专利名称：芯片刻蚀设备的下电极顶针的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种芯片刻蚀设备，具体涉及一种芯片刻蚀设备的下电极顶针。
背景技术：
在芯片刻蚀设备中，需要在工艺腔中设置下电极顶针，该下电极顶针作为晶片在 腔体间传送过程中上下顶放元晶的转送部件。现有的下电极顶针采用树脂材质。由于晶片在工艺传送过程中会产生物理磨损， 而在Dry clean (干洗)模式下Plasma (等离子体)也会对下电极顶针造成消耗，因此现有 的下电极顶针极易被磨损，而由于下电极顶针损耗的不平均又会导致腔体工艺时背压报警 频发。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种芯片刻蚀设备的下电极顶针，它可以 减少顶针的损耗。为解决上述技术问题，本实用新型芯片刻蚀设备的下电极顶针的技术解决方案 为包括圆盘形基座、顶针，圆盘形基座上固定设置有多个顶针，多个顶针相对于圆盘 形基座圆周均布；多个顶针的高度相等。所述圆盘形基座的中心设有一台阶孔和不少于一个通孔。所述台阶孔和通孔在同一直线上。本实用新型可以达到的技术效果是本实用新型能够提高下电极顶针的使用寿命，减少顶针的损耗，并能够降低生产 时由于顶针损耗不平均导致的故障率，提高相关机台的运行稳定性。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明
图1是本实用新型芯片刻蚀设备的下电极顶针的结构示意图。图中附图标记说明1为圆盘形基座，2为顶针，3为台阶孔， 4为通孔。
具体实施方式
如
图1所示，本实用新型芯片刻蚀设备的下电极顶针，包括圆盘形基座1、顶针2， 圆盘形基座1上固定设置有多个顶针2，多个顶针2相对于圆盘形基座1圆周均布；多个顶 针2的高度相等；圆盘形基座1的中心设有一台阶孔3，该台阶孔用于穿设固定螺栓；[0018]圆盘形基座1还设有两个通孔4，用于穿设定位螺栓。两个通孔4及台阶孔3在同一直线上。下电极顶针采用陶瓷材料制成。由于陶瓷材料是电与热的绝缘体，可以避免在Dry clean时导致的电弧放电；且由于陶瓷材料的耐磨性和耐腐蚀性，相比于树脂材料有更长 的使用周期和更高的稳定性。
权利要求1.一种芯片刻蚀设备的下电极顶针，其特征在于包括圆盘形基座、顶针，圆盘形基座 上固定设置有多个顶针，多个顶针相对于圆盘形基座圆周均布；多个顶针的高度相等。
2.根据权利要求1所述的芯片刻蚀设备的下电极顶针，其特征在于所述圆盘形基座 的中心设有一台阶孔和不少于一个通孔。
3.根据权利要求2所述的芯片刻蚀设备的下电极顶针，其特征在于所述台阶孔和通 孔在同一直线上。
专利摘要本实用新型公开了一种芯片刻蚀设备的下电极顶针，包括圆盘形基座、顶针，圆盘形基座上固定设置有多个顶针，多个顶针相对于圆盘形基座圆周均布；多个顶针的高度相等。本实用新型能够提高下电极顶针的使用寿命，减少顶针的损耗，并能够降低生产时由于顶针损耗不平均导致的故障率，提高相关机台的运行稳定性。
文档编号H01J37/32GK201877401SQ20102064547
公开日2011年6月22日 申请日期2010年12月7日 优先权日2010年12月7日
发明者孙希, 潘敬桢 申请人:上海华虹Nec电子有限公司