红光荧光材料及其制造方法、及白光发光装置的制作方法

文档序号:2839327阅读:215来源:国知局
专利名称:红光荧光材料及其制造方法、及白光发光装置的制作方法
技术领域
本发明是有关于一种红光荧光材料及其制造方法、及具有此红光荧光材料的白光 发光装置,且特别是有关于一种色纯度高、辉度强且化学稳定性佳的红光荧光材料及其制 造方法、及具有此红光荧光材料的白光发光装置。
背景技术
近年来,由于绿色科技的蓬勃发展,具有省电、体积小、低电压驱动以及不含汞等 优点的白光发光二极管(White light emitting diode),已被广泛地应用在平面显示器的 背光模块与一般照明等领域。为了提升白光发光二极管的发光性能,荧光材料的研发扮演 着举足轻重的角色,许多新颖的荧光材料亦被陆续提出。根据Nichia公司在美国专利公告号US 5,998,925中所揭露的白光发光装置,其 主要是以掺杂铈的石榴石荧光粉(Y3Al5O12:Ce3+,YAG:Ce)来将蓝光发光二极管所发出的蓝 光转换为黄光,并通过蓝光混合黄光以产生白光。然而,此由蓝光发光二极管与掺杂铈的 石榴石荧光材料所产生的白光一直存在着色温偏高的问题,特别是在提高操作电流时,色 温升高的问题会更趋严重。此外,依此方式所产生的白光,由于白光发光频谱内不含红色成 份,因此演色性差,作为照明用光源时会有演色性不足的问题。举例而言,将此白光照射红 色物体会呈现弱橙色。上述问题可透过增加白光发光频谱的红色成分以获得改善。根据ORSAM公司所发 表的专利国际公开号WO 02/11173A1,其利用发光波长为紫外光到蓝光(370 480nm)的发 光二极管,搭配红光荧光粉与黄绿光荧光粉组成的双荧光粉系统而产生白光,其中,红光荧 光粉的化学式为MSEu2+,M代表Ba、Sr、Ca、Mg或Zn ;黄绿光荧光粉的化学式为M*N*2S4Eu2+, Ce3+,M* 代表 Ba、Sr、Ca、Mg 或 Zn,而 N* 则代表 Al、Ga、In、Y、La 或 Gd。虽然上述双荧光粉系统所产生的白光可改善色温与演色性的问题,然而,由于所 使用的荧光粉的成分中皆含有硫化物,此硫化物易与空气中的水气反应,使得此双荧光粉 系统的化学稳定性不佳。并且,在紫外光长时间的照射下,此双荧光粉系统容易衰减,亦有 使用寿命不足的问题。此外,由于硫化物的热稳定性不佳,使得以硫化物作为主要成分的荧 光粉的应用受到诸多限制。

发明内容
有鉴于此,本发明提供一种红光荧光材料,可提供辉度强且色纯度高的红光。本发明又提供一种红光荧光材料的制造方法,可使用较低的烧结温度,得到化学 稳定性佳的红光荧光材料。本发明再提供一种白光发光装置,具有上述红光荧光材料,可提供演色性佳的白 光、且使用寿命长。基于上述,本发明提出一种红光荧光材料,适于受到第一光线激发而放射出红光, 此红光荧光材料的特征在于具有下列式(1)的化学式,
A2Eu (MO4) (PO4)-------式(1);其中,A表示锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)或银(Ag) ;M表示钼(Mo)、 钨(W)或钼与钨的组合(MoxW(1_x))。在本发明的一实施例中,上述第一光线的波长范围介于360纳米(nm) 550纳米
(nm) ο在本发明的一实施例中,上述第一光线的波长范围包括近紫外光波长 394 士 10nm、蓝光波长465 士 10nm、或黄绿光波长535 士 10nm。在本发明的一实施例中,上述当M表示钼与钨的组合(MoxW(1_x))时,χ为摩尔分率, 其值介于0 1之间。在本发明的一实施例中,上述红光的色坐标可达(0.66,0.33),相对辉度值为 1. 5 1. 9(cd/m2)。本发明又提出一种红光荧光材料的制造方法。首先,依化学剂量提供一混合物,此 混合物包括三氧化二铕、磷酸氢二胺,以及金属钼酸盐、或金属钨酸盐、或金属钼酸盐与金 属钨酸盐的组合。继之,混合并研磨上述混合物。之后,烧结上述混合物,以得到红光荧光 材料。在本发明的一实施例中,上述混合并研磨混合物的时间为30分钟。,烧结混合物 的温度为600°C,烧结混合物的时间为6至10小时。