半导体装置的制造方法以及层叠体与流程

本发明涉及半导体装置的制造方法、以及半导体装置的制造方法所使用的层叠体。

背景技术：

作为在硅基板上形成有半导体电路的半导体芯片等半导体装置的制造工艺，已知有被称为dbg(dicingbeforegrinding：先切割后磨削)的方法。dbg是如下的方法：将与完工厚度相当的深度的槽形成于晶圆的间隔道(street)，对晶圆的背面进行磨削，从而使之前形成的槽从晶圆的背面露出而将晶圆分割为各个半导体芯片。

出于增加来自一张晶圆的芯片的获取数量等目的，也提出了被称为sdbg(stealthdicingbeforegrinding：磨削前隐形切割)的方法。sdbg是指如下的加工方法：将相对于晶圆具有透过性的波长的激光的聚光点定位于晶圆内部，沿着分割预定线向晶圆照射激光，在晶圆内部形成基于多光子吸收的改性层之后，对晶圆的背面侧进行磨削而使晶圆变薄，并且以改性层为分割起点将晶圆分割为各个半导体芯片。

如sdbg那样，若使用被分割后的晶圆中的芯片之间的间隙变得非常小的加工方法，则有时会在被单片化的半导体芯片产生缺口、裂纹。因此，例如，在专利文献1中，提出了在晶圆表面的分割预定线的各交叉点设置由金属膜等构成的缺口防止层的方案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-6653号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

但是，对芯片尺寸的小型化的要求越来越高，随着半导体芯片的小型化，半导体芯片的裂纹、缺口的问题变得显著。根据本发明人的研究，判明了如下情形：在使用利用dbg极力减小由切割形成的间隙的方法、如sdbg那样在晶圆的分割时刻使相邻的芯片之间的间隔实质上为零那样的方法的情况下，若芯片尺寸小型化，则因相邻的芯片彼此的接触而导致的裂纹、缺口的问题变得更显著。因此，寻求一种能够更有效地防止芯片的缺口、裂纹的新型且有用的半导体装置的制造方法。

鉴于上述问题，本发明的课题在于提供一种半导体装置的制造方法、以及适于该制造方法的层叠体，即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。

用于解决课题的方案

本发明人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，通过基于晶圆的单片化预定区域适当地设定粘贴于晶圆的电路层形成面的粘合片的粘贴方向，能够解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明提供以下的[1]～[6]。

[1]一种半导体装置的制造方法，是平面形状为矩形的半导体装置的制造方法，其中，

在包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域的晶圆的表面，沿着所述单片化预定区域的短边方向粘贴粘合片，

对粘贴有所述粘合片的晶圆的背面进行磨削，并且沿着划定所述单片化预定区域的分割预定线对所述晶圆进行分割。

[2]根据上述[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

在将所述粘合片粘贴于所述晶圆的表面之后，在与所述分割预定线对应的平面位置处的所述晶圆的内部，形成成为分割的起点的改性部，

对粘贴有所述粘合片的所述晶圆的背面进行磨削，沿着所述分割预定线对所述晶圆进行分割。

[3]根据上述[1]或[2]所述的半导体装置的制造方法，其中，所述单片化预定区域的、用长边方向上的长度/短边方向上的长度表示的纵横比为1.05以上。

[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述单片化预定区域的长边方向上的长度为5～50mm，短边方向上的长度为2～20mm。

[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在磨削后的所述晶圆的背面粘贴转印片，

在所述转印片粘贴后，将所述粘合片从所述晶圆分离。

[6]一种层叠体，其中，所述层叠体具备：

晶圆，所述晶圆包含排列成矩阵状的多个矩形的单片化预定区域；以及

粘合片，所述粘合片在沿着所述单片化预定区域的短边方向施加了张力的状态下，粘贴于所述晶圆的表面。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种半导体装置的制造方法、以及适于该制造方法的层叠体，即便在相邻的单片化后的芯片之间的距离小的情况下，也不易在制造工序中在芯片上产生裂纹、缺口。

