一种 sip 模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统，涉及半导体领域，包括：步骤S10获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；沟槽切割数据包括：沟槽切割路径和沟槽切割位置；步骤S20根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；步骤S30当填入沟槽的银胶固化后，获取预留的固化部分到裸露区域的距离数据；步骤S40根据距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通。当银胶固化后，自动获取相应的预设镭射控制参数将预留的固化部分切除，减小了产品报废的机率。
【专利说明】
一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统
技术领域
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统。
【背景技术】
[0002]随着镭射切割技术的发展与进步，因其精度高、速度快、热影响区小，不易使产品变形、性价比高、使用成本低、性能稳定等优点使镭射切割技术在半导体行业被广泛使用。
[0003]在半导体行业中，系统级封装(SIP，System In a Package)主要是将多种功能芯片集成在一个封装内，达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使SIP的封装形态产生多样化的组合。
[0004]模组，是指在PCB的上表面焊接模组所需的芯片及主动元件、被动元件，制成模组的PCBA，对PCBA的上表面进行填胶，使胶覆盖PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成模组。
[0005]—颗模组上可能存在固化区域和裸露区域，基于产品的需求，需要将这两个区域打通，区域之间利用银胶连接。现有技术是用镭射切割技术直接把区域边界线位置上的塑封材料切除形成沟槽，再在此沟槽内填入银胶。
[0006]但是由于银胶在未固化前是液态，其流动的特性可能会污染其他不能沾染银胶的区域，从而造成产品报废。
【发明内容】
[0007]本发明的目的是提供一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统，在满足产品需求、打通固化区域和裸露区域的同时，避免未凝固的银胶沾到SIP模组的有效区，提尚广品良率。
[0008]本发明提供的技术方案如下:
[0009]—种SIP模组的银胶沟槽的切割方法，包括:步骤SlO获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S20根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S30当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据;步骤S40根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。
[0010]进一步优选地，所述步骤S30具体包括:步骤S31采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片;步骤S32对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。
[0011]进一步优选地，所述步骤S40具体包括:步骤S41查询所述距离数据所处的预设距离数据范围；步骤S42根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数;步骤S43根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。
[0012]进一步优选地，所述步骤SlO之前还包括:步骤SOO配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数。
[0013]进一步优选地，所述距离数据包括:预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的一端以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的一端之间的距离。
[0014]本发明还提供一种SIP模组的制造方法，包括:步骤SlOO在PCB的上表面焊接所述SIP模组所需的芯片、主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成所述SIP模组的PCBA;其中，所述PCBA的上表面包括:待固化区域和裸露区域;步骤S200对所述PCBA的上表面中待固化区域进行填胶，使胶覆盖所述PCBA的上表面中待固化区域的芯片、主动元件、被动元件，而后使胶固化制成固化区域，所述固化区域和所述裸露区域组成了所述SIP模组;步骤S400获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S500根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S600当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据;步骤S700根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通;步骤S800对所述SIP模组的四周及上表面进行金属派镀形成EMI电磁屏蔽层。
[0015]进一步优选地，所述EMI电磁屏蔽层将所述SIP模组打通后的所述固化区域和所述裸露区域连接，并对打通后的所述固化区域和所述裸露区域进行EMI电磁屏蔽。
