激光加工装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及对半导体晶片等被加工物实施激光加工的激光加工装置。
【背景技术】
[0002] 在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用以格子状 排列的分割预定线来划分多个区域，且在该划分后的区域上形成IC、LSI等器件。而且，通 过沿着分割预定线切断半导体晶片，对形成有器件的区域进行分割，来制造各个半导体器 件。另外，在蓝宝石基板的表面上层叠有光电二极管等受光元件和激光二极管等发光元件 等的光器件晶片也沿着分割预定线进行切断，由此分割成各个光电二极管、激光二极管等 光器件，从而广泛地利用于电气设备中。
[0003] 作为上述的沿着分割预定线对半导体晶片和光器件晶片等晶片进行分割的方法， 提出了如下方法：沿着形成在晶片上的分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光 光线，来进行消融加工，由此，形成激光加工槽，且沿着该激光加工槽进行折断（例如参照 专利文献1)。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1 :日本特开2010-272697号公报
【发明内容】
[0007] 发明所要解决的问题
[0008] 然而，存在如下问题：在通过对作为被加工物的硅或蓝宝石等晶片进行烧蚀加工 来形成激光加工槽时，硅或蓝宝石等熔化而产生熔化物（碎肩），由于熔化物的填埋，因此 即使沿着形成于晶片上的分割预定线照射激光光线，也无法形成所期望的深度的激光加工 槽。
[0009] 本发明正是鉴于上述事实而提出的，其主要的技术课题在于提供一种激光加工装 置，该激光加工装置有效地处理因从聚光器对被加工物照射激光光线而产生的熔化物（碎 肩），能够形成所期望的深度的激光加工槽。
[0010] 用于解决问题的手段
[0011] 为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种激光加工装置，其具备用于 保持被加工物的卡盘工作台、以及向被保持于该卡盘工作台上的被加工物照射激光光线的 激光光线照射构件，该激光光线照射构件具备振荡出激光光线的激光光线振荡构件、以及 聚光器，该聚光器具有使从该激光光线振荡构件振荡出的激光光线聚光的聚光透镜，所述 激光加工装置的特征在于，所述激光加工装置具备熔化物处理构件，该熔化物处理构件配 设在该聚光器的激光光线照射方向下游侧，用于处理因激光加工而生成的熔化物，该熔化 物处理构件具备：气体喷射部，该气体喷射部具有允许从该聚光器照射的激光光线穿过的 开口，从该开口朝向被加工物喷射高速气体；以及熔化物吸入部，该熔化物吸入部具有吸入 口，所述吸入口以围绕该气体喷射部的该开口的方式设置，且吸入因从该开口喷射的高速 气体而飞散的熔化物，该气体喷射部与高压气体供给构件连接，该熔化物吸入部与熔化物 吸入构件连接。
[0012] 优选的是，上述高压气体供给构件以从该气体喷射部的该开口喷射的流量成为30 升/分钟· mm2~200升/分钟· mm2的方式供给气体。
[0013] 发明效果
[0014] 根据本发明的激光加工装置，由于熔化物处理构件的气体喷射部与高压气体供给 构件连接，熔化物吸入部与熔化物吸入构件连接，所以因向被加工物照射激光光线而产生 的熔化物由于从气体喷射部的开口喷射的高速气体而从激光加工槽飞散去除。从而，能够 利用持续地照射的脉冲激光光线进行激光加工而形成所期望的深度的激光加工槽。另外， 由于从气体喷射部的开口喷射的高速气体而从激光加工槽被飞散的熔化物，从以围绕气体 喷射部的开口的方式配设的熔化物吸入部的吸入口经过多个气体吸入通路而被吸入至熔 化物吸入构件。从而，由于从气体喷射部的开口喷射的高速气体而从激光加工槽被飞散的 熔化物不会附着于被加工物的表面上。
【附图说明】
[0015] 图1是本发明的实施方式的激光加工装置的立体图。
[0016] 图2是简略地示出图1所示的激光加工装置所具备的激光光线照射构件的结构的 框图。
[0017] 图3是图1所示的激光加工装置所具备的聚光器和熔化物处理构件的剖视图。
[0018] 图4是作为被加工物的半导体晶片贴附于在环状框架上安装的切割带 (dicingtape)的表面上的状态的立体图。
[0019] 图5是通过图1所示的激光加工装置实施的激光加工槽形成工序的说明图。
[0020]图6是实施激光加工槽形成工序的状态下的熔化物处理构件的剖视图。
[0021] 标号说明：
[0022] 2 :静止基座；
[0023] 3 :卡盘工作台机构；
[0024] 36 :卡盘工作台；
[0025] 37 :加工进给构件；
[0026] 38 :第1分度进给构件；
[0027] 4 :激光光线照射单元支承机构；
[0028] 42 :可动支承基座；
[0029] 43 :第2分度进给构件；
[0030] 5 :激光光线照射单元；
[0031] 51:单元保持装置；
[0032] 52 :激光光线照射构件；
[0033] 53:聚光器；
[0034] 531 :聚光器外罩；
[0035] 532 :方向变换镜；
[0036] 533:聚光透镜；
[0037] 6 :摄像构件；
[0038] 7 :熔化物处理构件；
[0039] 71 :气体喷射部；
[0040] 711:开口；
[0041] 72:熔化物吸入部；
[0042] 721:吸入口；
[0043] 73 :高压气体供给构件；
[0044] 74 :熔化物吸入构件；
[0045] 1〇:半导体晶片。
【具体实施方式】
[0046] 下面参照所附的附图，对按照本发明构成的激光加工装置的优选实施方式进行详 细的说明。
[0047] 在图1中示出了按照按照本发明构成的激光加工装置1的立体图。图1所示的激 光加工装置1具备：静止基座2 ;保持被加工物的卡盘工作台机构3,其配设在该静止基座2 上，且可在由箭头X所示的加工进给方向上移动；激光光线照射单元支承机构4,其配设在 静止基座2上，且可在与由上述箭头X所示的方向正交的由箭头Y所示的分度进给方向上 移动；以及激光光线照射单元5,其配设在该激光光线单元支承机构4上，且可在由箭头Z 所示的方向上移动。
[0048] 上述卡盘工作台机构3具备：一对导轨31、31，它们沿着由箭头X所示的加工进给 方向，平行地配设在静止基座2上；第1滑动块32,其配设在该导轨31、31上，且可在由箭头 X所示的加工进给方向上移动；第2滑动块33,其配设在该第1滑动块32上，且在由箭头Y 所示的分度进给方向上移动；支承工作台35,其借助圆筒部件34被该第2滑动块33支承； 以及作为被加工物保持构件的卡盘工作台36。该卡盘工作台36具备由多孔性材料形成的 吸附卡盘361，在吸附卡盘361上由未图示的吸入构件来保持作为被加工物的例如圆盘状 的半导体晶片。这样构成的卡盘工作台36通过在圆筒部件34内配设的未图示的脉冲电机 进行旋转。在如上所述地构成的卡盘工作台36上配设有用于固定后面叙述的环状框架的 夹紧装置362。
[0049] 在上述第1滑动块32的下表面设置有与上述一对导轨31、31嵌合的一对导槽 321、321，并且在上述第1滑动块32的上表面设置有沿着由箭头Y所示的分度进给方向，平 行地形成的一对导轨322、322。这样构成的第1滑动块32被构成为