气密容器和使用气密容器的成像设备的制造方法

专利名称：气密容器和使用气密容器的成像设备的制造方法
技术领域：
本发明涉及气密容器和成像设备的制造方法，更具体地说，涉及 成像设备的外封壳的接合方法。
背景技术：
成像设备是已知的，其中用于根据图像信号发射电子的多个电子 发射装置设置于后板，接收电子的辐照、发光并且显示图像的多个萤 光膜设置于前面板，并且内部保持真空状态。这种成像设备通常具有 这样一种结构，其中支撑框架还设置在前面板和后板之间，该支撑框 架既接合于前面板又接合于后板，并且形成外封壳。为了使外封壳能 够起到真空容器的作用，不仅需要接合部分被牢固地固定，而且还需 要接合部分具有足够的密封性能。具有接合部分的外封壳的制造方法已经公开在专利文献1中，该 接合部分由具有密封作用的密封材料气密地接合，并且其气密接合被 具有粘结作用的粘结剂加强。根据这种技术，密封材料沿着圆周长度 形成在接合部分的一个表面上，密封材料被加热并软化，并且将被接 合的部件(例如前面板)挤压。因此，密封材料充分地延伸到接合部 分并且获得高密封性能。此后，密封材料的周边用粘结剂涂覆，因而 提高接合强度。因此，形成既具有密封性能又具有接合强度的接合部 分。专利文献l:国际公开WO2000/51155在上述相关技术中，出现密封材料的高度的不均匀性并且要求进 一步改善容器的气密性。具体说，由于密封材料在被挤压至被接合部 件时变软，前面板固定到密封材料上的位置变得不稳定，并且存在接 合部分的厚度根据其位置波动的可能性。由于密封材料是厚度小于lmm的薄部件，因此厚度的小波动对密封性能产生很大的影响。如果 密封性能降低，则不能确保并保持外封壳中的真空度。如果前面板的 位置不稳定，则也会发生前面板不能平行于后板固定的可能性。因此， 密封材料的高度的不均匀性的危险将对图像质量产生很大的影响。发明内容本发明的目的是提供一种气密容器的制造方法，其中密封材料以 更均匀的高度形成，并且容器的气密密封能够进一步改善。本发明的 另一个目的是提供一种利用气密容器的上述制造方法制造成像设备的 方法。根据本发明，提供一种气密容器的制造方法，包括接合材料布 置步骤，即将第一接合材料和对于压力的可压缩性大于第一接合材料 的可压缩性的笫二接合材料布置在形成气密容器的第一和第二部件的 彼此相对的表面中的一个上，使得第二接合材料沿着环形路线布置在 第一和第二部件的彼此相对的表面中的所述一个上，第一和笫二密封接合材料以邻接(并排)关系设置，并且第一接合材料的高度低于第 二接合材料的高度；挤压步骤，即通过第一和第二部件的彼此相对的 表面中的另一个挤压第一和第二接合材料，使得第一和第二接合材料 两者接触第一和第二部件的彼此相对的表面中的所述另一个；加热步 骤，即一部分一部分顺序地加热并熔化接触第一和第二部件的彼此相 对的表面中的所述另一个的第一接合材料；以及冷却步骤，即冷却第 一接合材料的熔化的部分。在根据本发明的成像设备的制造方法中，设置电子发射装置和成 像部件，并且利用根据本发明的气密容器的制造方法制造气密容器。根据本发明提供了一种气密容器的制造方法，因而密封材料以更 加均匀的高度形成并且容器的气密密封能够进一步改善。根据本发明， 能够提供一种利用气密容器的上述制造方法的成像装置的制造方法。从下面参考附图对示例性实施例的描述中，本发明的其他特征将 变得明显。


图l是本发明的成像设备的示意图。图2A、 2B、 2C、 2D、 2E、 2F、 2G、 2H和21是本发明的处理流程的(接合部分)的剖视图。图3A、 3B-1、 3B-2和3C是本发明的接合部分的俯视平面图。 图4A是本发明的一个例子的接合部分的局部剖视图。可以使用图4B所示的可选例子。图5A、 5B和5C是示出根据实例3的处理例子的示意图。图6是示出用于本发明的接合材料的压力和可压缩性之间的关系的例子的曲线图。图7是示出根据实例6的处理例子的示意图。
具体实施方式
