专利名称：一种耦合腔行波管吸收器结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及真空电子器件领域，尤其涉及一种耦合腔行波管吸收器结构。
背景技术：
在大功率行波管中，由于散热问题不能很好的解决，螺旋线及其变态系统的应用受到了限制。这时一般都采用各种周期性加载的波导系统。一些周期性加载波导系统，从谐振腔的观点来看，可以当作是耦合腔链。这些耦合腔慢波系统可以工作在很高的脉冲功率电平上，也可以工作在很高的平均功率电平上。在现代实用的大功率行波管中，绝大部分都是耦合腔行波管。现代耦合腔行波管一般都要求具有(30 50)dB的放大增益，这么高的增益下，即使管内微小的反射就能引起自激振荡，而行波管的输入端和输出端的反射一般很难完全消除。因此抑制自激振荡成为行波管研制过程中的重要课题。为了消除自激振荡，提高行波管的工作稳定性，必须在管内设置集中衰减器即吸收器来切断反馈途径。有了吸收器以后，行波管的稳定性就大为提高，目前增益高达60dB 以上的行波管也能成功研制。在大功率耦合腔行波管中，一般利用陶瓷体吸收器作为管内的吸收器。体吸收器就根据耦合腔腔体的大小来设计制作并焊接到耦合腔里。在传统的耦合腔行波管中，慢波系统都是被体吸收器分隔成几段。体吸收器都是根据耦合腔的大小进行设计并焊接在腔体内。这一常用结构对吸收器材料提出了很高的要求。第一，要求吸收器陶瓷材料具有很大的衰减系数，能够在有限的体积内将反射信号完全吸收；第二，要求吸收器能与慢波系统很好的匹配，能够达到很小的电压驻波比；第三，要求吸收器陶瓷材料具有很大的导热系数， 能够快速的将热量导出管外，不致引起管内的过热；第四，要求吸收器材料具有合适的热膨胀系数，能够与耦合腔所用的材料钎焊而不致引起材料出现裂纹和应力变形；第五，要求吸收器具有良好的真空性能，在排气和工作过程中所产生的高温环境下，具有小的放气率。
实用新型内容本实用新型目的是提供一种耦合腔行波管吸收器结构，可以降低耦合腔行波管对吸收器陶瓷材料的过于苛刻的要求，并降低行波管研制成本。为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案为一种耦合腔行波管吸收器结构，包括有耦合腔行波管，所述行波管的耦合腔中间有切断处，其特征在于从行波管的耦合腔切断处中两个相邻耦合腔分别向外延伸构成两个相邻的波导，所述波导中分别设置有楔形的陶瓷体吸收器，所述陶瓷体吸收器分别通过焊接层焊接在两相邻波导的公共边壁上，且两相邻波导中的陶瓷体吸收器彼此对称。本实用新型将慢波系统耦合腔行波管切断处通过波导引出到管外，就像慢波系统耦合腔行波管与输入输出波导系统的连接一样。在切断出引出的波导内焊接一段渐变型陶瓷体吸收器，这样即可以获得很好的匹配，也可以将陶瓷体吸收器的体积做的较大，增加吸收率，还可以利用陶瓷体吸收器直接与行波管外的铜焊接，大大提高了陶瓷体吸收器的导热效果。
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
如图1所示。一种耦合腔行波管吸收器结构，包括有耦合腔行波管，行波管的耦合腔中间有切断处1，从行波管的耦合腔切断处1中两个相邻耦合腔2、3分别向外延伸构成两个相邻的波导4、5，波导4、5中分别设置有楔形的陶瓷体吸收器6、7，陶瓷体吸收器6、7分别通过焊接层焊接在两相邻波导4、5的公共边壁8上，且两相邻波导4、5中的陶瓷体吸收器6、7彼此对称。本实用新型在耦合腔行波管的切断处，通过一个波导耦合机构将耦合腔的腔体延伸构成波导，其结构如同耦合腔行波管的慢波输入输出处一样。在波导里焊接了一片楔形陶瓷体吸收器。陶瓷体吸收器的材料可以是打02或々1^等。陶瓷体吸收器的一侧进行金属化处理，并与波导之间的公共边壁进行面钎焊焊接。波导与陶瓷体吸收器进行焊接的面应该采用铜等导热系数十分良好的材料作为焊接层，以利于陶瓷体吸收器的散热。在行波管的切断处，两片陶瓷体吸收器对称焊接在波导公共边壁上，这样能够消除波导公共边壁上产生的应力集中而导致的结构改变。同时也保证了在钎焊和排气等高温环境下，陶瓷体吸收器与慢波系统的匹配性能不发生变化，保证了行波管装管的合格率。
权利要求1. 一种耦合腔行波管吸收器结构，包括有耦合腔行波管，所述行波管的耦合腔中间有切断处，其特征在于从行波管的耦合腔切断处中两个相邻耦合腔分别向外延伸构成两个相邻的波导，所述波导中分别设置有楔形的陶瓷体吸收器，所述陶瓷体吸收器分别通过焊接层焊接在两相邻波导的公共边壁上，且两相邻波导中的陶瓷体吸收器彼此对称。
专利摘要本实用新型公开了一种耦合腔行波管吸收器结构，利用波导将行波管切断处的微波信号引出到行波管外，在波导内焊接渐变的陶瓷体吸收器来获得良好的匹配，加大了陶瓷体吸收器材料的利用量，提高了吸收率，同时采用陶瓷体吸收器与铜直接焊接，提高了散热效果。本实用新型简单易行，能满足广大设计人员的需求。
文档编号H01J23/30GK201946561SQ20102067176
公开日2011年8月24日 申请日期2010年12月21日 优先权日2010年12月21日
发明者余峰, 吴华夏, 江祝苗, 王昊 申请人:安徽华东光电技术研究所