[0016]进一步优选地，所述步骤S600具体包括:步骤S610采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片;步骤S620对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。
[0017]进一步优选地，所述步骤S700具体包括:步骤S710查询所述距离数据所处的预设距离数据范围；步骤S720根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数;步骤S730根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。
[0018]进一步优选地，所述步骤S200和所述步骤S400之间还包括:步骤S300配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述镭射控制参数。
[0019]进一步优选地，所述距离数据包括:预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的一端以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的一端之间的距离。
[0020]本发明还提供一种SIP模组的银胶沟槽的切割系统，包括:控制模块;获取模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；以及，当填入所述沟槽的银胶固化后，在所述控制模块的控制下，获取预留的所述固化部分到所述SIP模组的裸露区域的距离数据;其中，所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;存储模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，存储预设镭射控制参数;镭射模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的所述裸露区域之间存在预留的固化部分；以及，在所述控制模块的控制下，根据所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。
[0021 ]进一步优选地，所述获取模块具体包括:采集子模块，采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片;处理子模块，对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。
[0022]进一步优选地，所述存储模块，进一步用于存储预设距离数据范围;所述镭射模块包括:数据查询子模块，查询所述距离数据所处的所述预设距离数据范围；参数获取子模块，根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数;镭射切除子模块，根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通；以及，根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分。
[0023]进一步优选地，还包括:配置模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数。
[0024]进一步优选地，所述距离数据包括:预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的一端以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的一端之间的距离。
[0025]与现有技术相比，本发明的有益效果在于:
[0026]1、为了避免未凝固的银胶流动到SIP模组不需要银胶的区域，产生报废的问题，因此，在采用镭射打通SIP模组上的固化区域和裸露区域时，在需要打通的区域中靠近裸露区域的一端留下一点固化部分，使需要打通的区域先成为待填银胶的沟槽和预留的固化部分，填入银胶后，预留的固化部分对于未凝固的银胶相当于一个堤坝，其阻止了银胶流动到裸露区域、造成产品报废的可能；当填入沟槽的银胶固化后，再用镭射将预留的固化部分打掉，使固化区域和裸露区域打通。第二次打掉预留的固化部分后，其与先前的银胶沟槽形成同一条沟槽;根据获取的预留的固化部分到裸露区域的距离数据，自动选择对应的预设镭射控制参数，保证了第二次镭射切割出的位置仅仅是第一次切割的沟槽的延伸端，并不会切歪，影响SIP模组的其它区域，保障了产品质量。
[0027]2、PCBA进行填胶固化时，因模具损耗等原因，SIP模组的固化区域会存在一定的塑封偏移。第一次切割待填银胶的沟槽时，是通过识别Mark点来对需要切割的区域进行定位，即使每个SIP模组对于第一次切割的Mark点位置相同，由于存在塑封偏移的问题，每个SIP模组预留的固化部分的长度也不一样，因此，需要根据实际情况来对预留的固化部分进行定位，保证第二次切割时能够正确切除预留的固化部分而不影响其它地方。而基于进行镭射切割的目的就是为了打通固化区域和裸露区域，因此裸露区域就被设定为了基准位置，通过CCD采集预留的固化部分到裸露区域的图片，从而得到预留的固化部分到裸露区域的距离数据，为下述选择相应的镭射控制参数提供了基础。
[0028]3、预留的固化部分长度不一样，其需要切割的区域也就不一样，因此需要在相应的镭射控制参数下进行第二次切除预留的固化部分，根据获得的预留的固化部分到裸露区域的位置数据，自动选择相应的镭射控制参数，确认作业的起始点和作业长度;避免手动切换造成的人为错误，减小产品报废的机率。
[0029]4、配置预设的距离数据范围和相应的预设镭射控制参数是后续正常作业的基础保证。
[0030]5、预留的固化部分为了不影响产品性能，本身长度就比较短，一般在几百um左右，而根据产品的需求，裸露区域的长度也是非常的小，一般在10um左右，基于此，对于距离数据的明确认定进一步保证了切除预留的固化部分时，可以对作业的起始点和作业长度进行精确定位，保证了切除效果。
