专利名称：导电膜蚀刻剂及蚀刻方法
技术领域：
本发明涉及一种导电膜蚀刻剂，用于制造电子产品的电极图形，特别适用于制作弱光型非晶硅电池的透明电极的电极图形。
本发明还涉及刻蚀剂的蚀刻方法。
导电膜是由SnIno2制作的导电材料，溅射在玻璃板成膜，过去制作弱光型非晶硅电池的电极图形是用耐酸油墨，通过丝网印刷覆盖在导电膜上，未覆盖的部分用盐酸溶解，覆盖部分保留下来即为电极图形，其缺点是制作的电极图形线条不清晰，外观不整洁，电极导电膜易污染，成本高。
本发明的目的正是为了克服上述已有技术的缺点与不足，而提供一种通过化学反应采用印刷的方法的一种导电膜蚀刻剂，从而可得到优良的电极图形，提高产品质量。
本发明的另一目的是提供刻蚀剂的蚀刻方法。
本发明的技术是利用导电膜的SnIno2可与盐酸迅速反应的原理而研制的蚀刻剂。其化学反应为，再加入一些辅助材料制成涂料式的蚀刻剂。
本发明目的是通过下列技术方案实现的导电膜蚀刻剂，其特征在于它是由下述重量配比的原料制成的涂料盐酸 20-30份增稠剂 0.2-50份增塑剂 8-12份消泡剂 3-4份水 80-90份。
增稠剂是甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟甲基纤维素、黄原胶、淀粉其中任意一种。
增塑剂是邻苯二甲酸二甲酯、癸二酸二丁酯、乙二酸二辛酯、磷酸三甲酚酯其中的任意一种。
消泡剂是十四醇、乙二醇壬醚、B173、NoPco.600B、磷酸三丁酯其中任意一种。
本发明的蚀刻剂的刻蚀方法为将蚀刻剂用屏蔽网制成图形用丝印的方法印在导电膜上，放入空气中自然反应，时间为2小时，或放入烘箱内烘烤，其温度为60℃±2，时间3-5分钟即可蚀刻导电膜，然后在清水中冲洗或浸泡4小时，即刻蚀成透明的电极图形。
由于采取上述技术方案，使本发明技术与已有技术相比具有如下优点及效果a)本发明的蚀刻剂具有溶解速度快、蚀刻线条清晰，外观整洁，一致性好，不损伤导电膜，不污染导电膜表面，从而可提高电子产品的质量和性能；b)蚀剂剂组方简单，配方合理科学，产品成本低，气味小，污染小；c)蚀刻方法简单，省工省力，适用范围广。
实施例1取盐酸20g，甲基纤维素0.2g，邻苯二甲酸二甲酯12g，十四醇3g，水80g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例2取盐酸25g，羟丙基纤维素0.5g，癸二酸二丁酯10g，乙二醇壬醚4g，水25g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例3取盐酸30g，羟甲基纤维素1.0g，乙二酸二辛酯11g,B1733g，水90g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例4取盐酸22g，黄原胶20g，磷酸三甲酚酯10g,NoPco.600B4.5g，水88g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
实施例5取盐酸28g，淀粉50g，磷酸三甲酚酯8g，磷酸三丁酯3.5g，水85g。将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。
用实施例1蚀刻剂对4个单元电池组成的外联弱光型非晶硅光电池的透明电极图形时，把屏蔽网作成外联形状，通过丝印方法，把它印在沉积有导电膜的玻璃上，在涂有蚀刻剂的部分即被溶解，未溶解部分即保留下来，成为电极图形。
权利要求
1.导电膜蚀刻剂，其特征在于它是由下述重量配比的原料制成的涂料盐酸 20-30份增稠剂 0.2-50份增塑剂 8-12份消泡剂 3-4份水 80-90份。
2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于所述的增稠剂是甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟甲基纤维素、黄原胶、淀粉其中任意一种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于所述的增塑剂是邻苯二甲酸二甲酯、癸二酸二丁酯、乙二酸二辛酯、磷酸三甲酚酯其中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于所述的消泡剂是十四醇、乙二醇壬醚、B173、NoPco/600B、磷酸三丁酯其中任意一种。
5.如权利要求1所述的蚀刻剂的蚀刻方法，其特征在于将蚀刻剂用屏蔽网制成图形用丝印的方法印在导电膜上，放入空气中自然反应，时间为2小时，或放入烘箱内烘烤，其温度为60℃±2，时间3-5分钟即可蚀刻导电膜，然后在清水中冲洗或浸泡4小时，即刻蚀成透明的电极图形。
全文摘要
本发明涉及一种导电膜蚀刻剂及蚀刻方法,其特征在于它由盐酸、增稠剂、增塑剂、消泡剂和水组成,通过化学反应使导电膜的In
文档编号C23F1/16GK1311350SQ0013616
公开日2001年9月5日 申请日期2000年12月27日 优先权日2000年12月27日
发明者张青, 廖显伯 申请人:珠海道元科技发展有限公司