陶瓷基板的切割方法及电子设备的制造方法
【专利摘要】本发明涉及电子通信技术领域，公开了一种陶瓷基板的切割方法，包括将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件；使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板。本发明还提供了一种电子设备，包括电阻，所述电阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。本发明可以在不改变电阻制造主要制程的基础上，有效改善由于陶瓷熔渣重铸而导致的电子件失效问题。
【专利说明】
陶瓷基板的切割方法及电子设备
技术领域
[0001]本发明涉及电子通信技术领域，尤其涉及一种陶瓷基板的切割方法及电子设备。
【背景技术】
[0002]0201(英寸)和01005(英寸)等规格电阻，以及陶瓷天线等在电子领域内被广泛使用。目前行业内的制作流程一般是:先用激光对整张的陶瓷基板进行切割，然后在得到的陶瓷基粒两端依次镀上镍/铬合金层、镍层和锡层，形成上下电极导通，再经过后制程加工最终得到电阻成品。
[0003]但是，以电阻为例，在使用激光设备对陶瓷基板进行加工的过程中，由于激光的热冲击作用，切割出来的陶瓷基粒局部气化后的熔渣会堆积在切割位置形成重铸，使侧壁形成不规则的凹陷;进而在实施真空溅镀工艺时，由于陶瓷基粒侧壁的凹陷部分被遮挡，导致镍/铬合金层无法上镀；最终使电阻在表面组装(又称表面贴装，即SMT，Surface MountTechnology的缩写，是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺)等制程后发生开路，进而产生了成品电阻失效的问题。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是要提供一种陶瓷基板的切割方法及电子设备，可以在不改变电阻制造主要制程的基础上，有效改善由于陶瓷熔渣重铸而导致的电阻失效问题。
[0005]—方面，本发明提供了一种陶瓷基板的切割方法，包括:
[0006]将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件；
[0007]使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板。
[0008]另一方面，本发明还提供了一种电阻，所述电阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。
[0009]另一方面，本发明还提供了一种电子设备，包括电阻，所述电阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。
[0010]本发明的切割方法，通过将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件，使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板，实现了将陶瓷基板放在具有良好导热性的水冷液体中，使陶瓷基粒被切割位置的热量被及时导出，可以有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆积的情况，从而解决了由于熔渣堆积而导致的电阻或天线等需要电镀金属层的电子件失效的问题。
【附图说明】
[0011]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1是本发明的陶瓷基板的切割方法第一实施例的流程示意图；
[0013]图2是本发明的陶瓷基板的切割方法第二实施例的流程示意图。
【具体实施方式】
[0014]为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0015]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0016]参见图1，其为本发明的陶瓷基板的切割方法第一实施例的流程示意图。本发明的电阻陶瓷的切割方法的第一实施例包括以下步骤:
[0017]SlOl，将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件。
[0018]本发明实施例中，关于陶瓷基板的烧结、成型，可与现有的常规制程无异。当陶瓷基板成型后，将其整体浸入水冷液体中。本实施例中，水冷液体可以是比热容大于空气的液体，以创造一个迅速散热的切割环境。其中，水冷液体导热性良好，可以将加工中陶瓷基板上产生的能量及时分散，避免这些热量使陶瓷基板的切口位置发生反应;另外，液体对激光能量的吸收率低，减少激光能量的损耗。
[0019]本发明实施例中，所述水冷液体包括水。已知地，水的比热容是4.2kJ/(kg*K)，而空气的比热容约是1.4kJ/(kg*K)，也就是说常温下水每升高或降低一度吸收或放出的热量是空气的三倍左右;加之，无论从成本方面考量还是从环境保护方面着眼，使用水环境加工陶瓷基板都较为合适，因此使用水作为水冷液体。
[0020]S102，使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板。
