一种用于焊线机的轨道压板的制作方法

文档序号:8688728阅读:982来源:国知局
一种用于焊线机的轨道压板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉半导体封装设备领域,特别涉及一种用于焊线机的轨道压板。
【背景技术】
[0002]轨道压板是半导体封装行业中焊线机必备的机械装置之一,焊线机在焊线过程中需要引线框架处于一个非常稳定的状态才能够确保焊点均匀稳定受力,这是依赖于轨道压板实现的,轨道压板的作用是在焊线机焊线过程中将框架紧压在加热基座上,防止框架在设备轨道内左右抖动,其基本工作原理如图1所示。
[0003]目前应用较多的高密度引线框架最大的优势就是能够在不影响产品器件性能和可靠性的前提下降低单个芯片的封装成本,但带来的问题是随着框架密度的提高,框架基材上的冲孔数量就越来越多,孔与孔之间的间距也越来越小,这使得框架本身的支撑点变少,整体对外的硬度也将随之降低,框架对外硬度的下降导致其形态抵抗外力导致变形的能力下降。而SKW-ACB-3000型号的焊线机引线轨道压板的结构紧凑,但不足在于其迎着引线框架端头进入的一侧腔壁为直角,而轨道压板在工作时与加热基座的配合间隙极小,这就造成在引线框架进入所述轨道压板和加热基座之间的间隙时,其端头经常会碰到所述轨道压板进料端的直角,从而造成所述引线框架的形变,进而造成该生产流程卡料,造成引线框架报废。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种避免引线框架卡料的用于焊线机的轨道压板,包括压制区域和设置在压制区域中央的矩形焊接区域;所述压制区域用于将引线框架紧压在焊线机的加热基座上,所述焊接区域上设置有两列规则排列的焊接窗口 ;所述焊接区域的厚度薄于所述压制区域的厚度,从而在所述焊接区域下方形成了焊接腔,其特征在于,所述焊接腔迎着引线框架端头的一侧腔壁为倾斜的,其倾斜方向为沿着引线框架进入的方向。
[0005]优选的,所述焊接腔迎着引线框架端头的一侧腔壁的倾斜角度为45度。
[0006]与现有技术相比,本实用新型的有益效果:本实用新型提供一种用于焊线机的轨道压板,其焊接腔迎着引线框架端头的一侧腔壁为沿着引线框架进入的方向倾斜设置,可有效避免引线框架进入轨道压板时,由于引线框架的端头与所述焊接腔的腔壁抵住而导致引线框架变形,从而导致卡料的现象。
【附图说明】
[0007]图1为现有技术中引线框架进入轨道压板的截面图。
[0008]图2为本实用新型引线框架进入轨道压板的截面图。
[0009]图中标记:1-轨道压板,11-压制区域,12-焊接区域,13-焊接腔体,2_加热基座,3-引线框架。
【具体实施方式】
[0010]下面结合具体实施例对本实用新型作进一步的详细描述。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实施例,凡基于本【实用新型内容】所实现的技术均属于本实用新型的范围。
[0011]实施例1:如图2所示,本实施例提供一种避免引线框架卡料的用于焊线机的轨道压板,所述轨道压板I包括压制区域11和设置在压制区域中央的矩形焊接区域12 ;所述压制区域11用于将引线框架3紧压在焊线机的加热基座2上,所述焊接区域12上设置有两列规则排列的焊接窗口(图中未显出);所述焊接区域12的厚度薄于所述压制区域11的厚度,从而在所述焊接区域12下方形成了焊接腔13,其特征在于,所述焊接腔13迎着引线框架端头31的一侧腔壁为倾斜的,其倾斜方向为沿着引线框架3进入的方向,其倾斜角度可根据需要进行设定(如10度、30度、45度、60度、75度)。
[0012]优选的,所述焊接腔13迎着引线框架端头31的一侧腔壁的倾斜角度为45度。
【主权项】
1.一种用于焊线机的轨道压板,包括压制区域和设置在压制区域中央的矩形焊接区域;所述压制区域用于将引线框架紧压在焊线机的加热基座上,所述焊接区域上设置有两排规则排列的焊接窗口 ;所述焊接区域的厚度薄于所述压制区域的厚度,从而在所述焊接区域下方形成了焊接腔,其特征在于,所述焊接腔迎着引线框架端头的一侧腔壁为倾斜的,其倾斜方向为沿着引线框架进入的方向。
2.如权利要求1所述的用于焊线机的轨道压板,其特征在于,所述焊接腔迎着引线框架端头的一侧腔壁的倾斜角度为45度。
【专利摘要】本实用新型涉半导体封装设备领域,特别涉及一种用于焊线机的轨道压板。包括压制区域和设置在压制区域中央的矩形焊接区域;所述压制区域用于将引线框架紧压在焊线机的加热基座上,所述焊接区域上设置有两排规则排列的焊接窗口;所述焊接区域的厚度薄于所述压制区域的厚度,从而在所述焊接区域下方形成了焊接腔,所述焊接腔迎着引线框架端头的一侧腔壁为倾斜的,其倾斜方向为沿着引线框架进入的方向。这种结构可有效避免引线框架进入轨道压板时,由于引线框架的端头与所述焊接腔的腔壁抵住而导致引线框架变形,从而导致卡料的现象。
【IPC分类】B23K3-08
【公开号】CN204397126
【申请号】CN201520047607
【发明人】邓海涛, 胡晶, 王利华
【申请人】成都先进功率半导体股份有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2015年1月23日
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