孔 屏蔽)，与废离子束有关的粒子污染通常通过粒子吸引器与废离子束之间 的电位差异、而限制于粒子收集器中。根据本发明，此粒子收集器可以包括通常为凹的壳体，其中内部 区域通常使用例如石墨的含碳材料作为村里。例如，可操作此粒子收集 器的村里，以实质上限制与废离子束有关的较重或固体粒子。根据另一 个实例，设置有泵，其中此泵与粒子收集器的收集区域为流体连通的， 其中可以将此收集区域中的气体和/或悬浮粒子抽出或排出射束收集组 件，因此进一步減少了粒子污染。根据本发明的另一典型观点，射束收集组件进一步包括绝缘体，该 绝缘体将下列装置通常彼此电隔离粒子收集器、粒子吸引器、屏蔽中的一个或多个；以及离子注入系统的一个或多个组件，例如离子注入系 统的壁。为达成上述有关目的，本发明包括以下充分说明和在权利要求书中 特別指出的特性。以下说明与附图详细说明本发明的一些实施例。然而， 这种实施例显示可以使用本发明原理的一些各种方式。本发明的其它目 的、优点与新颖特性将由本发明以下详细说明并参考附图而更为明显.


图1为根据本发明的观点的典型离子注入系统的平面图；图2为示例性的离子注入系统的平面图，包括根据本发明另一观点的离子束收集组件；图3为根据本发明另一观点的示例性的离子束收集组件的部分立体图；以及图4为根据本发明另一示例性的观点的一种用于控制离子注入系统 中污染的方法的方块图。
具体实施方式
本发明通常针对于用于减轻受到离子束处理工件的粒子污染的系 统、装置及方法。因此，现在参考

本发明，其中使用相同参考 图号以代表相同组件。应当理解的是，这些观点的描述仅为举例性质， 不应以任何限制意义进行解释。在以下说明中，为了解释目的，说明各 种特定细节，以便提供对本发明的彻底了解。然而，对于本领域技术人 员来讲明显的是，可以无需这种特定细节来实施本发明。现在请参考附图，图1为说明示例性的离子注入系统100的简化立 体图。应注意到在此说明图l的离子注入系统100，以提供对本发明的高 层理解，因此无需依比例绘制。因此，为了清楚起见可能绘出或不绘出 各个组件。图1为俯视图，说明质量分析器106 (也称为"磁铁")的主磁 场104内的真空室102，其中进一步显示了磁场的中央108。离子束110 从离子源112经由质量分析器的入口 114而进入质量分析器106;并且此 磁铁至少部分根据构成离子束的元素的分子量，开始将离子束分开。可 操作质量分析器106从离子束110提取所选择元素(例如硼)的所选择的射线或射束115，其中将所选择射束的离子符合期望地注入于设置在 终点台117中的工件116 (例如，半导体衬底)中。具有比所选择元素的 分子量轻的较轻元素(例如，氢)倾向转至第一区域118;而分子量比所 选择元素的分子量重的较重元素倾向于转至第二区域119。撞击第一区域 118的最轻的元素当撞击到室的壁120时，会造成真空室102的损害；而 撞击第二区域119中的室的壁120的较重元素可能至少部分由于其较大 质量，而会造成更大损害。非所选择分子量的元素(即，不在所选择的射束115中的不期望的 元素)的射束称为废射束122，因为这种射束是由并不期望的注入于设置 在终点台117中的工件116中的材料所构成.室102的壁120用石墨128 作为衬里，其中当废射束122撞击这种壁时，包含于废射束中的元素变 成夹带于石墨中。然而，根据废射束122撞击壁120的石墨128的角度 以及废射束的化学和/或物理性质，废射束的元素可能无法将其自身埋入 于壁中，且更可能将一些石墨从壁中溅射出来。在许多情形中，离子束 110可包括高度反应性材料或元素，例如氟，其中，该高度反应性材料更 可能将材料从壁120中移除。废射束122因此会造成污染粒子(例如， 高度化学反应性粒子)的云130悬浮在真空室102中。随着时间经过， 会累积污染物的云130，因此会造成壁120与其它内部组件上形成且变厚 的有害材料的薄片132。