一种分体正畸托槽半自动化激光焊接装置的制造方法

文档序号:8213227阅读:215来源:国知局
一种分体正畸托槽半自动化激光焊接装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种口腔正畸领域分体正畸托槽的半自动化激光焊接装置。
【背景技术】
[0002]口腔正畸技术的发展正日趋成熟,产品的种类也越来越多,按材质不同可以分为金属托槽和陶瓷托槽,金属托槽按结构可分为整体托槽和分体托槽,金属托槽由于其超强的牙面粘接力而被广泛采用。其中金属分体托槽的粘接力比整体金属托槽更优,但由于分体托槽的加工工序较多且均需焊接,使产品存在一定的加工难度及缺陷,影响了产品的推广程度。
[0003]分体金属托槽传统的焊接工艺为钎焊焊接,钎焊属于填料焊接,焊接区在口腔环境下极易发生微电池腐蚀变黑,影响托槽外观,同时腐蚀坑内易储存一些杂物严重影响口腔卫生。另外,传统焊接方法很难保证托槽的精确定位,使托槽体向近远中或者龈颁向偏离,不能完整的表达转矩。

【发明内容】

[0004]为解决以上分体托槽传统焊接工艺所遇到的问题,本发明提出了一种半自动化激光焊接装置,本装置通过将托槽体和网底分别置于上下两个高仿形槽内,通过合模后实现了托槽体和网底的精确定位,并且采用多工位一字排列,大大提高了产品合格率和焊接效率。
[0005]本发明一种分体正畸自锁托槽半自动化激光焊接装置,主要通过以下技术方案实现的:该装置如图1所述,主要包括下定位系统5、上定位系统I及两束对称激光3,所述下定位系统为具有多个工位呈一字排列的用于精确定位正畸托槽网底的基座,各工位为如图中所示4网底仿形槽,所述上定位系统为完全与下定位系统工位相吻合用于精确定位正畸托槽的基座,各工位为如图所示2托槽体仿形槽。下基座上安装导套或开设销钉孔,上基座上设置导柱或销钉,确保合模时精确定位。上定位系统或者下定位系统必须包含托槽或者托槽网底防脱落装置或者通过粘接的方式防止托槽或托槽网底掉落。托槽仿形槽加工时必须确保如图2所示托槽焊接线所有工位在同一水平线上。
【附图说明】
[0006]图1激光焊接装置结构示意图。
[0007]图2托槽体结构图。
[0008]图3托槽网底示意图。
【具体实施方式】
[0009]以下【具体实施方式】仅为本发明的一个具体实例,应纳入本发明保护范围之内,凡与本发明权利要求书、
【发明内容】
、【具体实施方式】相同或者类似的技术方案均应纳入本发明保护范围之内。
[0010]如图1所示为分体正畸托槽半自动化激光焊接装置合模后的示意图,焊接时先将图1上定位系统基座I反转180度将托槽体(如图2) —一放入图1仿形槽内2内,同时将托槽网底(如图3)--放入图1下定位系统仿形槽4内(其中各个仿形槽的中心均开设有Φ1的气孔)打开吸气阀门,通过负压的方式将托槽网底吸附在仿形槽内,将下定位基座5反转180度反扣于上定位基座I上,两者通过导柱导套的方式完成精确的定位。拔除下定位基座上的气阀,将合模后的上下定位基座一起反转180度放于激光焊接设备中,同时开启图1两束激光3,装置以直线进给的方式通过两束激光,完成托槽体与托槽网底的焊接。
【主权项】
1.一种分体正畸托槽半自动化激光焊接装置,包括下定位系统、上定位系统及两束对称激光,所述下定位系统为具有多个工位呈一字排列的用于精确定位正畸托槽网底的基座,所述上定位系统为完全与下定位系统工位相吻合用于精确定位正畸托槽的基座。
2.根据权利要求1所述分体正畸托槽半自动化激光焊接装置,其特征在于所述装置上下基座合模时通过导柱导套或销钉导向定位。
3.根据权利要求1所述分体正畸托槽半自动化激光焊接装置,其特征在于为防止合模时上基座仿形槽内的托槽体或下基座托槽网底脱落而采用负压或者粘接的方式固定托槽或网底,任何能思之的托槽和网底固定方法均应列入本发明保护范围。
4.根据权利要求1所述分体正畸托槽半自动化激光焊接装置,其特征在于所述装置上下两定位系统的各个工位均为通过精密加工后的高仿形槽。
5.根据权利要求4所述,其特征在在于高仿形槽包含了自锁托槽、普通托槽、带钩及不带钩等一系列金属托槽模型,任何金属分体正畸托槽均可用本发明装置进行激光焊接,应全部纳入本发明保护范围。
【专利摘要】本发明涉及一种分体正畸托槽半自动化激光焊接装置,该装置包括下定位系统和上定位系统,所述下定位系统为具有多个工位呈一字排列的用于精确定位正畸托槽网底的基座,所述上定位系统为完全与下定位系统工位相吻合用于精确定位正畸托槽的基座,各个工位通过线切割、电火花加工、CNC等高精度加工方式制取的高仿形槽,实现了托槽和网底的精确定位,大大提高了生产效率,实现了半自动化加工。
【IPC分类】B23K37-04, B23K26-70, B23K26-26
【公开号】CN104526156
【申请号】CN201410820833
【发明人】龙小平
【申请人】上海埃蒙迪材料科技股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月19日
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