一种wlcsp封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片及制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片，由金属基胎体和金刚石颗粒组成，按重量百分比，该金刚石切割片中金刚石浓度为15～40wt％，粒径为5～30μm。按质量百分比，金属基胎体的组成和含量如下：铜粉55～70％、锡粉25～40％、镍粉5～15％、石墨1～10％。本发明还公开了将上述金刚石切割片通过混料-冷压成型-热压烧结-机械加工进行制备的工序，可以满足WLCSP封装芯片切割品质要求，切割速度快效率高，同时不存在断刀现象，原料来源广泛，适用于现代化工业生产。
【专利说明】—种WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片及制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于超精密切割【技术领域】，用于超硬材料制品或工具制造行业，特别涉及WLCSP封装芯片分割时使用的一种超薄金属基金刚石切割片及其制备方法。
【背景技术】
[0002]2000年颁布《关于鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》以来，半导体集成电路产业得到快速发展，产业规模迅速扩大，特别是IC封测服务业的规模和技术创新能力也随之逐年提高国内半导体行业迅猛发展，国内封装企业主要集中在长三角地带，超薄切割片主要依赖DI SCO、ADMAS等公司进口，每年市值约4?6亿人民币，受研发能力和生产能力的制约，国内尚无切割片可以满足要求。
[0003]晶圆片级芯片规模封装(WaferLevel Chip Scale Packaging,简称 WLCSP),即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20 %的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP的封装方式，不仅明显地缩小内存模块尺寸，而符合行动装置对于机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输的速度与稳定性。
[0004]晶圆级芯片规模封装技术，融合薄膜无源器件技术及大面积规格制造技术能力，不仅提供节省成本的解决办法，而且提供与现存表面贴装组装过程相符合的形状因素。芯片规模封装技术既提供性能改进路线图，又降低了集成无源器件的尺寸。
[0005]封装出来的产品直径主要有3inch、6inch、8inch，直径为12inch的晶圆产品也即将投入市场，厚度一般在350±30 μ m,若干个管芯纵横整齐地排列在一起,且机械上未划开。晶粒的分层:玻璃、金属、氧化矽、铝、复晶矽等。因其价格昂贵，且切割要求十分苛刻，基本不容许有崩边和崩角，所以国内企业一直无法开发出该类切割刀片。
【发明内容】
[0006]本发明目的是针对WLCSP封装芯片封装产品，开发研制一种专用超薄金属基金刚石切割片。其技术原理是设定金刚石浓度15?40%和粒径5?30 μ m条件下，并辅以相适应的强度、晶形及热稳性等品级保证。该切割片能够很好的保持刃口切割形貌，在满足芯片加工质量的前提下，具有把持力强、出刃度高及使用寿命长等特点。
[0007]本发明的技术方案是:一种WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片，由金属基胎体和金刚石颗粒组成，按重量百分比，该金属基金刚石切割片中金刚石浓度为15?40%、粒径为5?30 μ m，金属基胎体的组成和含量如下:
[0008]
【权利要求】
1.一种WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片，由金属基胎体和金刚石颗粒组成，其特征在于:按重量百分比，该金属基金刚石切割片中金刚石浓度为15~40%、粒径为5~30 μ m，所述金属基胎体的组成和含量如下:铜粉SS~70%锡粉25~40?/?镍粉S~IS%石墨1~10% 上述百分数为质量百分数。
2.根据权利要求1所述的一种WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片，其特征在于，所述铜粉的粒径为10~15 μ m，其中铜含量大于等于99.6%，采用电解法制得。
3.根据权利要求1所述的一种WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片，其特征在于，所述锡粉的粒径为10~15 μ m，其中锡含量大于等于99.9%。
4.根据权利要求1所述的一种WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片，其特征在于，所 述的超薄金属基金刚石切割片用于WLCSP封装芯片切割。
5.如权利要求1~4任意一项所述的WLCSP封装芯片专用超薄金属基金刚石切割片的制备方法，其特征在于包括如下步骤: (1)混料:将精确称重的铜粉、锡粉、镇粉、石墨、金刚石放入混料机内，混合I~2小时，过120#筛后置入容器备用，如颗粒不均匀，继续混合I~2小时，过筛备用； (2)冷压成型:将备料缓慢投入模具，并用刮刀轻轻刮平，连同模具放置于液压机平台，并施加压力3.0*103~5.5*13MPa制得成形压坯； (3)热压烧结:将压制好的坯体放置入烧结炉内，升温速度60~80°C/min，升温至最终烧结温度400°C~600°C，保温I~2小时，随炉冷却至室温取出，去毛刺后备用； (4)机械加工:将检查合格的坯体加工成切割片； (5)检验:根据广品检验标准检验； (6)入库。
【文档编号】B23P15/28GK104029299SQ201410247863
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年6月5日 优先权日:2014年6月5日
【发明者】冉隆光, 李威 申请人:苏州赛尔科技有限公司