[0031]6、SIP模组的制造过程是在PCB空板上焊接芯片、主动元件、被动元件，从而制成PCBA;基于产品需求，PCBA的一部分区域不能进行固化，因此在固化阶段只对PCBA中需要固化的区域进行填胶固化，从而得到需要的SIP模组;而进一步根据产品需求将固化区域和裸露区域进行打通，在固化区域打通的部分中填入银胶;虽然SIP模组的固化区域是绝缘体，但填入银胶的区域和裸露区域都含有电路且不绝缘，为了保证SIP模组在后续应用中不被其他产品影响到，需要对SIP模组进行金属溅镀，形成EMI电磁屏蔽层。
[0032]7、EMI电磁屏蔽层对填入银胶的区域和裸露区域中的电路进行了屏蔽，同时也把裸露区域和填入银胶的区域连接，从而保证固化区域和裸露区域的成功连接。
[0033]本发明的SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统，在打通SIP模组的固化区域和裸露区域时，先预留一点点固化部分，利用此固化部分对填入的未凝固银胶进行阻挡，使银胶不会流到其他区域;当银胶固化后，根据预留的固化部分与裸露区域之间的距离，自动获取相应的预设镭射控制参数将其切除，彻底打通固化区域和裸露区域，自动获取相应的预设镭射控制参数保证了产品品质，避免了手动切换镭射控制参数时造成的人为错误的发生，减小了产品报废的机率。
【附图说明】
[0034]下面将以明确易懂的方式，结合【附图说明】优选实施方式，对一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
[0035]图1是本发明SIP模组的银胶沟槽的切割方法一个实施例的流程图；
[0036]图2是本发明SIP模组的银胶沟槽的切割方法另一个实施例的流程图；
[0037]图3是本发明SIP模组的制造方法一个实施例的流程图；
[0038]图4是本发明SIP模组的制造方法另一个实施例的流程图；
[0039]图5是本发明SIP模组的银胶沟槽的切割系统一个实施例的结构示意图；
[0040]图6是本发明SIP模组的银胶沟槽的切割系统另一个实施例的结构示意图；
[0041 ]图7是本发明SIP模组的银胶沟槽的立体结构图；
[0042]图8是图7中C-C的剖视图；
[0043]图9是图7中的沟槽填入的银胶固化后的B-B的剖视图。
[0044]附图标号说明:
[0045]10.控制模块，20.存储模块，30.获取模块，31.采集子模块，32.处理子模块，40.镭射模块，41.数据查询子模块，42.参数获取子模块，43.镭射切除子模块，50.配置模块，61.PCB，62.塑封料，63.沟槽，64.预留的固化部分，65.裸露区域，66.银胶，67.预留的固化部分靠近裸露区域的一端，68.裸露区域靠近预留的固化部分的一端。
【具体实施方式】
[0046]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照【附图说明】本发明的【具体实施方式】。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0047]为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
[0048]在本发明的一个实施例中，如图1所示，一种SIP模组的银胶沟槽的切割方法，包括:步骤SlO获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S20根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S30当填入沟槽的银胶固化后，获取预留的固化部分到裸露区域的距离数据;步骤S40根据距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通。
[0049]具体的，如图7、图8所示，步骤SlO中获取沟槽切割数据，是利用Mark点对第一次切割的待填银胶的沟槽的起始点和作业区域进行定位，从而使镭射光束落在指定区域，对SIP模组的固化区域进行切割，形成待填银胶的沟槽63;因Mark点的位置设置与为了打通固化区域和裸露区域的真正起始位置有一点偏移，保证在第一次采用镭射切除固化区域，形成待填银胶的沟槽后，此沟槽与裸露区域之间会存在预留的固化部分64。在此沟槽中需要填入银胶进行微小部件的黏附，而未凝固的银胶是液态，其流动的特性可能会沾到SIP模组中其它不需要银胶黏附的区域，从而造成产品报废;而这里的一点预留的固化部分相当于一个堤坝，阻挡了流动的银胶向不需要它的区域流动，例如:裸露区域，降低了产品产生报废的机会。
[0050]另外，SIP模组中的固化区域在固化的时候，因模具等一系列的因素可能会导致SIP模组上的固化区域存在一定的塑封偏移；即使Mark点的位置一直不变，不同SIP模组在第一次开槽后，预留的固化部分的长度也会不同；为了打通裸露区域和固化区域，此预留的固化部分必需在填入的银胶固化后被切除，而其长度的不同意味着作业的起始点和作业的长度不同，要根据实际情况来控制镭射光束落在正确的位置，才能保证预留的固化部分被精确地切除。工作人员可以根据实际情况来控制镭射光束把预留的固化部分切除，但手动操作往往会伴随一定人为错误的发生，增大了产品报废的可能。
[0051]因此，本发明可以根据实际情况自动选择相应的预设镭射控制参数，保证正确切除预留的固化部分的同时，也避免人为错误的发生，减小产品报废的机率。因裸露区域的位置在SIP模组中是不变的，而第二次切割的目的就是为了把银胶沟槽和裸露区域之间的预留的固化部分切除，因此裸露区域就成为了基准点，通过预留的固化部分到裸露区域的距离，获取需要作业的起始点和作业长度，在对应的相关参数的控制下将预留的固化部分切除。
[0052]需要注意的是，如图7、图8、图9所示，不管是第一次切出待填银胶的沟槽63，还是切除预留的固化部分64，这些区域切除的都是SIP模组上的塑封料62，并不会对塑封料62下的PCB 61进行切割；另外，第二次切除预留的固化部分64时，需要正确定位，保证切除预留的固化部分64后形成的沟槽与第一次切割后的沟槽63对齐，切除预留的固化部分64后形成的沟槽仅仅是第一次切割后的沟槽63的延伸端，它们本身为一道沟槽，只是分了两次切割。