在本发明的一实施例中,上述得到的红光荧光材料具有下列式(1)的化学式,A2Eu (MO4) (PO4)-------式(1);其中,A表示锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)或银(Ag) ;M表示钼(Mo)、 钨(W)或钼与钨的组合(MoxW(1_x))。在本发明的一实施例中,还包括特性鉴定步骤,以鉴定红光荧光材料的物理及化 学特性。该特性鉴定步骤包括X射线绕射分析、荧光光谱分析、色度坐标分析或紫外光-可 见光反射光谱分析。本发明再提出一种白光发光装置,包括发光二极管芯片以及光致发光荧光体。发 光二极管芯片放射出第一光线。光致发光荧光体至少包括如上述的红光荧光材料,其中, 光致发光荧光体受到第一光线的激发而放射出第二光线,且第一光线与第二光线混光为白光。在本发明的一实施例中,上述第一光线的波长范围包括近紫外光波长 394 士 10nm、蓝光波长465 士 10nm、或黄绿光波长535 士 10nm。在本发明的一实施例中,上述光致发光荧光体还包括黄光荧光材料、蓝光荧光材 料或绿光荧光材料。上述红光荧光材料适于与黄光荧光材料、蓝光荧光材料及绿光荧光材 料选择搭配使用。本发明的红光荧光材料因采用新颖的化学结构,可提供色纯度高且辉度强的红 光。特别是,本发明所提出的红光荧光材料的制造方法,由于红光荧光材料的组成为氧化物 且不含有化学稳定性差的硫化物,所以具有良好的化学稳定性。再者,由于烧结时所需的温 度相当低,还能减少能源的使用量。此外,本发明的白光发光装置由于使用了上述的红光荧 光材料,而可提供演色性佳的白光,并且使用寿命长。


图1为本发明较佳实施例的红光荧光材料的制造方法流程示意图;图2为本发明较佳实施例的红光荧光材料的激发光谱图;图3为本发明较佳实施例的红光荧光材料的放射光谱图;图4为本发明较佳实施例的红光荧光材料的色度坐标示意图;图5为本发明较佳实施例的红光荧光材料的X射线绕射图;图6为本发明较佳实施例的一种白光发光装置的示意图。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式 作详细说明如下。
具体实施例方式本发明提出一种新颖的红光荧光材料,其具有独特的化学晶体结构,可产生色纯 度高且辉度强的红光。除了可改善公知中演色性不足的问题外,此新颖的红光荧光材料更 可以不含硫化物的结构,从根本解决化学稳定性不佳的问题。以下将逐一叙述此红光荧光 材料及其制造方法,以及使用此红光荧光材料的白光发光装置。红光荧光材料本发明提出的红光荧光材料,适于受到第一光线激发而放射出红光,此红光荧光 材料的特征在于具有下列式(1)的化学式,A2Eu (MO4) (PO4)-------式(1);其中,A表示锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)或银(Ag) ;M表示钼(Mo)、 钨(W)或钼与钨的组合(MoxW(1_x))。在此要说明的是,当上述式(1)中的M表示钼与钨的组合(MoxW(1_x))时,χ为摩尔分 率,其值可介于0 1之间,而第一光线的波长范围则介于360纳米(nm) 550纳米(nm), 亦即,此红光荧光材料相当适合被紫外光 蓝光以及黄绿光波段的第一光线所激发,进而 发出红光。特别是,此红光荧光材料由于具有上述式(1)的化学结构,其对于特定波长的光 线具有很强的吸收,其中,较佳吸收的三个波长范围是近紫外光波长394士 lOnm、蓝光波 长465 士 lOnm、或黄绿光波长535 士 lOnm。在吸收上述特定波长的光线能量后,此红光荧光 材料将以红光的形式释放所吸收的能量,此红光的波长例如是614nm(绘示于后续的图2)。另外,此红光荧光材料所发出的红光,其色纯度可达到NTSC色坐标上(0. 66, 0. 33)的位置,亦即红光的色纯度可趋近于饱和红(绘示于后续的图4)。此外,其相对辉度 值更可达到1. 5 1. 9 (cd/m2)(绘示于后续的表一)。另外,由于此红光荧光材料能提供辉度高且色纯度佳的红光,所以此红光荧光材 料相当适合应用在白光发光二极管。红光荧光材料的制造方法图1为本发明较佳实施例的红光荧光材料的制造方法流程示意图。