附图说明

图1是形成有电路层的晶圆、在该晶圆的电路层上粘贴有粘合片的层叠体、以及通过使用该层叠体对晶圆进行加工而得到的作为半导体装置的半导体芯片的示意性的剖视图。

图2是表示粘合片向晶圆的粘贴方向与晶圆上的单片化预定区域之间的关系的说明图。

图3是表示层叠体的制造工序的示意性的剖视图。

图4是表示半导体装置的制造工序的示意性的剖视图。

图5是表示半导体装置的制造工序的示意性的剖视图。

图6是将在本发明的实施例的半导体装置的制造方法中使用的晶圆与在比较例的半导体装置的制造方法中使用的晶圆进行对比而表示的示意性的俯视图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式(以下，有时称为“本实施方式”)进行说明。

[晶圆、层叠体以及半导体装置]

通过本实施方式的半导体装置的制造方法制造的半导体装置具备晶圆部分和形成于其表面的电路部，平面形状为矩形。在本说明书中，“半导体装置”是指处理器、存储器、传感器等所使用的、能够通过利用半导体特性而发挥功能的所有装置。具体而言，可以列举具备集成电路的晶圆、具备集成电路的薄化后的晶圆、具备集成电路的芯片、具备集成电路的薄化后的芯片、包括这些芯片的电子部件、以及具备该电子部件的电子器件类等。也包括封装前的芯片。

半导体装置通过将在表面设置有电路层的晶圆单片化来获得。

另外，在将设置有电路层的晶圆加工为半导体装置的工序中，使用在晶圆的电路层形成面粘贴有粘合片的层叠体。

以下，使用附图对本发明的实施方式的晶圆、层叠体以及半导体装置进行说明。

图1是形成有电路层的晶圆、在该晶圆的形成有电路层的面上粘贴有粘合片的层叠体、以及通过对上述晶圆进行加工而得到的作为半导体装置的半导体芯片的示意性的剖视图。

如图1(a)所示，首先，通过包含光刻法的半导体形成工艺，准备在表面形成有电路层c的晶圆w。

接着，如图1(b)所示，在晶圆w的形成有电路层c的面上粘贴粘合片1，得到层叠体10。

进而，如图1(c)所示，根据需要对晶圆w的背面进行磨削，并且沿着划定单片化预定区域的分割预定线对晶圆w进行分割，由此形成单片化后的晶圆wi。这样，将具有电路层c的晶圆w单片化为多个，得到作为半导体装置的半导体芯片cp。关于单片化预定区域，将在后面详细说明。

<晶圆>

晶圆w是通过将高纯度的单晶硅切成圆盘状而制成的。晶圆w的直径并不限于此，例如为12英寸。

电路层c是包括通过半导体制造工艺形成于晶圆w的表面的半导体电路在内的层。

半导体工艺包括在硅片上通过溅射、电镀、cvd等对作为电路的原材料的氧化硅、铝等进行薄膜形成后，通过光刻法形成半导体电路的工序。

光刻法具有：利用抗蚀剂膜覆盖形成在硅片上的上述薄膜的工序；经由形成有电路图案的掩模对上述抗蚀剂膜照射uv光的工序；对上述抗蚀剂膜中的未固化的部分进行显影而选择性地除去的工序；对通过显影而露出的薄膜进行蚀刻而除去的工序；向通过蚀刻而露出的硅基板注入磷、硼等杂质而赋予半导体特性的工序；通过使用闪光灯、激光照射等的热处理使杂质离子活性化的工序；以及将抗蚀剂膜剥离的工序。

<半导体装置>

作为一例，晶圆w被分割为俯视时的尺寸分别为12mm×6mm左右的大小的多个半导体芯片。在分割为该尺寸的情况下，从直径12英寸的晶圆得到约1000个半导体芯片。

如上所述，作为半导体装置的半导体芯片具备源自晶圆w的晶圆部分和源自形成于其表面的电路层c的电路部。

通过本实施方式的半导体装置的制造方法得到的半导体芯片具有矩形的平面形状。因此，能够对半导体芯片赋予各种功能，或者容易地掌握半导体芯片的上下。

<层叠体>

层叠体10在形成有电路层c的晶圆w的表面粘贴有粘合片1。

(粘合片)