[0053]优选地，步骤S30具体包括:步骤S31采集预留的固化部分到裸露区域的图片;步骤S32对图片进行处理，计算得到预留的固化部分到裸露区域的距离数据。
[0054]具体的，采集预留的固化部分到裸露区域的图片，然后利用图片处理技术，算出它们两个之间的距离，是下面选择相应的预设镭射控制参数的前提。
[0055]优选地，步骤S40具体包括:步骤S41查询距离数据所处的预设距离数据范围；步骤S42根据预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数，获取距离数据对应的预设镭射控制参数;步骤S43根据获取的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通。
[0056]具体的，系统中预先设置了一些距离数据范围以及对应的镭射控制参数，当预留的固化部分与裸露区域的距离处于某个距离数据范围时，镭射光束在这个距离数据范围对应的预设镭射控制参数的控制下，可以将预留的固化部分进行准确地切除，保证将固化区域和裸露区域顺利打通的同时，也进一步保证其不会切割到其它区域，造成产品报废;也可以理解为，保证在再次镭射切割下，只形成一道将固化区域和裸露区域打通的沟槽。
[0057]优选地，步骤SlO之前还包括:步骤SOO配置预设距离数据范围、预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数。
[0058]具体的，配置预设距离数据范围以及其对应的预设镭射控制参数是保证正确切除预留的固化部分的基础;预设镭射控制参数包括:聚焦参数、光束能量参数等，光束能量参数包括:频率、功率、速度等。另外，裸露区域的位置信息也可以在切割前进行配置，保证在识别到预留的固化部分的位置信息后，可以计算得到两者之间的距离数据。
[0059]优选地，如图9所示，距离数据包括:预留的固化部分靠近裸露区域的一端67以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端68之间的距离。
[0060]具体的，图9中的A区域是裸露区域65，当填入沟槽的银胶66固化后，就需要切除预留的固化部分64，为了进一步保证镭射作业的精确性，对预留的固化部分64以及裸露区域65之间的距离做了进一步的限定。之所以是用预留的固化部分靠近裸露区域的一端67作为计算基础，是因为这样的设计可以快速地确认作业的起始点；因为裸露区域65和第一次切割的起始位置也是固定的，意味着预留的固化部分靠近沟槽一端的位置也是不变的，也可以理解为，预留的固化部分靠近沟槽一端以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端68之间的距离也是不变的；而根据获取的预留的固化部分靠近裸露区域的一端67以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端68之间的距离，就可以得到实际的作业长度，即预留的固化部分的长度，从而选择对应的预设镭射控制参数，使镭射光束落在相应的位置上，将预留的固化部分准确地切除。各个数据、参数的准确限定，降低了产品的报废机率，减少不必要的产品损耗，节省资源。
[0061]在本发明的另一个实施例中，如图2所示，一种SIP模组的银胶沟槽的切割方法，包括:步骤SOO配置预设距离数据范围、预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数;步骤SlO获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S20根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S30当填入沟槽的银胶固化后，获取预留的固化部分到裸露区域的距离数据;距离数据包括:预留的固化部分靠近裸露区域的一端以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端之间的距离；步骤S30具体包括:步骤S31采集预留的固化部分到裸露区域的图片；步骤S32对图片进行处理，计算得到预留的固化部分到裸露区域的距离数据;步骤S40根据距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通;步骤S40具体包括:步骤S41查询距离数据所处的预设距离数据范围；步骤S42根据预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数，获取距离数据对应的预设镭射控制参数;步骤S43根据获取的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通。
[0062]具体的，采用二次切割的方法将裸露区域和固化区域打通，二次切割是指，第一次先切出一道待填银胶的沟槽，在此沟槽靠近裸露区域的一端预留一点点固化区域，使填入沟槽的银胶在因化时不至于流动到裸露区域，造成产品报废；当银胶固化后，再进行第二切害J，将预留的固化部分切除。这样的作业方式，一来保证银胶不会黏附到不必要区域，二来根据预留的固化部分的实际情况，自动选择相对应的预设镭射控制参数，提高顺利打通裸露区域和固化区域的机率，降低因错误的镭射控制参数造成产品在切除预留的固化部分时造成报废的问题。