请参照图1,首 先,在步骤Sl中,依化学剂量提供一混合物,包括三氧化二铕、磷酸氢二胺以及金属钼酸 盐、或金属钨酸盐、或金属钼酸盐与金属钨酸盐的混合物。更详细而言,上述红光荧光材料的制造方法可依照上述式(1)所显示的摩尔分率(mole ratio),来调配红光荧光材料的各组成的组成比例,其中,金属钼酸盐例如是钼酸钠 (Na2MoO4),而金属钨酸盐则例如是钨酸钠(Na2WO4)。接着,在步骤S2中,混合并研磨上述混合物。在步骤S2时,为了使混合物更为均 勻,大约需要30分钟的时间进行上述混合物的混合与研磨。再来,如步骤S3所示,烧结上述混合并研磨后的混合物,以形成红光荧光材料。而 在步骤S3进行烧结时,例如可将上述混合均勻且研磨过的混合物置于氧化铝坩锅中,再将 此氧化铝坩锅置入高温炉中,以600°C的温度进行烧结约6 10小时,即可得到此红光荧光 材料。所得到的红光荧光材料为氧化物形态,且具有下列式(1)的化学式,A2Eu(MO4)
(PO4)-------式(1);其中,A 表示锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)或银(Ag) ;M 表
示钼(Mo)、钨(W)或钼与钨的组合(MoxWa_x))。请继续参照图1,如步骤S4所示,经由上述步骤Sl S3所制得的红光荧光材料, 还可进一步进行特性鉴定步骤S4,以鉴定红光荧光材料的物理及化学特性。详言之,特性鉴 定步骤可以包括X射线绕射分析、荧光光谱分析、色度坐标(chromaticity coordinates) 分析或紫外光_可见光反射光谱分析,然而并不以此为限。值得一提的是,本发明所提出红光荧光材料的制造方法,其所使用的主要成分 为碱金属钼酸盐、碱金属钨酸盐、三氧化二铕、以及磷酸氢二胺,所需的烧结温度仅约为 600°C。相较于公知所述的掺杂铈的石榴石荧光材料(烧结温度需1,500°C )、一般硅酸盐 与锗酸盐类荧光材料(烧结温度需1,000°C 1,200°C )及含硫的红光荧光材料(烧结温 度需要1,100°C 1,200°C ),本发明的红光荧光材料的制造方法的烧结温度较低,而可以 降低制造所需能源以及制造成本。此外,依照本发明的红光荧光材料的组成为氧化物,不含有化学稳定性差的硫化 物,所以此红光荧光材料具有优异的化学稳定性。即便长时间在紫外光的照射下、或是高温 的环境下使用,本发明的红光荧光材料都可拥有较长的使用寿命且得以广泛的应用。以下将列举三组依上述实施方式所制得的红光荧光材料,并将特性鉴定的结果示 于图2 图5,其中,图2为本发明较佳实施例的红光荧光材料的激发光谱图。图3为本发 明较佳实施例的红光荧光材料的放射光谱图。图4为本发明较佳实施例的红光荧光材料的 色度坐标示意图。图5为本发明较佳实施例的红光荧光材料的X射线绕射光谱图。此外, 更列举出两种商用红光荧光材料作为对照,进而清楚揭示本发明的功效。实施例1如图1所示,依化学剂量秤取钨酸钠(Na2WO4)、三氧化二铕(Eu2O3)以及磷酸氢 二胺((NH4)2HPO4)形成一混合物;接着,将此混合物经研磨30分钟后置于氧化铝坩锅上; 然后,将此坩锅置于高温炉中以600°C烧结8小时后,即可得到红光荧光材料Na2Eu(WO4) (PO4)。接着,对Na2Eu (WO4) (PO4)进行紫外光-可见光反射光谱分析、荧光光谱分析、色度 坐标分析以及X射线绕射分析,其中,荧光激发光谱分析的结果示于图2 ;荧光放射光谱分 析的结果示于图3 ;色度坐标分析的结果示于图4 ;X射线绕射分析的结果示于图5。详细而言,上述荧光光谱分析例如可透过分光荧光计(Spex Fluorolog-3spectrofluorometer, Instruments S. Α. , Edison, N. J. , U. S. Α.)提供不同波长的第一光线,而第一光线的波长范围涵盖360纳米(nm) 550纳米(nm)。使分光荧光 计所产生的第一光线经过待量测的红光荧光材料后,再以光电倍增管(photomultiplier, Hamamatsu Photonics R928)量测第一光线被吸收、或是红光荧光材料所激发出的第二光 线的强度。