最后，此薄片132会从壁120和其它内部组件上 剥落，且夹带于所选择的离子束115中，因而导致工件116的污染。此外， 污染物的云130可能在真空室102中扩散。污染物的云130还可能与系 统100中的离子束碰撞，且成为"带电，，云、或悬浮带电粒子。这种带电 粒子然后可以由射束"推动，，以到达工件116，因而导致工件上进一步的 粒子污染。本发明考虑到离子源112通常需要将离子束110调整，以便提供所 选择的离子束115,其中，通常在当离子源工作(例如，将电力与气体供 应至离子源，在此离子源中形成离子束IIO)时实施调整。例如，在质量 分析器106的入口 114，离子束110未经区别或未经分析，其中，该离子 束的所有成份都存在。在进入质量分析器106之前，离子束110可包括 含有硼(B)、氟(F)、 二氟化硼(BF2)、以及其它成份的气体或材料， 且在离子源112的调整中，将这种气体和材料的混合物和电位经由控制器134根据需要进行设定或调整，以致于在将离子注入于工件116中之 前，所产生的期望的离子束115实质上稳定且具有期望的品质。在离子 源112的调整期间，例如当在一天开始时冷激活离子注入系统100时， 所产生的离子束110通常具有"行为不良"的倾向，其中可能会发生火花、 颤动、以及各种其它有害反应。此种在调整期间离子束110的行为不良 可能会有害地加强在真空室102中污染粒子云130的产生。这种污染粒 子可能通过质量分析器106且被捕获于设定标志法拉第136中，设定标 志法拉第136设置在质量分析器的出口 138，以选择性地阻挡所选择的离 子束115。然而，当该设定法拉第136被设置定位以允许离子束115通过 至工件116时，则在注入期间这种污染粒子最终可能到达工件，因此会 负面地影响所产生的注入后工件的产品良率与性能。本发明针对于使得离开质量分析器106的污染量最小化，因此将工 件116的污染最小化。根据本发明的一个方面，在图2中说明示例性的 离子注入系统200,其中，该离子注入系统说明本发明的多个创造性观点。 应当理解的是，所说明的各种特性可以为各种形状与尺寸、或将它们均 除外，并且所有这种形状、尺寸、以及除外情况均应设想为落入本发明 的范围中。类似于图1的离子注入系统IOO，图2的离子注入系统200包 括设置于质量分析器204中的真空室202,其中可操作离子束206以从离 子源208经由质量分析器的入口 210进入质量分析器。可操作此质量分 析器204而从离子束206提取所选择的离子束212，且将所选择的离子束 引导至终点台214，其中工件216通常存在于终点台214中。离子束206 中并非是与所选择的离子束212相同种类元素的元素通常会形成比所选 择的离子束更大或更小程度的弧形，因此将沿着各种废射束路径218。根据本发明，所选择的离子束212的不期望的粒子污染，例如以上 参考图1所讨论的，可以通过将污染限制于图2的质量分析器204中而 加以改善，如同现在讨论的。根据本发明，在一个实例中的离子注入系 统200包括射束收集组件220，射束收集组件220可操作地以将与废射束 路径218有关的不期望的污染粒子222通常限制在射束收集组件中。应 注意的是，可以将多个收集组件220设置在离子注入系统200内的各个 预定位置，以便有效减少所选择离子束212的粒子污染。例如，通常可 以定位多个射束收集组件220，以致于不期望的废射束路径218通常与一个或多个射束收集组件相交。因此，以上说明的图1的污染粒子与薄片132的有害云130可以经由射束收集组件220，由图2的离子注入系统200 有利地限制和/或从离子注入系统200清除，如同以下将讨论的。根据本发明的示例性观点，各射束收集组件220包括粒子收集器224 (也称为"材料收集")、粒子吸引器226、以及屏蔽228，其中，可操作 该射束收集组件以静电方式吸引和限制污染粒子222于射束收集组件中。 