[0063]在本发明的另一个实施例中，如图3所示，一种SIP模组的制造方法，包括:步骤SlOO在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片、主动元件、被动元件，PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA;其中，PCBA的上表面包括:待固化区域和裸露区域;步骤S200对PCBA的上表面中待固化区域进行填胶，使胶覆盖PCBA的上表面中待固化区域的芯片、主动元件、被动元件，而后使胶固化制成固化区域，固化区域和裸露区域组成了 SIP模组;步骤S400获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;步骤S500根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分;步骤S600当填入沟槽的银胶固化后，获取预留的固化部分到裸露区域的距离数据;步骤S700根据距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通;步骤S800对SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层。
[0064]具体的，在PCB空板上焊接了相应的芯片和元件后，得到的产品为PCBA;接下来的步骤就是对PCBA进行填胶固化，而由于产品的需求，PCBA上的一部分区域可能不能进行填胶固化，因此，在填胶固化这个制程中需要对此区域进行遮蔽，对其它区域进行填胶固化，这样操作后，最后形成的SIP模组上就会存在固化区域和裸露区域;然后需要将SIP模组上的固化区域和裸露区域打通，在切割出的沟槽中填入银胶黏附细小的元件，由于银胶未凝固时是液态，为了保证其不会流动到不必要的区域，例如:裸露区域，采用二次切割的方法进行打通:1)第一次切出待填银胶的沟槽，沟槽与裸露区域存在预留的固化部分，此预留的固化部分对填入沟槽中的流动的银胶起阻挡作用，限制银胶的流动空间，保证银胶只会在沟槽中流动，黏附此沟槽中的元件，不会流动到其他区域;2)当银胶固化后，再把预留的固化部分切除，将裸露区域和固化区域打通。
[0065]优选地，EMI电磁屏蔽层将SIP模组打通后的固化区域和裸露区域连接，并对打通后的固化区域和裸露区域进行EMI电磁屏蔽。
[0066]具体的，SIP模组上的裸露区域和银胶黏附的区域都存在电路，且它们都不是绝缘的，在后续使用中可能会存在电磁干扰，因此，需要对SIP模组进行溅镀EMI电磁屏蔽层，此EMI电磁屏蔽层对裸露区域和银胶区域进行了电磁屏蔽，也将这两个区域连接在了一起，实现了裸露区域和固化区域的连接。另外，EMI电磁屏蔽不仅仅是对裸露区域和银胶区域，而是对SIP模组的上表面和四周都进行了 EMI电磁屏蔽，降低了 SIP模组在后续使用中不会出现电磁干扰的情况。
[0067]优选地，步骤S600具体包括:步骤S610采集预留的固化部分到裸露区域的图片；步骤S620对图片进行处理，计算得到预留的固化部分到裸露区域的距离数据。
[0068]优选地，步骤S700具体包括:步骤S710查询距离数据所处的预设距离数据范围；步骤S720根据预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数，获取距离数据对应的预设镭射控制参数;步骤S730根据获取的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通。
[0069]优选地，步骤S200和步骤S400之间还包括:步骤S300配置预设距离数据范围、预设距离数据范围对应的镭射控制参数。
[0070]优选地，距离数据包括:预留的固化部分靠近裸露区域的一端以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端之间的距离。
[0071]具体的，由于对PCBA进行填胶固化时，可能会存在塑封偏移的问题，即使预留的固化部分靠近沟槽一端的位置相同，其预留的固化部分的长度也不同，需要根据实际情况采用相应的镭射控制参数，才能正确地将预留的固化部分切除，而不伤及其它不能被切除的区域，因此，在获取了预留的固化部分到裸露区域之间的距离后，自动选择相应的预设镭射控制参数，保证预留的固化部分可以被正确切除，使其与第一次切割出的沟槽对齐，在第二次切除预留的固化部分后，SIP模组上仅有一道沟槽与裸露区域连通。
[0072]在本发明的另一个实施例中，如图4所示，一种SIP模组的制造方法，包括:步骤SlOO在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片、主动元件、被动元件，PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA;其中，PCBA的上表面包括:待固化区域和裸露区域；
[0073]步骤S200对PCBA的上表面中待固化区域进行填胶，使胶覆盖PCBA的上表面中待固化区域的芯片、主动元件、被动元件，而后使胶固化制成固化区域，固化区域和裸露区域组成了 SIP模组；
[0074]步骤S300配置预设距离数据范围、预设距离数据范围对应的镭射控制参数；
[0075]步骤S400获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据;沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置；
[0076]步骤S500根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；
[0077]步骤S600当填入沟槽的银胶固化后，获取预留的固化部分到裸露区域的距离数据;步骤S600具体包括:步骤S610采集预留的固化部分到裸露区域的图片;步骤S620对图片进行处理，计算得到预留的固化部分到裸露区域的距离数据;距离数据包括:预留的固化部分靠近裸露区域的一端以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端之间的距离；
[0078]步骤S700根据距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通;步骤S700具体包括:步骤S710查询距离数据所处的预设距离数据范围；步骤S720根据预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数，获取距离数据对应的预设镭射控制参数;步骤S730根据获取的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通；