至于色度坐标的量测则是采用CIE1931的坐标系统,在本实施例中,色度坐标是 透过颜色分析仪(Color Analyzer)Laiko DT-100进行量测。请参照图2,实施例I(Na2Eu(WC)4) (PO4))的红色荧光材料的吸收光谱显示为图 中所示χ = 0处的吸收峰,实施例1的吸收光谱在近紫外光波长394士 lOnm、蓝光波长 465 士 IOnm以及黄绿光波长535 士 IOnm都有明显的吸收强度,尤其是在紫外光波长394nm 处具有最明显的吸收强度。此外,在250nm 350nm的吸收峰主要是电荷转移带(charge transfer band, C. Τ. B)导接着,请参考图3,实施例1 (Na2Eu (WO4) (PO4))的红色荧光材料的激发光谱显示为 图中所示χ = O处的放射峰,当以紫外光波长394nm的光线施加于实施例1的红光荧光材 料、并量测其激发光谱时,波长范围在580nm 720nm之间包含多个线状放射区(5Dtl — 7Fr J= 1,2,3,4),特别是,在位于614nm处的线状放射区,会有强度最高的激发光产生。在此要说明的是,上述四个线状放射区属于铕三价离子(Eu3+)从激发态跃迁回基 态的特征光谱(5Dtl — 7Fj, J = 1,2,3,4)。在实施例1 3的特征光谱中,强度较为明显的 两个线状放射区为5Dtl — 7F1与5Dtl — 7F2,其中,位于590nm的线状放射区5Dtl — 7F1的强度与 磁偶极迁移特性有关;而位于614nm的线状放射区5Dtl — 7F2的强度则与电偶极跃迁有关。由于在本发明的红光发光材料中,铕三价离子(Eu3+)占据了晶体中非反转对称的 晶格位置,因此增加了 4f — 4f电偶极跃迁的可能性,因此电偶极的发射强度将会变强,但 相对地磁偶极的发射强度将会变弱。总之,在实施例1的红光荧光材料中,可观察到主放射 峰为发射饱和度高的红光的5Dtl — 7F2跃迁。再来,请参考图4,此红光荧光材料的色度坐标可达到NTSC色坐标上(0. 66,0. 33) 的位置,亦即红光的色纯度可趋近于饱和红。另外,请参考图5,实施例1 (Na2Eu (WO4) (PO4))的红色荧光材料的X射线绕射分析 显示为图中所示X = 0处的波峰。由此X射线绕射分析可解析此红色荧光材料的晶格结构。实施例2类似于实施例1,按照图1所示的制造方法,依化学剂量秤取钼酸钠(Na2MoO4)、钨 酸钠(Na2WO4)、三氧化二铕(Eu2O3)以及磷酸氢二胺((NH4)2HPO4)形成一混合物;经研磨并 烧结此混合物后,可得实施例2的红光荧光材料Na2Eu (WO4) 0.5 (MoO4) 0.5 (PO4)。同样地,对实施例2的红光荧光材料进行特性鉴定且将结果表示于图2 图5。实 施例2的红光荧光材料(Na2Eu(WO4)0.5(MoO4)0.5(PO4))显示为χ = 0. 5处。值得注意的是,实施例2的特征在于,组成中的金属钼酸盐与金属钨酸盐的摩尔 比例为0.5 0.5。实施例2的红光荧光材料与实施例1的红光荧光材料的光谱特性类似, 在此不予以重述,两者差异仅在于波峰强度略有不同。特别是,在图3的放射光谱中,实施 例2 (Na2Eu (WO4) 0.5 (MoO4) 0.5 (PO4))放射的红光(波长为614nm处)的强度为最高。实施例3类似于实施例1,按照图1所示的制造方法,依化学剂量秤取钼酸钠(Na2MoO4)、三 氧化二铕(Eu2O3)以及磷酸氢二胺((NH4)2HPO4)形成一混合物;将此混合物经研磨与烧结后可得实施例3的红光荧光材料Na2Eu (MoO4) (PO4)。同样地,对实施例3的红光荧光材料(Na2Eu (MoO4) (PO4))进行特性鉴定并将结果 且将结果表示于图2 图5。实施例3的红光荧光材料(Na2Eu(MoO4) (PO4))显示为χ = 1 处。实施例3的红光荧光材料与实施例1的红光荧光材料的光谱特性类似,在此不予 以重述,两者差异仅在于波峰强度略有不同。由上述分析的结果,可以明显看出本发明实验 例1 3的红光荧光材料均对于特定波长范围的光线具有强吸收、且在波长为614nm的红 光区,具有很强的放射强度。