粘合片1是包括基材层和层叠在该基材层上的粘合剂层的层叠体，典型的是包括基材层、设置在基材层的至少一个面侧的缓冲层、以及设置在基材层的另一个面侧的粘合剂层的层叠体。粘合片1能够包括这些以外的其他结构层，例如，可以在粘合剂层侧的基材表面形成底涂层，也可以在粘合剂层的表面层叠用于保护粘合剂层直至使用时为止的剥离片。另外，基材可以是单层，也可以是多层。缓冲层和粘合剂层也同样。粘合片1以粘合片1的粘合剂层与晶圆w的电路层c接触的方式粘贴于晶圆w，从而粘合片1起到作为保护晶圆w的电路层c的保护膜的作用。

(基材层)

基材层的材质并不特别限定，与纸或无纺布相比尘垢产生少，因此适合于电子部件的加工部件，从容易获得的观点出发，优选为树脂膜。通过使粘合片具有基材层，能够提高粘合片的形状稳定性、或对粘合片赋予韧性。另外，即便在晶圆w的电路层c的凹凸大的情况下，也容易将与粘合片的粘贴面相反的面保持为平滑。

基材层可以是由用一个树脂膜形成的单层膜构成的基材层，也可以是由多个树脂膜层叠而成的多层膜构成的基材层。

从对粘合片赋予适当的弹力的观点、以及粘合片的卷绕时的操作性的观点出发，基材层的厚度优选为5～250μm、更优选为10～200μm、进一步优选为25～150μm。

作为可以用于基材层的树脂膜，例如，可以列举聚烯烃系膜、卤化乙烯聚合物系膜、丙烯酸树脂系膜、橡胶系膜、纤维素系膜、聚酯系膜、聚碳酸酯系膜、聚苯乙烯系膜、聚苯硫醚系膜、环烯烃聚合物系膜、以及由包含聚氨酯树脂的能量射线固化性组合物的固化物构成的膜。

用于基材层的聚酯系膜可以是由聚酯的共聚物构成的膜，也可以是由上述聚酯与比较少量的其他树脂的混合物构成的树脂混合膜。在这些聚酯系膜中，从容易获得、厚度精度高的观点出发，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。

(粘合剂层)

设置在基材层或中间层上的粘合剂层通过将粘合片可靠地固定于晶圆w的电路层c来保护电路层c。

粘合剂层包含粘合剂。作为粘合剂，例如，可以列举丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚乙烯醚系粘合剂、烯烃系粘合剂等。这些粘合剂也可以使用一种或组合使用两种以上。

粘合剂层的厚度可以根据作为保护对象的电路层的凹凸的大小适当调整，优选为5～200μm、更优选为7～150μm、进一步优选为10～100μm。

(中间层)

中间层并不特别限定，从得到良好的凹凸吸收性的观点出发，优选由包含聚氨酯(甲基)丙烯酸酯及含有硫醇基的化合物的树脂组合物形成。

中间层的厚度可以根据作为保护对象的半导体表面的凹凸的大小适当调整，从能够吸收比较大的凹凸的观点出发，优选为50～400μm、更优选为70～300μm、进一步优选为80～250μm。

(粘合片的粘贴方向)

图2是表示粘合片1向晶圆w的粘贴方向与晶圆w上的单片化预定区域r之间的关系的说明图。

如图2(a)所示，在晶圆w的表面，形成有表示对晶圆w的处理、加工的基准方向的v凹口wv、以及设置在由分割预定线e规定的各个单片化预定区域r内的半导体电路。半导体电路以v凹口wv所示的方向为基准而形成。另外，后述的粘合片的贴合也以v凹口wv所示的方向为基准而进行。

在此，单片化预定区域r在俯视时为矩形。划定单片化预定区域r的分割预定线e是假想的，只要以不跨越分割预定线e的方式形成各个电路即可，不需要在晶圆w的表面、电路层c物理地形成划定单片化预定区域r的分割预定线e。但是，为了容易识别单片化预定区域r、或使晶圆w的分割顺畅地进行，也可以通过光刻法预先形成成为分割预定线e的加工槽等。

通过将单片化预定区域r设为矩形，最终得到的半导体芯片的形状也成为矩形。

在图2(a)所示的例子中，以各单片化预定区域r的短边方向d2与v凹口wv所示的方向d3(以下，也称为纵向)一致的方式形成有电路层c的各电路。由此，单片化预定区域的长边方向d1与正交于v凹口wv所示的方向d3的方向(以下，也称为横向)一致。