在一个实例中，粒子收集器224通常沿着质量分析器204的壁230设置， 其中通常导向一个或多个不期望的废离子束路径218(例如，具有比所选 择离子束212的离子质量更大的离子)。例如，粒子收集器224包括通常 为凹的壳体232，而在壳体232中通常界定收集区域234。例如，壳体232 是由诸如金属或石墨的导电壳体材料所构成，其中壳体材料是根据离子 束206的化学性质而选择的(例如，化学性适合的金属，其通常不会与 用于形成离子束206的离子源气体236反应)。例如，绝缘体238进一步 设置于壳体232与质量分析器204的壁230之间，其中，绝缘体238通常 将壳体与壁电绝缘。例如，绝缘体238可以进一步将离子注入系统200 的一个或多个粒子收集器224、粒子吸引器226、屏蔽228、以及壁230 彼此电绝缘。例如，壳体232进一步包括衬里240，其通常覆盖壳体的内 部表面242，其中，该衬里通常是由离子吸收材料诸如碳(例如，石墨) 所构成。以替代方式，衬里240可以由各种其它材料诸如碳化硅所构成。粒子吸引器226通常设置于粒子收集器224的收集区域234中，其 中，可操作粒子吸引器而以静电方式吸引与各废射束路径218有关的污 染粒子222。例如，粒子吸引器226包括抑制电极244，其中，可操作该 抑制电极，以提供由粒子222观点来看的电位或电性环境的差异。例如， 在离子注入系统200的操作期间，污染粒子222通常可以类似于离子束 206的电荷而带电(例如，这种污染粒子由于离子束的正电荷而带正电)。 因此，粒子吸引器226可以对离子束206的电荷而极性相反地带电(例 如，粒子吸引器带负电)，其中，电位差异通常造成粒子吸引器与污染粒 子222之间的静电吸引。因此，可操作各射束收集组件220，以经由收集区域234中的抑制电 极244而提供电场，使得此电场通常沿废射束路径218将污染粒子222 吸引且减慢下来，以及通常进一步防止粒子重新进入质量分析器204的内部区域246。可以进一步调整电位，使得污染粒子222甚至可以变成悬 浮在"半空中"。 一旦污染粒子222在粒子收集器224或"材料收集器"的 收集区域234中，可以经由泵248进一步抽出(例如，如果这种粒子为 气体或通常悬浮在气体中)污染粒子222。以替代方式，如果粒子222为 固相，其通常会与壳体232内部表面242的衬里240碰撞。其中，这种 粒子将通常有利地被限制于衬里中或"粘到"衬里。因此，可操作抑制电极244 (例如，静电沉淀器或"减速电极")以提 供电场， 一旦这种粒子是在此材料收集器的收集区域234中时，可选择 此电场以防止这种粒子222离开材料收集器224。根据本发明的另一示例 性观点，设置屏蔽228，以通常将所选择的离子束212与仍在真空室202 的内部区域246中的废射束218屏蔽开，而不会感受到抑制电极244的 电压。例如，此屏蔽228为电接地，因此，使得由射束收集组件220所 产生的静电场与离子束206屏蔽开，反之亦然。根据一个实例，此屏蔽 228通常是多孔的，且包括接地栅250，其中，此接地栅通常允许在废射 束218中大部分粒子222通过接地栅250。其中， 一旦这种粒子通过接地 栅，则这种粒子只受到材料收集器224中电场的影响。这种由废射束218 中的粒子222所感受到的电场中的改变通常会造成这种粒子被"捕获"于 粒子收集器224 (材料收集器)的收集区域234中。图3说明示例性的射束收集组件220，其包括粒子收集器224。其中， 废射束218的粒子222通常通过接地栅250，且通常被吸引至抑制电极 244。这种通常为固体形式的粒子222 (例如，固体粒子222A)通常具有 较高惯性，并且变成为夹带于壳体232的衬里240中。然而，这种固体 粒子222A通常经由施加至抑制电极244 (经由图2的控制器252)的电 位V而减慢下来，因此将这种粒子对衬里240的冲击力最小化。