下面将描述本发明的实施例。本发明的气密容器的制造方法能够 应用于使用真空容器的成像设备的制造方法。具体说，其中萤光膜和 电子加速电极形成在真空外封壳的前面板上并且电子源形成在后板上 的成像装置是本发明适用的示例性形式。图l是示出作为本发明目标的成像设备的例子的透视图，并且为 了容易理解内部结构，该设备的一部分被切割掉。成像设备ll具有用 作气密容器的外封壳10，该外封壳10具有笫一部件12和第二部件13 并且具有由第一部件12和第二部件13的(彼此面对)接合表面结合 形成而密封的内部空间。气密容器的内部(外封壳IO的内部)保持真 空状态。第一部件12由后板(第一板)22和支撑框架26形成。第二 部件13由前面板32形成。与固定于后板22的(支撑框架26的)表 面相对的表面变成面向前面板32的表面。虽然第一部件12通过接合 后板22和支撑框架26形成，但是它也可以作为整体部件形成。后板 22和前面板32均具有由玻璃部件构成的基底。用于根据图像信号发射电子的多个电子发射装置27设置于后板22的玻璃基底21。形成用于使每个电子发射装置27根据图像信号工 作的布线(X方向布线28、 Y方向布线29)。接收电子的辐照、发光 并且显示图像的荧光膜34设置在前面板32的玻璃基底33上。黑条带 35也设置在玻璃基底33上。荧光膜34和黑条带35交替排列并设置。 由Al (铝)薄膜制造的金属衬垫(back) 36形成在荧光膜34上。每 个金属衬垫36具有作为电极的功能，其适于吸引电子并且接收从高压 端子Hv供给的电势，高压端子设置于外封壳10。由Ti(钛)薄膜制 造的不可蒸发的吸气剂(getter) 37形成在金属衬垫36上。随后将参考图2A至图4B具体描述本发明的实施例。图2A至图 21是示出本发明的处理流程的(接合部分)剖视图。图3A至图3C 是接合部分的俯视平面图。图4A至图4B是示出接合部分的例子的剖 视图。(步骤S1:接合材料布置步骤)首先，制备通过接合后板22和支撑框架26形成的第一部件12(参 考图2A)。随后，将第一接合材料1沿着周边长度施加于面向前面板 32的(支撑框架26的)表面并且烘干(参考图2B和2C)。第一接合 材料1用金属或玻璃熔料制造。作为第一接合材料l，选择其对于压 力的可压缩性小于第二接合材料2的可压缩性的接合材料。第一接合 材料1的高度设置成低于第二接合材料的高度，这将在下面描述。随 后，施加其对于压力的可压缩性大于第一接合材料1的可压缩性的第 二接合材料2 (参考图2D)。大的可压缩性表示第二接合材料2比第 一接合材料1软并且容易被挤压和变形(这将在下面详细地描述)。换 句话说，具有小的可压缩性的第一接合材料l比笫二接合材料2硬并 且难于被挤压和变形。施加第二接合材料2使得它的高度高于第一接 合材料l的高度。第二接合材料2以邻接(并排)关系设置。虽然在 所示的实施例中第一接合材料1施加在外侧而第二接合材料2施加于 内侧，但是它们可以反过来施加在相应侧并且它们平行设置就足够了 。 第二接合材料2设置用来不仅确保接合部分的粘结性能而且还确保密 封。因此，希望将第二接合材料2沿着环形路线施加在面向前面板32的(支撑框架26的)表面的整个周边上。第一接合材料l设置用来增 强接合部分的粘结性能。因此，虽然在这个实施例中第一接合材料1 施加在面向前面板32的(支撑框架26的)表面的整个周边上，但是 并非总是需要使用这样的方法。具体说，第一接合材料l可以沿着设 置在环形路线中的第二接合材料2不连续地设置。但是，在这种情况 下，由于第一接合材料规定第二接合材料的高度(厚度)，因此也需要 以邻接(并排)关系设置。如图4A和4B所示，为了使第二接合材料 2容易接合，基础层4a和4b也可以预先形成在支撑框架26和前面板 32上。(步骤S2:挤压步骤)随后，间隔件8设置在布线27和28上(参考图2E)。在用第一 和第二接合材料1和2涂覆的支撑框架26的表面上，面向支撑框架 26的上述表面的(前面板32的)表面被挤压(参考图2F和图2G)。 