对于单片化预定区域r的长边方向上的长度而言，从容易抑制制造工序中的半导体芯片的缺口、裂纹、并且容易对半导体芯片赋予各种功能的观点出发，优选为5～50mm、更优选为7～40mm、进一步优选为10～30mm。

对于单片化预定区域r的短边方向上的长度而言，从提高处理的容易性、或容易对半导体芯片赋予所需最低限度的功能的观点出发，优选为2～20mm、更优选为3～18mm、进一步优选为4～15mm。

对于单片化预定区域r的、用长边方向上的长度与短边方向上的长度的比率(长边方向上的长度/短边方向上的长度)表示的纵横比而言，从适当地保持制造工序中的半导体芯片的缺口、裂纹的抑制性和对半导体芯片的功能的赋予性的平衡的观点出发，优选为1.05以上、更优选为1.10以上、进一步优选为1.15以上，另外，优选为10以下、更优选为7.0以下、进一步优选为5.0以下。

需要说明的是，在本实施方式中，如后所述，在制造半导体装置时，利用sdbg将晶圆w分割，因此，相邻的芯片之间的距离实质上为零。因此，单片化预定区域r的纵向以及横向上的长度与半导体芯片的纵向以及横向上的长度一致。

需要说明的是，既可以不在单片化预定区域r以外设置半导体电路，也可以在单片化预定区域外也设置不使用的半导体电路作为虚拟电路。

如图2(b)所示，粘合片1具有能够覆盖晶圆w的整个表面的长度和宽度。在使用直径12英寸的晶圆w的情况下，作为粘合片1，例如，可以使用宽度400mm的长条的粘合片。需要说明的是，在图2(b)中，为了容易理解，用细线表示被粘合片1覆盖的晶圆w和其单片化预定区域r。作为粘合片1，如果使用具有透光性的粘合片，则能够隔着粘合片1确认单片化预定区域r的形状和排列方向。

在粘贴粘合片1时，以v凹口wv所示的方向d3为基准，在贴合装置上设置晶圆w。此时，以粘贴装置的粘合片1的粘贴方向d4沿着v凹口wv所示的方向d3的方式设置晶圆w。由此，在本实施方式中，单片化预定区域r的短边方向d2沿着v凹口wv所示的方向d3。

在粘合片1被粘贴在晶圆w的电路层c上之后，根据需要，将从晶圆w伸出的粘合片1切断而除去。如后所述，若通过一边以消除粘合片1的挠曲的方式施加张力一边进行粘贴的方法等来粘贴粘合片1，则在沿着粘合片1的粘贴方向d4施加了张力的状态下将粘合片1粘贴在电路层c上。由此，在沿着单片化预定区域r的短边方向d2的方向上施加有张力的状态下形成层叠体10。

在此，粘合片的粘贴方向d4被设定为沿着v凹口wv所示的方向d3(即，在本例中为单片化预定区域r的短边方向d2)，但如图2(b)所示，粘合片1的粘贴方向d4只要设定为相对于v凹口wv所示的方向d3处于一定的角度θ内即可。在此，θ相对于v凹口wv所示的方向d3优选为±45°、更优选为±40°、进一步优选为±35°的范围内。

[层叠体的制作方法]

图3是表示层叠体的制作工序的示意性的剖视图。图3(a)是表示将形成有电路层c的晶圆w载置于支承体100上的情形的图，图3(b)是表示在晶圆w的电路层c上粘贴粘合片1的情形的图，图3(c)是表示在晶圆w的电路层c上粘贴有粘合片1的情形的图。

如图3(a)所示，在以形成有电路层c的晶圆w的背面与支承体100接触的方式将晶圆w载置于支承体100之后，如图3(b)所示，在晶圆w的电路层c上粘贴粘合片1。在本例中，利用卷绕部件卷绕或利用把持部件把持粘合片1的一端而将粘合片1保持为从晶圆w浮起的状态，并且，在从另一端通过按压体101依次按压粘合片1的同时在晶圆w的电路层c的形成面上粘贴粘合片1。

此时，为了尽可能消除粘合片1的松弛，在粘合片1的长度方向(即，粘合片1的粘贴方向)上施加恒定的张力，或者在粘合片1的长度方向上施加按压体的按压力，从而以在粘贴方向d4上施加了张力的状态将粘合片1粘贴于晶圆w。以在粘合片1的宽度方向上几乎不施加张力的状态将粘合片1粘贴于晶圆w的电路层c。