[0079]步骤S800对SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层;EMI电磁屏蔽层将SIP模组打通后的固化区域和裸露区域连接，并对打通后的固化区域和裸露区域进行EMI电磁屏蔽。
[0080]具体的，SIP模组在打通了裸露区域和固化区域后，会对SIP的上表面和四周溅镀EMI电磁屏蔽层，保证了裸露区域和固化区域之间的连接的同时，也使裸露区域和银胶区域中的电路避免了后续使用中的电磁干扰问题。
[0081]在本发明的另一个实施例中，如图5所示，一种SIP模组的银胶沟槽的切割系统，包括:控制模块10;获取模块30，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；以及，当填入沟槽的银胶固化后，在控制模块10的控制下，获取预留的固化部分到SIP模组的裸露区域的距离数据;其中，沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置;存储模块20，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，存储预设镭射控制参数;镭射模块40，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；以及，在控制模块10的控制下，根据距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通。
[0082]具体的，SIP模组的银胶沟槽的切割系统中控制模块的功能由工业计算机实现，也可以说是由工业计算机里其它硬件配合其内部的处理器进行控制;存储模块的功能则由存储器实现;镭射模块，也就是镭射装置，包括了镭射头、振镜、聚焦镜等，这些装置保证了相应能量的镭射光束可以落在准确的位置，从而实现精确切割;获取模块的功能是由CCD相机实现。
[0083]通过CCD相机根据Mark点对待填银胶沟槽的作业起始位置和作业区域进行定位，从而得到相应的沟槽切割数据，沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置，还包括沟槽镭射控制参数，此沟槽镭射控制参数包括能量参数和聚焦参数，使镭射头发出相应能量的镭射光束，在振镜、聚集镜等装置的控制下落在正确的位置进行切割，形成待填银胶的沟槽。如图9所示，当银胶66固化后，需要根据预留的固化部分64的实际情况，自动采用相应的预设镭射控制参数将预留的固化部分64准确地切除而不损坏其它区域，降低产品报废的机率。
[0084]优选地，获取模块30具体包括:采集子模块31，采集预留的固化部分到裸露区域的图片;处理子模块32，对图片进行处理，计算得到预留的固化部分到裸露区域的距离数据。
[0085]具体的，如上述所说，采集子模块的功能可以由CCD相机的拍摄镜头实现，拍摄预留的固化部分到裸露区域的图片，可以理解为拍摄的照片中需要同时包括预留的固化部分和裸露区域;而处理子模块，可以由装配在CCD相机中的图片处理器实现，可以根据灰阶对比原理计算两者之间的距离数据，为后续选择相应的预设镭射控制参数提供了基础。考虑到成本，处理子模块也可以由工业计算机中的处理器实现。
[0086]优选地，存储模块20，进一步用于存储预设距离数据范围；镭射模块40包括:数据查询子模块41，查询距离数据所处的预设距离数据范围；参数获取子模块42，根据预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数，获取距离数据对应的预设镭射控制参数;镭射切除子模块43，根据获取的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通；以及，根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分。
[0087]具体的，数据查询子模块、参数获取子模块的功能可以由镭射装置中数据处理器实现，也可以因为成本的考虑，由工业计算机实现。预设镭射控制参数包括:聚焦参数和能量参数;能量参数包括:速度、功率、频率等;聚焦参数包括:预留的固化部分的起始作业位置、作业长度，也可以理解为，预留的固化部分的切割路径和预留的固化部分的切割位置。根据获取的距离数据可以得到相应的预设距离数据范围，从而得到获取的距离数据对应的预设镭射控制参数，在此参数的控制下使相应能量的镭射光束在振镜、聚焦镜等装置的控制下落在指定位置，对预留的固化部分进行切除。
[0088]优选地，还包括:配置模块50，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，配置预设距离数据范围、预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数。
[0089]具体的，配置模块的功能由工业计算机实现，将预设的距离数据范围及其对应的预设镭射控制参数配置在工业计算机中，根据后续获得的预留的固化部分到裸露区域的距离数据选择相应的预设镭射控制参数，使镭射光束能够准确地切除预留的固化部分，自动选择相应的预设镭射控制参数降低了切除预留的固化部分时破坏SIP模组的其他区域而造成产品报废的情况。
[0090]优选地，距离数据包括:预留的固化部分靠近裸露区域的一端以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端之间的距离。
[0091]具体的，预留的固化部分和裸露区域本身都非常微小，清晰明确地定义距离数据可以保证镭射光束被精确地控制，提高镭射光束成功切除预留的固化部分的机率，降低产生产品报废的情况。
[0092]在本发明的另一个实施例中，如图6所示，一种SIP模组的银胶沟槽的切割系统，包括:
[0093]控制模块10;