图3A是在图2G的状态的平面图。因此，笫二接合材料2变形并且它 的高度逐渐减小并且与第一接合材料l的高度一致。因此，第二接合 材料和第一接合材料l 一起与前面板32接触。 (步骤S3:加热步骤)随后，只有第一材料1的一部分被加热并熔化，然后，只有与上 述部分不同的另一部分被加热并熔化，并且，这个步骤进一步只重复 必要的次数(参考图2H)。也就是，第一接合材料l一部分一部分地 顺序地加热并熔化。具体说，在前面板32经由第二接合材料2已经挤 压接合于支撑框架26的情况下，挤压被取消并且只有第一接合材料1 将要被熔化的一部分局部地、部分地被加热。图3C是在图2G的状态 下的平面图。在每个加热步骤，第一接合材料l的多个位置或多个部 分可以同时局部地加热(参考图3B-1)，或者只有一个位置或一个部 分可以局部地加热(参考图3B-2)。在加热步骤中，希望通过在改变 笫 一接合材料l的加热位置的同时多次加热第 一接合材料1来加热并 熔化整个第一接合材料l。在图2G至图2H的步骤之间取消挤压就足够了。也就是说，在第2说明书第6/13页二接合材料2被挤压并变形到图2G所示的笫一接合材料1的高度之 后挤压可以取消，或者在保持挤压状态的同时，直到挤压的处理可以 进行到图2H的加热步骤为止。在加热步骤中，如图5A至图5C所示， 在沿着第一接合材料1扫描加热位置的同时可以顺序地加热并熔化第 一接合材料1。(步骤S4:冷却步骤)冷却第一接合材料l的被加热并熔化的部分。因此，当支撑框架 26和前面板32通过第二接合材料2密封时，它们通过笫一接合材料1 牢固地固定。(步骤S5:烘干步骤)为了提高外封壳10中的空间的真空度，加热步骤之后在预定的温 度(第一温度)下进行烘干。具体说，外封壳IO布置在真空室(未示 出)中。当外封壳10的内部通过排气孔7抽空时，真空室中的真空度 减小到约l(T3 Pa并且整个外封壳IO被加热，因而激活不可挥发的吸 气剂37。而且，排气孔7用密封材料6和密封盖5密封，因而形成成 像设备ll。虽然希望密封盖5由与后板22相同的材料制造，但是它 可以由在真空烘干时不熔化的诸如Al (铝)、Ti(钛)、Ni(镍)等的 金属或其合金制造。图6是示出对于压力的可压缩性的概念的曲线图。假定在初始阶 段接合材料的高度设置为z (0)，在压力P (Pa)下接合材料的高度 设置为z ( P )，并且高度变形设置为<formula>formula see original document page 9</formula> ，可压 缩性定义为<formula>formula see original document page 9</formula> (0)可压缩性表示由于弹性变形在高度方向上的压缩和由于塑性变形 在高度方向上的压缩的总和。当可压缩性等于O时，这意味着压缩没 有进行并且表示在可压缩性增加的情况下压缩比较容易进行。"第二接 合材料对压力的可压缩性大于第一接合材料对压力的可压缩性"意味着在假定的压力范围内，第二接合材料的可压缩性超过第一接合材料 的可压缩性。换句话说，"第一接合材料对压力的可压缩性小于第二接合材料对压力的可压缩性，，意味着在假定的压力范围内，第一接合材料 的可压缩性低于第二接合材料的可压缩性。该假定的压力范围不是总 需要连续的宽度(范围)，而是可以不连续地设置。希望在至少室温(25。C )和这些步骤中必需的温度(例如，350 °C， 430 。C等)下预先测量接合材料的高度z (P)和压力P (Pa)之间的 关系。由于实际的可压缩性不仅取决于接合材料的材料，而且也取决 于截面形状、尺寸和布置表面的变形程度，因此当测量可压缩性时， 希望根据要进行的处理确定测量条件。而且，特别是，在利用低熔点 的金属材料等的情况下，由于材料的可压缩性还取决于材料宽度，因 此希望在实际使用的宽度下进行测量。在图6中，两种材料的可压缩性通过将温度用作参数示出。