承上述,本发明所提出的红光荧光材料能提供高色纯度、高辉度以及色饱和度佳 的红光。以下将针对本发明实施例1 3与市售的红光荧光材料(对照例1、对照例2)进 行比较以兹左证。经由实施例1中所述的测量仪器,以相同的条件对实施例1 3、对照例 进行量测并将其结果示于表一中。表一 请参照表一,其中,实施例1 3为本发明所提出的红光荧光材料;对照例1为市 售的红光荧光材料Kasei Optonix P22-RE3 (Y2O2SiEu3+);对照例2为市售的红光荧光材料 Kasei Optonix KX-681B,(La2O2SEu3+)。由表一可以明显看出,实施例1 3的色度坐标皆与对照例1相同,皆为(0. 66, 0. 33)。换言之,通过实施例1 3所述的红光荧光材料所得的红光,其色纯度可与商用品 一致、且趋近于NTSC所规范的纯红(0. 67,0. 33)。值得一提的是,实验例1 3的相对辉度皆大于对照例1 2,尤其是在实施例2 中,当钨与钼的摩尔比例为0.5 0.5时,其相对辉度为表一中最高的1.9 (cd/m2)。经由表 一的比较,可以得知本发明所提出的红光荧光材料,其所发出的红光不仅色纯度佳、且相对 辉度更高于现有的商用产品。白光发光装置图6为本发明较佳实施例的一种白光发光装置的示意图。请参照图6,白光发光装 置200包括发光二极管芯片210以及光致发光荧光体220。发光二极管芯片210放射出 第一光线Li,而光致发光荧光体220至少包括上述的红光荧光材料,其中,光致发光荧光体 220受到第一光线Ll的激发而放射出第二光线L2,且第一光线Ll与第二光线L2混光为白光。上述第一光线Ll的波长范围可介于360纳米(nm) 550纳米(nm)。当第一光线 Ll的波长范围为近紫外光波长394士 lOnm、蓝光波长465士 lOnm、或黄绿光波长535士 IOnm 时,可较佳地激发光致发光荧光体220 (至少包含上述的红光荧光材料),而使此光致发光荧光体220放出第二光线L2。此外,上述光致发光荧光体220可还包括黄光荧光材料(未绘示)、蓝光荧光材 料(未绘示)或绿光荧光材料(未绘示)。上述红光荧光材料适于与黄光荧光材料、蓝光荧 光材料及绿光荧光材料选择搭配使用。更详细而言,在白光发光装置200中,光致发光荧光体220可以单独是本发明所提 出的红光荧光材料、也可以是双荧光材料系统、甚至是多种荧光材料混合的系统。举例而 言,当光致发光荧光体220仅为本发明所提出的红光荧光材料时,发光二极管芯片210例如 可选用蓝绿光发光二极管,此时发光二极管芯片210所发出的第一光线Ll (蓝绿光)与红 光荧光材料所激发出的第二光线L2(红光),可混光为白光。若光致发光荧光体220为双荧光材料系统时,光致发光荧光体220例如是本发明 的红光荧光材料与另一黄光荧光材料的混合。此时,发光二极管芯片210可选用蓝光发光 二极管而发出第一光线Ll (蓝光);第二光线L2为红光与黄光的混光,在第一光线Ll与第 二光线L2混光后,即可产生白光。此外,光致发光荧光体220还可以是本发明的红光荧光材料、绿光荧光材料与蓝 光荧光材料的混合,而发光二极管芯片210可选用紫外光发光二极管。此时,发光二极管芯 片210所产生的第一光线Ll为紫外光,光致发光荧光体220所产生的第二光线L2即为蓝 光、绿光及红光,进而由紫外光、蓝光、绿光与红光混合成白光。由上述可知,白光发光装置200可以透过不同的荧光材料系统以及不同的发光二 极管组合以产生白光,具有本领域的通常知识者当可依其目的及考虑调整搭配与组合的方 式。综上所述,本发明所提出的红光荧光材料及其制造方法、白光发光装置至少具有 以下的优点由于红光荧光材料具有独特的晶体结构,而可产生高辉度及高色纯度的红光,以 改善白光的演色性。此外,由于本发明的红光荧光材料为氧化物,相对于含硫化物的荧光 粉,本发明具有良好的化学稳定性(耐水气、耐热)。再者,本发明所提出的红光荧光材料制 造方法,由于其烧结温度较低,可以减少能源的使用量。另外,本发明提出的白光发光装置 由于使用了上述红光荧光材料,可以增加白光发光装置的使用寿命及增广应用范围。虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域 中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明 的保护范围当视权利要求所界定者为准。