[0094]配置模块50，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，配置预设距离数据范围、预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数；
[0095]获取模块30，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，获取SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；以及，当填入沟槽的银胶固化后，在控制模块的控制下，获取预留的固化部分到SIP模组的裸露区域的距离数据;距离数据包括:预留的固化部分靠近裸露区域的一端以及裸露区域靠近预留的固化部分的一端之间的距离;获取模块30具体包括:采集子模块31，采集预留的固化部分到裸露区域的图片;处理子模块32，对图片进行处理，计算得到预留的固化部分到裸露区域的距离数据；
[0096]其中，沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置；
[0097]存储模块20，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，存储预设镭射控制参数，以及，存储预设距离数据范围；
[0098]镭射模块40，与控制模块10电连接，在控制模块10的控制下，根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；以及，在控制模块的控制下，根据距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通;镭射模块40包括:数据查询子模块41，查询距离数据所处的预设距离数据范围；参数获取子模块42，根据预设距离数据范围对应的预设镭射控制参数，获取距离数据对应的预设镭射控制参数;镭射切除子模块43，根据获取的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的固化部分，将固化区域和裸露区域打通；以及，根据沟槽切割数据，采用镭射在固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，沟槽与SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分。
[0099]具体的，由于塑封偏移的问题，使每个SIP模组的预留的固化部分的长度也不一样，因此需要根据实际情况来选择相应的预设镭射控制参数来保证预留的固化部分被准确切除，且第二次切除预留的固化部分后与第一次切出的银胶沟槽对齐，经过二次切割后只形成一道槽与裸露区域打通。预设的距离数据范围和其对应的预设镭射控制参数可以以程式的形式存储在工业计算机中，在获取了相应的距离数据后，根据实际情况自动选择相应的程式，在此程式的控制下对预留的固化部分进行切除。自动选择相应的程式，避免了手动切换作业程式造成的人为错误的发生，减小产品报废的机率。
[0100]应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，包括: 步骤SlO获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据； 所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置； 步骤S20根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分； 步骤S30当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据； 步骤S40根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。2.—种如权利要求1所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述步骤S30具体包括: 步骤S31采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片； 步骤S32对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。3.—种如权利要求1所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述步骤S40具体包括: 步骤S41查询所述距离数据所处的预设距离数据范围； 步骤S42根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数； 步骤S43根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。4.一种如权利要求1-3任一所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述步骤SlO之前还包括: 步骤SOO配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数。5.—种如权利要求1-3任一所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述距离数据包括: 预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的一端以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的一端之间的距离。6.