根据 类型l的材料，当施加压力时即便在室温(25°C)下它能够变形，并 且在350 。C和430 。C下更容易变形。根据类型2的材料，虽然当施 加高达约50MPa的压力时在室温(25°C)和350 °C下它不变形，但 是当施加压力时在430 。C下它变形。在这个实施例中，类型2的材料 用作第一接合材料l，而类型1的材料用作第二接合材料。因此，第 二接合材料对压力的可压缩性大于第一接合材料对压力的可压缩性。需要能够用于成像设备的外封壳的接合材料满足下面的条件。1. 耐热性在真空中烘干步骤(上述步骤S5)中的耐热性。2. 气密性随着时间的流逝适于保持高真空的气密性。3. 粘结性能对被接合的部件(框架部件、面板材料)的粘结性能。4. 排气特性低排气特性。作为满足上述条件和图6的条件的第一接合材料1，能够提到进 行烘干以便至少将有机粘结剂烧尽的玻璃熔料、诸如Al(铝)、Ti(钬)、 Ni (镍)等的金属或其合金。作为第二接合材料2，能够提到诸如In (铟)、Sn (锡)、Al (铝)、Cu (铜)、Au (金)、Ag (银)等的金属 或其合金。诸如In (铟)、Sn (锡)等的低熔点金属，或使用In-Ag 或Sn-Ag的合金制成的低熔点金属是第二接合材料2最希望的材料之当在室温下从图2F向图2G的状态对第二接合材料2施加压力 时，由于类型1的材料在室温下变形，其高度逐渐减小并且它变形到 接合材料1的高度。但是，由于利用类型2的材料的第一接合材料1 在50 MPa下不变形，第二接合材料2的厚度在第一接合材料1的高 度下变得稳定，并且不再减小。也就是，由于第二接合材料2的压缩 变形受第一接合材料1的限制，因此在挤压步骤期间第二接合材料2 的厚度随着位置而波动的可能性大大减小。由于加热步骤在大约430。C(第二温度)下进行，第一接合材料l 也被熔化并且压缩变形容易发生。但是，由于第一接合材料l用这种 方法加热并熔化，从而第一接合材料l的仅仅一部分被加热并熔化， 并且与这部分不同的仅仅另一部分然后^皮加热并熔化，也就是说，如 上所述第一接合材料1一部分一部分地顺序地加热并熔化，不是整个 第一接合材料l同时熔化。换句话说，由于第一接合材料l没有加热 并熔化的部分支撑来自前面板的压力，如同它们是所谓的支腿部分。 第一接合材料1的整体形状被保持。因此，即便在加热步骤，笫二接 合材料2的厚度随着位置而波动的可能性大大减小。而且，加热步骤之后，第一接合材料在低于加热步骤中的温度的 大约350°C (第一温度)下进行抽空并烘干(参考图2H)。但是由于 在这个温度下第一接合材料的可压缩性大体上等于0，因此第一接合 材料1不变形。因此即便在烘干步骤，第二接合材料2的厚度随着位 置而波动的可能性大大减小。以这种方式，实现密封功能的第二接合 材料2的厚度在加压步骤、加热步骤、烘干步骤中沿着周边长度而波 动的可能性减小，并且能够产生更可靠的密封性能。虽然在图6的例子中，第一接合材料l在加压步骤中的压缩变形 基本上等于0，即便在发生很小的变形时，如果第一接合材料的可压 缩性小于笫二接合材料2的可压缩性，则第二接合材料2的压缩变形 仍然能够被防止。 (实例)下面将参考具体实例进一步详细地描述本发明。在下面每个实例中的成像设备具有前面板32和后板22(参考图1)。在后板22中，多 个(240行x720列)表面传导电子发射装置27以简单的矩阵形式设置 在玻璃基底21上，以便电连接于X方向布线28和Y方向布线29。 在前面板32中，铝薄膜形成的金属衬垫36通过溅射方法形成在作为 图像形成部件的萤光膜34上，以便具有O.ljim的厚度。而且，钛膜 作为不可挥发的吸气剂37通过电子束真空蒸发淀积法形成以便具有 O.ljim的厚度。实例1 (施加玻璃熔料后烘干+铟+附连(tack:将目标局部 紧固或固定))首先，在室温、350。C和430。C分别测量如图6所示的压力和接 合材料的可压缩性之间的关系。在这个实例中，其厚度在350。