该气体 形式或实质上重量轻的粒子222 (例如，图3的气体粒子222B)，通常悬 浮于粒子收集器224的收集区域234中，且可以经由以流体方式耦接至 图2的泵248的通道254而4皮抽出收集区域。才艮据本发明的另一观点，图2的真空室202的壁230电接地，其中， 屏蔽228 (例如，接地栅250)并不会影响在室中所选择的离子束212, 因为所期望的射束(与废射束218)并不会"感受到"在真空室内部区域 246中的电位差异。因此，接地栅250作用为夹子(clamp),其中来自与质量分析器204有关的其它电压的电场通常被防止经由接地栅穿过。接 地栅250可包括各种多孔材料，例如，网、多孔板、铁丝栅栏、并行线、 或任何其它材料或结构，这些材料或结构可操作以允许废射束218进入 粒子收集器224中，同时通常防止再度进入真空室202的内部区域246 中。根据本发明的另一示例性观点，射束收集组件220可以与真空室202 内或外的各种其它位置连接。例如，射束收集组件220可以与质量分析 器204的入口 210或出口 258处的孔径256连接。其中，可操作此射束收 集组件以通常夹带粒子222或不期望的离子，从而通常防止所选择的离 子束212的污染。因此，射束收集组件可以位于离子注入系统200中所 选择的离子束212的污染为主要考虑事项的任何位置处。根据本发明的另一示例性观点，图4为示例性方法300的概要方块 图，说明了一种用于控制在离子注入系统中、例如图2的离子注入系统 200中的粒子污染的方法。尽管该示例性方法在此被说明与描述为一系列 动作或事件，但应理解的是，本发明并不受限于说明这种动作或事件的 顺序。因为根据本发明，除了在此所说明和显示的外，本发明的一些步 骤可以以不同顺序发生和/或与其它步骤同时发生。此外，并非需要所有 iJL明的步骤以执行才艮据本发明的方法。再者，应了解此方法可以在此i兌 明与描述的有关系统中实施，也可以在未说明的相关其它系统中实施。如同图4中所示，方法300在步骤305中开始，在具有射束收集组 件的离子注入系统中形成离子束。在步骤310中，将电位提供给与射束 收集组件相连接的粒子吸引器，其中，该电位与离子束的电位通常为极 性相反的。在步骤315中，当将电位施加至粒子吸引器时，进入射束收 集组件的离子或粒子(例如，图2的废离子束218)通常为夹带于射束收 集组件中。在步骤320中，进一步将在射束收集组件中悬浮于气体中的 离子或粒子从射束收集组件中泵出。因此，实质上减轻在离子注入系统 中的污染。因此，本发明通常提供一种目前在离子注入工业中所未见的粒子控 制的程度。虽然，本发明是相关于某些较佳实施例来示意与说明，但当 阅读与了解本说明书与附图后，这种等同变化与修正对于本领域技术人员是显而易见的。尤其是由以上说明组件(组件、装置、以及电路等)所实施的各种功能，用于说明这种组件的专有名词(包括装置)的用意 除非另外说明以外，都是对应于执行所说明的组件特定功能的任何组件 (即，功能等同)，虽然结构上并未等同在此所揭示的执行所述本发明示 例性实施例的功能结构。此外，虽然只相对于若干个实施例揭示了本发 明的特点，但此特点可以与其它实施例的一个或多个其它特点组合，只 要这对于任何给定或特定应用是需要且有利的即可。
权利要求
1.一种用于减少离子注入系统中的污染的装置，包括粒子收集器，具有界定于其中的收集区域；粒子吸引器，通常设置在该粒子收集器的收集区域中；以及屏蔽，其可操作以将与该粒子吸引器有关的电位限制于该粒子收集器的收集区域中。
2. 如权利要求1所述的装置，其中该粒子收集器包括通常为凹的壳 体，其中，该壳体的内部区域通常界定该收集区域。
3. 如权利要求2所述的装置，其中该壳体是由导电材料构成。
4. 如权利要求3所述的装置，其中该导电材料包括金属。
5. 如权利要求2所述的装置，其中该壳体包括衬里，所述衬里通常覆 盖该壳体的内表面。
6. 如权利要求5所述的装置，其中该衬里包括碳。