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权利要求
一种红光荧光材料,适于受到一第一光线激发而放射出一红光,其特征在于,该红光荧光材料的特征在于该红光荧光材料具有下列式(1)的化学式,A2Eu(MO4)(PO4) 式(1);其中,A表示锂、钠、钾、铷、铯或银;M表示钼、钨或钼与钨的组合(MoxW(1 x))。
2.如权利要求1所述的红光荧光材料,其特征在于,该第一光线的波长范围介于360纳 米 550纳米。
3.如权利要求1所述的红光荧光材料,其中,该第一光线的波长范围包括近紫外光波 长394 士 10nm、蓝光波长465 士 10nm、或黄绿光波长535 士 10nm。
4.如权利要求1所述的红光荧光材料,其特征在于,当M表示该钼与钨的组合 (Moxff(1_x))时,χ为摩尔分率,其值介于0 1之间。
5.如权利要求1所述的红光荧光材料,其中,该红光的色坐标可达(0.66,0.33),该红 光的相对辉度值为1. 5cd/m2 1. 9cd/m2。
6.一种红光荧光材料的制造方法,其特征在于,包括依化学剂量提供一混合物包括一三氧化二铕、一磷酸氢二胺,以及一金属钼酸盐、或 一金属钨酸盐或该金属钼酸盐与该金属钨酸盐的组合;混合并研磨该混合物;以及烧结该混合物,以得到该红光荧光材料。
7.如权利要求6所述的红光荧光材料的制造方法,其特征在于,混合并研磨该混合物 的时间为30分钟,烧结该混合物的温度为600°C,烧结该混合物的时间为6至10小时。
8.如权利要求6所述的红光荧光材料的制造方法,其特征在于,该红光荧光材料具有 下列式(1)的化学式,A2Eu (MO4) (PO4)-------式(1);其中,A表示锂、钠、钾、铷、铯或银;M表示钼、钨或钼与钨的组合(MoxW(1_x))。
9.如权利要求6所述的红光荧光材料的制造方法,其特征在于,还包括一特性鉴定步 骤,鉴定该红光荧光材料的物理及化学特性,该特性鉴定步骤包括X射线绕射分析、荧光光谱分析、色度坐标分析或紫外光_可见光反射光谱分析。
10.一种白光发光装置,其特征在于,包括一发光二极管芯片,放射出一第一光线;以及一光致发光荧光体,该光致发光荧光体至少包括如权利要求1所述的红光荧光材料;其中,该光致发光荧光体受到该第一光线的激发而放射出一第二光线,且该第一光线 与该第二光线混光为白光。
11.如权利要求10所述的白光发光装置,其特征在于,该第一光线的波长范围包括近 紫外光波长394 士 10nm、蓝光波长465 士 10nm、或黄绿光波长535 士 10nm。
12.如权利要求10或11所述的白光发光装置,其特征在于,该光致发光荧光体还包括一黄光荧光材料、一蓝光荧光材料或一绿光荧光材料;其中,该红光荧光材料适于与该黄光荧光材料、该蓝光荧光材料及该绿光荧光材料选 择搭配使用。
全文摘要
一种红光荧光材料,适于受到第一光线激发而放射出红光。此红光荧光材料的特征在于具有下列式(1)的化学式,A2Eu(MO4)(PO4)-式(1);其中,A表示锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)或银(Ag);M表示钼(Mo)、钨(W)或钼与钨的组合(MoxW(1-x))。此红光荧光材料可提供高辉度与良好色纯度的红光。此外,由于此红光荧光材料的组成为氧化物,所以,此红光荧光材料具有良好的化学稳定性及长的使用寿命。
文档编号F21Y101/02GK101892052SQ20091005143
公开日2010年11月24日 申请日期2009年5月18日 优先权日2009年5月18日
发明者莫启能, 邱创弘, 陈登铭 申请人:华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
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