C下不 变化的玻璃熔料(图6中的类型2)用作第一接合材料l。比第一接合 材料1软并且即便在室温下也能够加压并变形的铟用作第二接合材料 2。步骤a后板22和支撑框架26用玻璃熔料3接合(图2A )。 步骤b随后，通过混合松油醇、elvasite (杜邦公司的一种产品的商标) 和用作第一接合材料1的基础材料的玻璃熔料得到的糊状物作为第一 接合材料1的前体通过使用分配器施加在支撑框架26的整个周边上， 以便具有约0.5mm的厚度和2mm的宽度(图2B )。步骤c在步骤b中施加的第一接合材料l的前体在430。C下烘干，并且 诸如松油醇等的有机材料等被烧尽，因而形成厚度为0.3mm和宽度为 2mm的第 一接合材料1 (图2C )。步骤d厚度为5mm和宽度为2mm由铟制造的第二接合材料2通过使用 超声焊接装置在支撑框架26的整个周围上沿着宽度为2mm和膜厚度为5nm的基础层4a设置在笫一接合材料1的内侧(图2D)。基础层 4a通过烘干银糊状物预先形成。 步骤e此后，间隔件8设置在布线上以便其高度低于第二接合材料2的 高度并且几乎等于第一接合材料l的高度(图2E)。 步骤f、 g间隔件8已经设置在其上的后板22以及宽度为2mm和膜厚度为 5nm的基础层4b已经形成在其上的前面板32设置在预定的位置(图 2F)，因而使前面板32与第一接合材料1发生接触。也就是，第二接 合材料2被挤压并且压扁变形到第一接合材料1的厚度并且由第二接 合材料2确保气密性(图2G，图3A )。基础层4b通过烘干银糊状物 预先形成。步骤h随后，从卣素灯发射的光从前面板32 —侧被汇聚并且同时辐照第 一接合材料1的多个位置(图2H，图3B-1)，从而允许第一接合材料 l一部分一部分地熔化。因此，形成具有前面板32、支撑框架26、后 板22的外封壳10 (见图2H,图3C)。步骤i随后，外封壳IO被布置在真空室(未示出)中。在外封壳10的 内部通过排气孔7抽真空时，真空室中的真空度降低到大约10^Pa并 且整个外封壳IO被加热到350。C，因而激活不可挥发的吸气剂37。因 此，排气孔7被由铟制造的密封材料6和由玻璃基底制造的密封盖5 所密封，因而形成成像设备ll (图1， 21， 4A和4B)。在如上所述制造的成像设备11的实例中，由于第一接合材料1 部分地并且局部地熔化(步骤h)，第一接合材料l (玻璃熔料)的高 度不改变。因而，保持第二接合材料2 (铟)的厚度。而且，也在步 骤i中，虽然铟作为第二接合材料2在350°C下加热时进入熔化状态， 但是由于作为第一接合材料l的玻璃熔料不熔化，因而第二接合材料 2(铟)的厚度被保持。因此，能够获得具有极好气密密封性的成像设备。由于前面板32和支撑框架26由第一接合材料l固定并且支撑框 架26和后板22由玻璃熔料3固定，在这些部件之间的预定的相对位 置关系也被保持。(实例2)(施加玻璃熔料后烘干+铟十附连(tack:将目标局 部紧固或固定)+激光)在这个例子中，在步骤h中使用激光辐照。具体说，有效直径为 0.8mm、功率为IOOW、波长为810nm的半导体激光部分地、局部地 并且同时辐照第一接合材料1的多个位置(图3B-1)，因而使第一接 合材料l能够熔化。因此，形成具有前面板32、支撑框架26和后板 22的外封壳10 (图3C)。其他步骤与实例l相同。在如上所述制造的成像设备中，通过使用激光辐照，第一接合材 料1部分地、局部地熔化，因而接合前面板32和支撑框架26。因此， 第二接合材料(铟)2的厚度更容易被保持并且进一步改善气密性。 具体说，如果使用激光辐照，即便在很窄的区域激光都能够精确地辐 照，并且局部加热能够更有效地进行。因此，改善第二接合材料2的 厚度(高度)均匀性并且获得更高的气密性。(实例3)(施加玻璃熔料后烘干+铟+整个周边+激光)在这个实例中，如图5A至5C所示，在步骤h，在部分地、局部 地并且连续地扫描第一接合材料的同时，激光辐照顺序地辐照第一接 合材料(图5B)，因而使第一接合材料1能够熔化。