在将粘合片1粘贴在电路层c上之后，根据需要，将从晶圆w伸出的粘合片1切断而除去。这样，如图3(c)所示，制作在晶圆w的电路层c上粘贴有粘合片1的层叠体10。

需要说明的是，构成支承体100的材料没有特别限制，例如使用不锈钢等金属材料。

[半导体装置的制造方法]

本实施方式的半导体装置的制造方法的一例包括如下工序：对在晶圆的电路层上粘贴有粘合片的层叠体进行加工，对晶圆进行分割，并且对晶圆的背面进行磨削，在被分割后的晶圆的、与电路层形成面相反的面(即，晶圆的背面)粘贴转印片，在除去粘合片之后，将晶圆与转印片一起切断而进行单片化。以下，依次对各工序进行说明。需要说明的是，转印片是用于通过粘贴于晶圆的背面，在晶圆从上述粘合片分离后，该晶圆转印于其表面并将该晶圆保持的片。

图4、图5是表示半导体装置的制造工序的示意性的剖视图。

图4(a)是表示在与支承体100不同的支承体200上载置层叠体10的状态的图。如图4(a)所示，以粘合片1与支承体200接触的方式将层叠体10载置于支承体200。需要说明的是，作为支承体200，例如，可以使用与支承体100同样的材质的支承体、陶瓷制的多孔板。

图4(b)是表示从背面侧对晶圆w照射激光的情形的图。如图4(b)所示，使用聚光器102，以相对于晶圆w具有透过性的波长的激光103的聚光点处于晶圆w的内部的方式确定激光103的位置，一边沿着划定单片化预定区域r的分割预定线e使激光103和晶圆w相对移动，一边从背面侧向晶圆w照射激光103。由此，在与分割预定线e对应的平面位置处的晶圆w的内部形成改性部m。改性部m是通过激光的照射而使得晶圆w被改性的部分，成为晶圆w割断的起点。

图4(c)是表示对晶圆w的背面侧进行磨削的情形的图。如图4(c)所示，使用研磨机104，对晶圆w的背面进行磨削，直至达到所希望的厚度。通过该处理，晶圆w被薄型化、轻量化。同时，以改性部m为起点，沿着划定单片化预定区域r的分割预定线e割断晶圆w。另外，形成在晶圆w内的改性部m通过磨削而被除去。

在sdbg中，当在磨削时晶圆被分割时，在相邻的芯片之间仅存在基于隐形切割的裂缝(图4(c)的附图标记p)，芯片之间的距离实质上为零。因此，芯片因微小的应力或冲击而偏移，芯片彼此容易产生接触、按压、摩擦或碰撞等，成为容易产生裂纹的状况。另外，在粘贴背面研磨用保护片等粘合片时，由于在其粘贴方向上施加张力而粘贴，因此，在粘合片粘贴后的层叠体容易残留应力。因此，推测通过对晶圆的背面进行磨削，从而晶圆w以改性部m为起点割断为各个芯片的同时层叠体内的应力被释放，芯片在粘合片的粘贴方向上容易移动，其结果是，芯片彼此接触、按压、摩擦或碰撞而引发裂纹。

在本实施方式的半导体装置的制造方法中，芯片的缺口、裂纹被抑制的理由并不限于此，但作为一个，可考虑以下的理由。即，通过使芯片的纵向上的长度与横向上的长度不同，并沿着芯片的短边方向粘贴粘合片，与沿着芯片的长边方向粘贴粘合片的情况相比，粘合片的粘贴方向上的芯片之间的切断线的数量增多。由此推测，粘贴方向上的芯片的移动量被更多的芯片分散，芯片彼此的接触、按压、摩擦、碰撞等减少，牵涉到裂纹、缺口的抑制。

需要说明的是，在本实施方式中，通过磨削来除去改性部，但例如在不要求晶圆的薄型化的用途、晶圆原本较厚的情况下等，也可以在磨削后也使改性部的至少一部分残留于晶圆。

图5(a)表示将晶圆w被磨削、分割后的层叠体11从支承体200分离的工序。图5(b)表示将晶圆w被磨削、分割后的层叠体11粘贴于被环形框架300保持的转印片的工序。图5(c)表示从粘贴于转印片303的层叠体11分离粘合片1的工序。图5(d)是将各个芯片与转印片303一起分离的扩展工序。