7. 如权利要求6所述的装置，其中该村里是由石墨和碳化硅的一个或 多个所构成。
8. 如权利要求1所述的装置，进一步包括绝缘体，其中该绝缘体通常 将该离子注入系统的粒子收集器、粒子吸引器、屏蔽以及壁的一个或多 个彼此电隔离。
9. 如权利要求1所述的装置，其中该粒子吸引器包括抑制电极。
10. 如权利要求9所述的装置，其中该抑制电极包括栅、网、多孔板、 铁丝栅栏、以及并行线中的一个或多个。
11. 如权利要求1所述的装置，其中该屏蔽包括电接地多孔材料。
12. 如权利要求11所述的装置，其中该屏蔽包括栅、网、多孔板、铁 丝栅栏、以及并行线中的一个或多个。
13. —种离子注入系统，包括 离子源；终点台；以及质量分析器，设置于该离子源与终点台之间，其中该质量分析器包 括离子束收集组件，其中该离子束收集组件包括粒子收集器、设置于 该粒子收集器中的粒子吸引器、以及屏蔽，该屏蔽可操作地将该粒子吸 引器的电位限制于粒子收集器中。
14. 如权利要求13所述的离子注入系统，其中该粒子吸引器包括抑制 电极。
15. 如权利要求13所述的离子注入系统，其中该屏蔽包括电接地且多 孔材料。
16. 如权利要求15所述的离子注入系统，其中该多孔材料包括包含碳 的接地栅。
17. 如权利要求13所述的离子注入系统，其中该离子束收集组件与质 量分析器的一个或多个壁连接。
18. 如权利要求13所述的离子注入系统，其中该粒子收集器包括导电 且通常为凹的壳体，所述壳体具有界定于其中的收集区域。
19. 如权利要求18所述的离子注入系统，其中该壳体包括碳衬里，该 碳衬里覆盖该壳体的内表面。
20. 如权利要求13所述的离子注入系统，进一步包括绝缘体，该绝缘 体设置于该射束收集组件与质量分析器的壁之间，其中将该射束收集组 件与质量分析器电绝缘。
21. 如权利要求13所述的离子注入系统，进一步包括泵，该泵以流体 方式耦接至射束收集组件，其中可操作该泵以将污染粒子实质上从射束 收集组件中抽出。
22. —种用于控制离子注入系统中的污染的方法，包括以下步骤 对离子束进行质量分析，其中界定了期望的离子束与一个或多个废离子束；在沿着该一个或多个废离子束的路径所设置的粒子收集器中施加电位；将该粒子收集器电屏蔽，其中该粒子收集器中的电位并不会大幅影 响期望的离子束的路径；以及在该一个或多个废离子束进入粒子收集器后，通过粒子收集器中的 电位，夹带与该一个或多个废离子束有关的污染粒子。
23. 如权利要求22所述的方法，其中在该粒子收集器中所施加的电位 通常与离子束的电位相反。 '
24. 如权利要求22所述的方法，进一步包括将该污染粒子从粒子收集 器中以泵抽出。
25. 如权利要求22所述的方法，其中将该粒子收集器电屏蔽包括沿着 该一个或多个废离子束路径，将设置在该粒子收集器前面的屏蔽电接地。
26. 如权利要求22所述的方法，进一步包括施加电位至设置在该粒子 收集器中的粒子吸引器。
27. 如权利要求26所述的方法，其中施加至该粒子收集器中的电位与 施加至该粒子吸引器的电位不同。
28. 如权利要求26所述的方法，其中一个或更多施加于该粒子收集器 中的电位以及施加至该粒子吸引器的电位的幅度范围是高达该离子束的 能量。
全文摘要
本发明提供了一种用于减轻在离子注入期间的污染的系统、方法以及装置。本发明提供了离子源、终点台以及设置在离子源与终点台之间的质量分析器，其中离子束由离子源形成且经由质量分析器而行进至终点台。离子束收集组件包括粒子收集器、粒子吸引器以及与质量分析器连接的屏蔽。其中，可操作粒子吸引器的电位，以将污染粒子吸引并限制在粒子收集器中，并且其中可操作该屏蔽，以将粒子吸引器的电位与质量分析器中离子束的电位屏蔽。
文档编号H01J37/244GK101233597SQ200680028442
公开日2008年7月30日 申请日期2006年6月2日 优先权日2005年6月3日
发明者J·范德波特, 黄永灿 申请人:艾克塞利斯技术公司