因此，形成具有 面板32、支撑框架26和后板22的外封壳10 (图5C)。其他步骤与实 例1相同。在如上所述制造的成像设备的本实例中，第一接合材料1连续地、 部分地并且局部地熔化，并且前面板32和支撑框架26被接合。因此， 即便第一接合材料1本身，也能够保持密封性能并且改善成像设备的 气密性。此外，也能够改进可再现性并且改善制造变化。(实例4)(片状玻璃熔料+铟+整个周边+激光)在这个实例中，在第二接合材料2被设置之后，宽度为2mm、厚 度为300jim的预先烘干的片状的玻璃熔料作为第一接合材料1设置在第二接合材料2整个周边的外侧。其他步骤类似于实例1。在如上所述制造的成像设备的本实例中，第一接合材料1连续地、 部分地并且局部地熔化，并且前面板32和支撑框架26被接合。因此， 即便第一接合材料1本身，也能够保持密封性能并且改善成像设备的 气密性。此外，也能够改进再现性并且改善制造变化。而且，在这个 实例中由于玻璃熔料以片状形状预先烘干，图2B的步骤可以省去， 第二接合材料2的布置步骤(图2D)能够首先进行，等等。因此，具 有增加处理自由度的效果。(实例5)(铝+铟+整个周边+激光)在这个实例中，宽度为2mm和厚度为50nm的Al (铝)箔用作 第一接合材料1，并且宽度为2mm和厚度为100nm的铟用作第二接 合材料2。其他步骤类似于实例4。将A1选择为材料，在常温和350。C 下，它比铟制造的第二接合材料2硬(其可压缩性更小)。在如上所述制造的成像设备的本实例中，获得类似于实例4中的 效果。通过使用铝箔，图2B的步骤可以省去，笫二接合材料2的布 置步骤(图2D)能够首先进行，等等。因此，具有增加处理自由度的 效果。由于使用金属，在抽真空和烘干时的排气能够减少，并且改善 外封壳的真空度。(实例6)(玻璃熔料+铟+整个周边+激光)在这个例子中，如图7所示，通过混合松油醇、elvasite(杜邦公 司的一种产品的商标)以及用作第一接合材料l的基础材料的玻璃熔 料得到的糊状物，通过使用分配器施加在被加热到80°C的宽度为4mm 的支撑框架26的一个表面的整个周边的外侧上，以便具有约0.5mm 的厚度和2mm的宽度。此后，支撑框架26被倒过来，放在铝板上， 挤压并变形并且变成扁平，以便具有0.4mm的厚度。其后，同样糊状 物施加到支撑框架26的另一个表面上，以便具有4mm的宽度和 0.8mm的厚度。即，玻璃熔料顺序地提供给支撑框架26的两个相对 表面。随后，支撑框架26在380。C下临时烘干，其后，支撑框架26 从铝板上剥离并且再倒过来。尚未变扁平的熔料与后板接触并且支撑框架26布置在后板22上的预定位置处。其后，支撑框架26在430。C 下烘干。宽度为2mm的用于接合支撑框架26和后板22的第一接合 材料1的烘干以及玻璃熔料3的烘干同时进行，因而获得图2C的状 态。第一接合材料l的厚度在这个例子中等于0.3mm。此后，宽度为2mm且厚度为500nm的Sn-Ag类合金用作第二接 合材料2。步骤2F和2G在150°C下进行。在图2I的步骤中，Al板 用作密封盖5而Sn-Ag类合金用作密封材料6。关于其他步骤，成像 设备用类似于实例3的方法形成。根据如上所述方法制造的这个实例 的成像设备，能够获得类似于实例3的效果。虽然在上面已经描述了本发明的实施例和实例，但是本发明不限 于上面的实施例和实例。例如，虽然在前述实施例和实例中本发明适 用于支撑框架26和前面板32的接合部分，但是本发明可以应用于支 撑框架26和后板22之间的接合部分。同样，本发明也能够既应用于 支撑框架26和前面板32的接合部分，又适用于支撑框架26和后板 22的接合部分。虽然在前述实施例和实例中，本发明仅仅应用于支撑 框架26和前面板32的接合部分，这是因为支撑框架26和后板22的 接合部分能够做成比较厚，并且比较容易确保密封性能。在本发明应 用于支撑框架26和后板22的接合部分的情况下，也能够将后板22 布置在支撑框架26的下面，将第一和第二接合材料施加在后板22上， 并且通过支撑框架26使第二接合材料变形。虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发 明不局限于此。下面权利要求的范围是按照最广义的解释，因此包含 所有的这些修改和等同结构以及功能。