如图5(a)所示，将从支承体200分离的、晶圆w被磨削、分割后的层叠体11如图5(b)所示粘贴于由环形框架300保持了周围的、包括膜状粘接剂301和支承片302在内的转印片303的膜状粘接剂301。接着，如图5(c)所示，从晶圆w被磨削、分割后的层叠体11分离粘合片1，进而，如图5(d)所示，通过拉伸支承片302，将膜状粘接剂301也与芯片一起切断(用附图标记301a表示切断后的膜状粘接剂)，在芯片之间隔开间隙g，分离为各个芯片。

需要说明的是，作为转印片303，例如可以使用在包括由与上述粘合片1的基材层同样的材质构成的基材的支承片302上，根据需要经由粘合剂层设置有具有固化性的膜状粘接剂301的转印片。

根据以上的制造方法，能够在制造工序中抑制芯片的缺口、裂纹的产生，并且以高合格率制造半导体装置。

需要说明的是，在本实施方式中，利用sdbg对晶圆进行分割，但不限于此，例如，也可以使用dbg对晶圆进行分割。在使用dbg的情况下，在通过切割而形成的芯片之间的距离小的情况下，容易发挥防止芯片的缺口、裂纹的效果。在使用dbg的情况下，只要在从形成有电路层的晶圆的表面对晶圆进行半切割后，将粘合片粘贴于晶圆的电路形成面，此后对晶圆的背面进行磨削即可。

实施例

接着，对本发明的具体的实施例进行说明，但本发明并不受这些例子的任何限定。

[实施例以及比较例]

按照以下的步骤制成实施例1～3以及比较例1～4的芯片。需要说明的是，实施例1～3以及比较例1～4从尽可能使实验条件一致并且容易进行实验的观点出发，使用未全部形成电路层的镜面晶圆。

<实施例1>

准备直径12英寸的单晶硅的镜面晶圆，以设置于该镜面晶圆的v凹口为基准，沿着v凹口的顶点所示的方向(以下，称为纵向)，将粘合片粘贴于晶圆的一个面(以下，称为第一表面)。作为粘合片，使用琳得科(lintec)株式会社制背面研磨带“e-3135kn”。粘合片的粘贴使用粘贴装置(琳得科株式会社制“rad-3510f/12”)，在压入量15μm、突出量150μm、粘贴速度5mm/s、粘贴应力0.35mpa、粘贴温度23℃的条件下进行。

接着，以纵向上的长度为6mm、与纵向正交的方向(以下，称为横向)上的长度为12mm的方式实施sdbg。具体而言，迪思科(disco)株式会社制隐形切割激光锯“dfl7361”，从晶圆的与第一表面相反的一侧的表面(以下，称为第二表面)侧进行激光照射，以纵6mm×横12mm的尺寸的单片化预定区域为980个且呈矩阵状排列而形成的方式在晶圆内部形成改性层。

进而，使用背面磨削装置(迪思科株式会社制“dpg8760”)，对晶圆的另一个面(以下，称为第二表面)进行磨削，直至晶圆的厚度成为30μm为止，从而除去晶圆内部的改性层，并且沿着划定各单片化预定区域的分割预定线割断晶圆。

接着，在设置于琳得科株式会社制带贴片机“rad-2700”的切割带(琳得科株式会社制“d-175”)上，粘贴被单片化的晶圆的第二表面，除去粘合片。接下来，使用设置于隐形切割激光锯的ir照相机，从第一表面侧观察有无产生裂纹，对产生了裂纹的芯片的数量进行计数。

产生了裂纹的芯片为980个中的1个，裂纹的产生率为0.10％。

<实施例2>

除了以与实施例1同样的步骤沿着纵向相对于在第一表面粘贴有粘合片的晶圆使纵向上的长度为4mm、横向上的长度为12mm以外，在与实施例1相同的条件下对晶圆进行基于sdbg的加工，以成为1471个芯片的方式进行了单片化。

与实施例1同样地进行了观察，结果是，产生了裂纹的芯片为1471个中的1个，裂纹产生率为0.07％。

<实施例3>

除了以与实施例1同样的步骤沿着纵向相对于在第一表面粘贴有粘合片的晶圆使纵向上的长度为8mm、横向上的长度为12mm以外，在与实施例1相同的条件下对晶圆进行基于sdbg的加工，以成为735个芯片的方式进行了单片化。