一种SIP模组的制造方法，其特征在于，包括: 步骤SlOO在PCB的上表面焊接所述SIP模组所需的芯片、主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成所述SIP模组的PCBA; 其中，所述PCBA的上表面包括:待固化区域和裸露区域； 步骤S200对所述PCBA的上表面中待固化区域进行填胶，使胶覆盖所述PCBA的上表面中待固化区域的芯片、主动元件、被动元件，而后使胶固化制成固化区域，所述固化区域和所述裸露区域组成了所述SIP模组； 步骤S400获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据； 所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置； 步骤S500根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分； 步骤S600当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据； 步骤S700根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通； 步骤S800对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层。7.—种如权利要求6所述的SIP模组的制造方法，其特征在于: 所述EMI电磁屏蔽层将所述SIP模组打通后的所述固化区域和所述裸露区域连接，并对打通后的所述固化区域和所述裸露区域进行EMI电磁屏蔽。8.一种如权利要求6所述的SIP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S600具体包括: 步骤S610采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片； 步骤S620对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。9.一种如权利要求6所述的SIP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S700具体包括: 步骤S710查询所述距离数据所处的预设距离数据范围； 步骤S720根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数； 步骤S730根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。10.—种如权利要求6-9任一所述的SIP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S200和所述步骤S400之间还包括: 步骤S300配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述镭射控制参数。11.一种如权利要求6-9任一所述的SIP模组的制造方法，其特征在于，所述距离数据包括: 预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的一端以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的一端之间的距离。12.一种SIP模组的银胶沟槽的切割系统，其特征在于，包括: 控制模块； 获取模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；以及，当填入所述沟槽的银胶固化后，在所述控制模块的控制下，获取预留的所述固化部分到所述SIP模组的裸露区域的距离数据； 其中，所述沟槽切割数据包括:沟槽切割路径和沟槽切割位置； 存储模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，存储预设镭射控制参数； 镭射模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的所述裸露区域之间存在预留的固化部分；以及，在所述控制模块的控制下，根据所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。13.—种如权利要求12所述的SIP模组的银胶沟槽的切割系统，其特征在于，所述获取模块具体包括: 采集子模块，采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片； 处理子模块，对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。14.一种如权利要求12所述的SIP模组的银胶沟槽的切割系统，其特征在于: 所述存储模块，进一步用于存储预设距离数据范围； 所述镭射模块包括: 数据查询子模块，查询所述距离数据所处的所述预设距离数据范围； 参数获取子模块，根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数； 镭射切除子模块，根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通；以及，根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分。15.—种如权利要求12-14任一所述的SIP模组的银胶沟槽的切割系统，其特征在于，还包括: 配置模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数。16.—种如权利要求12-14任一所述的SIP模组的银胶沟槽的切割系统，其特征在于，所述距离数据包括: 预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的一端以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的一端之间的距离。
【文档编号】B23K26/38GK105904099SQ201610301017
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年5月9日
【发明人】张亮, 张少华
【申请人】环维电子(上海)有限公司