权利要求
1.一种气密容器的制造方法，包括接合材料布置步骤，即将第一接合材料和对压力的可压缩性大于第一接合材料的可压缩性的第二接合材料布置在形成气密容器的第一和第二部件的彼此相对设置的表面中的一个上，使得第二接合材料沿着环形路线布置在第一和第二部件的彼此相对设置的表面中的所述一个上，所述第一和第二接合材料设置成并排的关系，并且第一接合材料的高度低于第二接合材料的高度；挤压步骤，即通过第一和第二部件的彼此相对设置的表面中的另一个挤压第一和第二接合材料，使得第一和第二接合材料两者接触第一和第二部件的彼此相对设置的表面中的所述另一个；加热步骤，即一部分一部分顺序地加热并熔化与第一和第二部件的彼此相对设置的表面中的所述另一个接触的第一接合材料；以及冷却步骤，即冷却所述第一接合材料的熔化的部分。
2. 根据权利要求l的气密容器的制造方法，其中 所述加热步骤包括同时加热并熔化所述第一接合材料的多个部分。
3. 根据权利要求1或2的气密容器的制造方法，其中 所述加热步骤包括通过在从第 一接合材料的一个位置到另 一个位置改变加热部分的同时多次加热，加热并熔化所有的所述第一接合材 料。
4. 根据权利要求1的气密容器的制造方法，其中 所述加热步骤包括通过沿着第一接合材料对加热位置扫描来相继加热并熔化所述第一接合材料。
5. 根据权利要求l、 2和4其中任何一项的气密容器的制造方法， 其中所述加热步骤包括局部加热所述第 一接合材料。
6. 根据权利要求5的气密容器的制造方法，其中所述局部加热用 激光进行。
7. 根据权利要求5的气密容器的制造方法，其中所述局部加热用 卣素灯的光辐照进行。
8. 根据权利要求7的气密容器的制造方法，其中 所述第一和第二部件由玻璃形成，并且 所述第一接合材料由金属或玻璃熔料形成。
9. 根据权利要求8的气密容器的制造方法，其中 在接合材料布置步骤中，使用以片状形状烘干的玻璃熔料作为第一接合材料。
10. 根据权利要求8的气密容器的制造方法，其中 在接合材料布置步骤中，使用片状的铝作为第一接合材料。
11. 一种成像设备的制造方法，所述成像设备包括电子发射装置 和设置在一气密容器内的成像部件，其中所述气密容器根据权利要求 1、 2、 4、 6至10中任何一项的方法制造。
12. —种成像设备的制造方法，所述成像设备包括电子发射装置 和设置在一气密容器内的成像部件，其中所述气密容器根据权利要求 5的方法制造。
13. 根据权利要求3的气密容器的制造方法，其中 所述加热步骤包括局部加热第 一接合材料。
14. 一种成像设备的制造方法，所述成像设备包括电子发射装置 和设置在一气密容器内的成像部件，其中所述气密容器根据权利要求 3的方法制造。
全文摘要
一种气密容器的制造方法，包括接合材料布置步骤，即将第一接合材料和对于压力的可压缩性大于第一接合材料的可压缩性的第二接合材料布置在第一部件上，使得第一和第二接合材料以并排的关系设置，并且第一接合材料的高度低于第二接合材料的高度；将第二部件挤压至第二接合材料；一部分一部分顺序地加热并熔化第一接合材料；以及冷却所述第一接合材料以将第一和第二部件接合在一起；本发明还涉及一种使用上述方法制造的气密容器以及使用该气密容器的成像设备的制造方法。
文档编号H01J5/02GK101335167SQ20081013178
公开日2008年12月31日 申请日期2008年6月27日 优先权日2007年6月27日
发明者伊藤靖浩, 多川昌宏, 大桥康雄, 小柳和夫, 镰田重人, 长谷川光利 申请人:佳能株式会社