与实施例1同样地进行了观察，结果是，产生了裂纹的芯片为735个中的1个，裂纹产生率为0.13％。

<比较例1>

除了以与实施例1同样的步骤沿着纵向相对于在第一表面粘贴有粘合片的晶圆使纵向上的长度为12mm、横向上的长度为6mm以外，在与实施例1相同的条件下对晶圆进行基于sdbg的加工，以成为980个芯片的方式进行了单片化。

图6是将本发明的实施例与比较例进行对比而表示的示意性的俯视图。如图6(a)所示，在实施例1、2的晶圆w1中，使粘合片1的粘贴方向d4以及单片化预定区域r的短边方向d2与v凹口wv所示的方向d3一致。另一方面，如图6(b)所示，在比较例1的晶圆w2中，使粘合片的粘贴方向d4以及单片化预定区域r的长边方向d1与v凹口所示的方向d3一致。

与实施例1同样地进行了观察，结果是，产生了裂纹的芯片为980个中的11个，裂纹产生率为1.12％。

<比较例2>

除了与实施例1同样地相对于在第一表面粘贴有粘合片的晶圆使纵向上的长度为12mm、横向上的长度为4mm以外，在与实施例1相同的条件下对晶圆进行基于sdbg的加工，以成为1471个芯片的方式进行了单片化。

与实施例1同样地进行了观察，结果是，产生了裂纹的芯片为1471个中的14个，裂纹产生率为0.95％。

<比较例3>

除了与实施例1同样地相对于在第一表面粘贴有粘合片的晶圆使纵向上的长度为12mm、横向上的长度为12mm以外，在与实施例1相同的条件下对晶圆进行sdbg加工，以成为490个芯片的方式进行了单片化。

与实施例1同样地进行了观察，结果是，产生了裂纹的芯片为490个中的6个，裂纹产生率为1.22％。

<比较例4>

除了与实施例1同样地相对于在第一表面粘贴有粘合片的晶圆使纵向上的长度为12mm、横向上的长度为8mm以外，在与实施例1相同的条件下对晶圆进行基于sdbg的加工，以成为735个芯片的方式进行了单片化。

与实施例1同样地进行了观察，结果是，产生了裂纹的芯片为735个中的9个，裂纹产生率为1.22％。

实施例1～3以及比较例1～4的结果见表1。

[表1]

由表1的结果可知，在使粘合片的粘贴方向与芯片的短边方向一致的实施例1～3中，产生了裂纹的芯片的数量少，裂纹产生率也表示非常小的值。

与此相对，在使粘合片的粘贴方向与芯片的长边方向一致的比较例1、2、4中，产生了裂纹的芯片的数量增加。尤其是，可知比较例1、2的裂纹产生率的值与实施例1、2相比分别上升到10倍以上，比较例4也上升到实施例3的10倍附近。

另外，可知在将芯片的形状设为正方形、将1边的长度设为与实施例1～3的芯片的长边的长度相等的比较例3中，产生了裂纹的芯片的数量也增加，裂纹产生率的值与实施例1、2相比分别上升到10倍以上，上升到实施例3的10倍附近。

工业实用性

本发明的半导体装置的制造方法即便使用以芯片之间的距离变得非常小的方式对晶圆进行分割的sdbg等加工方法，也不易产生芯片的缺口、裂纹，能够适当地应用于处理器、存储器、传感器等所使用的半导体芯片的制造。另外，本发明的层叠体能够适当地用于上述半导体装置的制造方法。

附图标记说明

1：粘合片

10：层叠体

11：晶圆部分被磨削、分割后的层叠体

100、200：支承体

101：按压体

102：聚光器

103：激光

104：研磨机

300：环形框架

301：膜状粘接剂

301a：被切断的膜状粘接剂

302：支承片

303：转印片

c：电路层

cp：半导体芯片(半导体装置)

d1：长边方向

d2：短边方向

d3：v凹口所示的方向

d4：粘贴方向(张力方向)

e：分割预定线

g：间隙

m：改性部

p：裂缝

r：单片化预定区域

wv：v凹口

w：晶圆

wi：被单片化的晶圆