[0021]本发明实施例中，利用激光设备发出激光将对浸入水冷液体环境中的陶瓷基板进行切割。其中，可以直接切出预设尺寸的陶瓷基粒，也可以在切割完后再进行折粒处理以得到陶瓷基粒。而后续再对陶瓷基粒进行溅镀等加工，并最终得到成品电阻。
[0022]本实施方式中，在导热性良好的液体环境中切割，切割中产生的热量被及时分散，避免陶瓷侧壁产生熔渣、重铸，有效改善陶瓷融渣重铸导致的电阻侧壁不上镀问题，消除了由于该问题而导致的电阻SMT后开路的可靠性隐患。
[0023]本发明提供的切割方法，通过将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件，使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板，实现了将陶瓷基板放在具有良好导热性的水冷液体中，使陶瓷基粒被切割位置的热量被及时导出，可以有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆积的情况，从而解决了由于熔渣堆积而导致的电阻或天线等需要电镀金属层的电子件失效的问题。
[0024]参见图2，其为本发明的陶瓷基板的切割方法第二实施例的流程示意图。本发明的电阻陶瓷的切割方法的第二实施例包括以下步骤:
[0025]S201，将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件。
[0026]本发明实施例中，所述水冷液体包括水。本步骤与本发明的陶瓷基板的切割方法第一实施例的相应步骤相同，此处不再赘述。
[0027]S202，将所述激光设备的激光发射部分置于所述水冷液体中。
[0028]本发明实施例中，将激光设备发出激光的部分，如激光头也浸入水冷液体中，可以防止激光在空气和水的界面位置发生折射造成能量散失，起到了节能的作用。
[0029]S203，控制所述激光设备以波长为300nm-800nm的激光，按预设尺寸切割所述陶瓷基板。
[0030]本发明实施例中，激光波长一般选择在300nm-800nm范围内，此范围内的激光穿透力强，同时水对此波长内激光能量吸收小，因此激光能量损耗低。其中，所述激光设备用于切割所述陶瓷基板的激光的波长包括532nm。当激光波长为532nm时，切割效果较好。
[0031]本发明提供的切割方法，通过将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件，将所述激光设备的激光发射部分置于所述水冷液体中，控制所述激光设备以波长为300nm-800nm的激光，按预设尺寸切割所述陶瓷基板，实现了将陶瓷基板放在具有良好导热性的水冷液体中，使陶瓷基粒被切割位置的热量被及时导出，可以有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆积的情况，从而解决了由于熔渣堆积而导致的电阻或天线等需要电镀金属层的电子件失效的问题。
[0032]上文对本发明的电阻陶瓷切割方法的实施例作了详细介绍。下面将相应于上述方法的装置(即电阻和电子设备)作进一步阐述。
[0033]本实施例的电阻，其陶瓷基板采用了上述的切割方法加工。
[0034]本实施例的电子设备，包括电阻，其中，所述电阻的陶瓷基板由上述的切割方法加工。
[0035]本发明提供的电子设备，由于其电阻的陶瓷基板在具有良好导热性的水冷液体中平滑切割，保证了端电极层的镀膜效果，实现了有效改善陶瓷基粒局部的熔渣堆积的情况，从而解决了由于熔渣堆积而导致的电阻失效的问题。
[0036]以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【主权项】
1.一种陶瓷基板的切割方法，其特征在于，包括: 将陶瓷基板整体置于水冷液体中，所述陶瓷基板用于制作电子件； 使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板的步骤之前，还包括: 将所述激光设备的激光发射部分置于所述水冷液体中。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用激光设备按预设尺寸切割所述陶瓷基板的步骤，包括: 控制所述激光设备以波长为300nm-800nm的激光，按预设尺寸切割所述陶瓷基板。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光设备用于切割所述陶瓷基板的激光的波长包括532nm。5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述水冷液体包括水。6.—种电阻，其特征在于，所述电阻的陶瓷基板由权利要求1-5任一项所述的切割方法加工。7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求6所述的电阻。
【文档编号】B23K26/38GK106001939SQ201610497255
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年6月27日
【发明人】谢长虹, 李明, 孙学彪, 殷向兵
【申请人】维沃移动通信有限公司