一种半导体焊接进炉工装的制作方法

1.本实用新型涉及半导体半成品焊接的技术领域，特别涉及一种半导体焊接进炉工装。


背景技术：

2.总所周知，在半导体（二极管、整流桥等）生产制造过程中，往往需要焊接工序，把内部电路用锡膏、银浆等材料进行焊接。传统的焊接工艺有2种，第一种工艺为直接在焊接隧道炉的链条上放置组装好的半成品进炉焊接，这种焊接工艺只有框架进炉隧道炉，相对会省电，但是只能一条一条的进入，效率相当慢，生产成本大。另一种工艺为使用石墨舟，把组装好的半成品放在石墨舟内，然后堆叠多层摆放在焊接隧道炉的链条上进入焊接隧道炉进炉焊接，这种焊接工艺可以多层堆叠，所以生产效率相对第一种工艺会快很多，但是由于石墨舟比较脆，为了防止打烂，所以通常会做得比较厚，且石墨舟的热容量也相对比较大，在进炉过程中会带走焊接隧道炉内相当一部分的热量，导致用电量会增加，生产成本大。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于克服上述两种传统焊接工艺成本高的不足,而提供一种结构简单、合理、可以多层堆叠、生产效率高且省电的新型进炉工装。
4.本实用新型的目的是这样实现的：
5.一种半导体焊接进炉工装，包括外框架和多根支撑隔条，所述外框架内为镂空区域，所述多根支撑隔条设于外框架的镂空区域上，支撑隔条的端部与外框架连接，所述外框架的顶部和底部分别设有上卡口和下卡口,所述上卡口和下卡口内外错位。多个本实用新型半导体焊接进炉工装堆叠时，每个半导体焊接进炉工装上都安装有多个半导体半成品，上下相邻的两个半导体焊接进炉工装的上卡口和下卡口上下卡合，实现相对固定，从而使得多个半导体焊接进炉工装能够多层堆叠进入焊接隧道炉，因此本实用新型的生产效率高。另外，本实用新型除外框架和支撑隔条外，其余空隙镂空，从而降低了工装吸热，进而降低用电成本。
6.本实用新型还可以作以下进一步改进。
7.所述多根支撑隔条并列设置且间隔设于外框架的镂空区域上。
8.所述上卡口是外框架的顶部的上缺口，所述下卡口是外框架的底部的下缺口。
9.所述外框架是由不锈钢制成的，不锈钢条的耐高温性能好。
10.所述外框架呈方形状，所述外框架是由第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架依次连接构成，所述第一支架与第三支架相对，第二支架与第四支架相对。
11.所述外框架呈方形状，所述外框架上的两个对角连接有斜固定架，斜固定架增加本实用新型的外框架的牢固性。
12.所述第二支架和第四支架上分别设有前卡槽和后卡槽，所述支撑隔条的两端分别卡接于前卡槽和后卡槽上。
13.所述第一支架和第三支架的断面呈ㄣ状。
14.所述第一支架的顶部和底部分别设有所述上卡口和所述下卡口，所述第三支架上的顶部和底部也分别设有所述上卡口和所述下卡口。
15.本实用新型的有益效果如下：
16.（一）本实用新型半导体焊接进炉工装的外框架的顶部和底部分别设有上卡口和下卡口，因此本实用新型的半导体焊接进炉工装可以上下堆叠，上下堆叠的两个半导体焊接进炉工装通过上卡口和下卡口上下卡合，实现相对固定，从而使得多个半导体焊接进炉工装能够多层堆叠进入焊接隧道炉，因此本实用新型的生产效率高。
17.（二）本实用新型的外框架和支撑隔条均采用不锈钢条或其他耐高温材料，除外框架和支撑隔条外，其余空隙镂空，从而降低了工装吸热，进而降低用电成本。
附图说明
18.图1是本实用新型半导体焊接进炉工装俯视图。
19.图2是本实用新型的第一支架的主视图。
20.图3是本实用新型的第一支架的俯视图。
21.图4是本实用新型的第四支架的主视图。
22.图5是本实用新型的第四支架的俯视图。
23.图6是多个本实用新型半导体焊接进炉工装堆叠后(省略支撑隔条)的结构示意图。
具体实施方式
24.下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。
25.实施例一，如图1至图6所示，一种半导体焊接进炉工装，包括外框架1和多根支撑隔条6，所述外框架1内为镂空区域11，所述多根支撑隔条6设于外框架1的镂空区域11上，支撑隔条6的端部与外框架1连接，所述外框架1的顶部和底部分别设有上卡口31和下卡口32,所述上卡口31和下卡口32内外错位。
26.作为本实用新型更具体的技术方案。
27.所述多根支撑隔条6并列设置且间隔设于外框架1的镂空区域11上。
28.所述上卡口31是外框架1的顶部的上缺口，所述下卡口32是外框架1的底部的下缺口。
29.所述外框架1是由不锈钢制成的。
30.所述外框架1呈方形状，所述外框架1是由第一支架2、第二支架3、第三支架4以及第四支架5依次连接构成，所述第一支架2与第三支架4相对，第二支架3与第四支架5相对。所述第一支架2、第二支架3、第三支架4以及第四支架5呈条状。
31.所述外框架1呈方形状，所述外框架1上的两个对角连接有斜固定架7。
32.所述第二支架3和第四支架5上分别设有前卡槽41和后卡槽51，所述支撑隔条6的两端分别卡接于前卡槽41和后卡槽51上。
33.所述第一支架2和第三支架4的断面呈ㄣ状。
34.所述第一支架2的顶部和底部分别设有所述上卡口31和所述下卡口32，所述第三
支架4上的顶部和底部也分别设有所述上卡口31和所述下卡口32。
35.本实用新型使用时，工人在多个半导体焊接进炉工装的支撑隔条上安装上多个半导体半成品。然后工人将装有半导体半成品的多个半导体焊接进炉工装由下往上堆叠在一起，上层的半导体焊接进炉工装堆叠在中间的半导体焊接进炉工装的顶部，下层的半导体焊接进炉工装堆叠在中间的半导体焊接进炉工装的底部，具体的是，上层的半导体焊接进炉工装的外框架的下卡口32卡在中间的半导体焊接进炉工装的外框架的上卡口31上，中间的半导体焊接进炉工装的外框架的下卡口32卡在下层的改进型焊接进炉工的外框架的上卡口31，从而实现多个半导体焊接进炉工装的堆叠在一起，堆叠后的多个半导体焊接进炉工装再一起进入焊接隧道炉，因此本实用新型的生产效率高。


技术特征：
1.一种半导体焊接进炉工装，其特征是，包括外框架和多根支撑隔条，所述外框架内为镂空区域，所述多根支撑隔条设于外框架的镂空区域上，支撑隔条的端部与外框架连接，所述外框架的顶部和底部分别设有上卡口和下卡口,所述上卡口和下卡口内外错位。2.根据权利要求1所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述多根支撑隔条并列设置且间隔设于外框架的镂空区域上。3.根据权利要求1所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述上卡口是外框架的顶部的上缺口，所述下卡口是外框架的底部的下缺口。4.根据权利要求3所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述外框架是由不锈钢制成的。5.根据权利要求3所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述外框架呈方形状，所述外框架是由第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架依次连接构成，所述第一支架与第三支架相对，第二支架与第四支架相对。6.根据权利要求5所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述外框架呈方形状，所述外框架上的两个对角连接有斜固定架。7.根据权利要求5所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述第二支架和第四支架上分别设有前卡槽和后卡槽，所述支撑隔条的两端分别卡接于前卡槽和后卡槽上。8.根据权利要求5所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述第一支架和第三支架的断面呈ㄣ状。9.根据权利要求8所述半导体焊接进炉工装，其特征是，所述第一支架的顶部和底部分别设有所述上卡口和所述下卡口，所述第三支架上的顶部和底部也分别设有所述上卡口和所述下卡口。

技术总结
本实用新型涉及一种半导体焊接进炉工装。它包括外框架和多根支撑隔条，所述外框架内为镂空区域，所述多根支撑隔条设于外框架的镂空区域上，支撑隔条的端部与外框架连接，所述外框架的顶部和底部分别设有上卡口和下卡口,所述上卡口和下卡口内外错位。本实用新型半导体焊接进炉工装的外框架的顶部和底部分别设有上卡口和下卡口，因此本实用新型的半导体焊接进炉工装可以上下堆叠，上下堆叠的两个半导体焊接进炉工装通过上卡口和下卡口上下卡合，实现相对固定，从而使得多个半导体焊接进炉工装能够多层堆叠进入焊接隧道炉，因此本实用新型的生产效率高。的生产效率高。的生产效率高。


技术研发人员：李泽文 徐海洪
受保护的技术使用者：佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司
技术研发日：2020.12.24
技术公布日：2021/12/10