专利名称：反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及镀膜技术中的专用设备，尤其是一种实现不同镀膜层之间在线联镀的气体隔离装置。
氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)透明导电玻璃，是属于高科技产品，广泛的用于平面显示器件，例如TN型和STN型液晶显示器(LCD)。ITO透明导电玻璃由ITO导电膜、二氧化硅(SiO2)膜和基片玻璃组成，在LCD中ITO导电膜用作透明电极，SiO2膜镀在ITO导电膜和基片玻璃之间，作为阻挡层，防止玻璃中的碱金属离子扩散到ITO膜中，影响导电性能。
在中国大陆，ITO透明导电玻璃生产厂家很多，所用的成套生产设备多数是进口的，亦有少量是国产的，由于超薄平板基片玻璃生产和SiO2镀膜技术难度大，有些厂家直接进口已经镀好SiO2膜的基片玻璃，生产成本高；另一些工厂靠进口超薄基片玻璃用射频溅射工艺镀制SiO2，最外面的ITO导电膜一般使用直流磁控溅射制备。
目前在ITO透明导电玻璃生产设备中，普遍应用的是SiO2靶射频磁控溅射工艺镀制SiO2，工艺气体是氩气；应用ITO靶直流磁控溅射镀制ITO膜，工艺气体是氩气(Ar)，混有少量氧气。其存在的不足在于SiO2镀膜的沉积速率低，若工艺气体Ar气中的氧气量多了就影响产品质量(氧气含量为氩氧总量的1％-5％之间为宜)。若采用Si靶，中频双靶反应磁控溅射制备镀膜SiO2，由于工艺气体除氩气外，还要通入一定量反应气体氧气。此工艺与ITO直流溅射工艺在线联镀时，由于两种工艺的工艺气体差别很大，特别是反应溅射制备SiO2膜时通入较多的氧气。由于SiO2镀膜室与ITO镀膜室之间连通，氧气可能扩散到ITO镀膜室造成对ITO镀膜工艺的影响，生产上习惯用语称为“串气”，如何减小串气，使SiO2镀膜室的氧气不影响ITO镀膜室的工艺，这是双靶反应磁控溅射制备SiO2工艺能否在线应用的关键。
本实用新型的目的意在克服上述现有技术的不足，提出一种能大大减小串气，不影响导电膜镀膜质量的反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置。
实现上述目的的技术方案一种反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，在SiO2镀膜室与导电膜镀膜室之间设置有隔离室，隔离室两侧开有SiO2镀膜室气体入口和导电膜镀膜室气体入口，在隔离室上接有抽气泵。
隔离室是两个相通的隔离室，前后隔离室均开有镀膜室气体入口，前后隔离室均接有抽气泵。
隔离室两侧的镀膜室气体入口上置有阀门。
抽气泵是分子泵。
前隔离室接的抽气泵是分子泵，后隔离室接的抽气泵是扩散泵。
采用上述技术方案，以镀制ITO导电膜为例，由于在SiO2镀膜室与ITO镀膜室之间巧妙地设置了过渡隔离室，利用过渡隔离室上抽气泵的抽气作用，隔离了两个镀膜室的气氛，起到“气阱”的作用。由于“气阱”的作用，使SiO2镀膜室的氧气不影响ITO镀膜室的工艺，既保证了SiO2镀膜室的氧需要量，又保证不影响ITO镀膜质量，实现了本实用新型的目的。
经实验测试当SiO2镀膜室充入30SCCM氧气流量时，对ITO镀膜室气氛影响只相当于在ITO镀膜室中直接通入2 SCCM的氧流量，而ITO镀膜室内充入2 SCCM氧气，尚处在镀膜的工艺范围之内，况且实验是在SiO2镀膜室中设有真正镀膜时，也就是没有因反应消耗氧的情况下做的，所以可以认为实验模拟是可能出现的最坏情况，是保守的。实际镀膜情况，SiO2镀膜室在SiO2镀制过程中，充入的氧气一部份用于反应生成SiO2，一部份被分子泵和扩散泵抽走，少量的漂到ITO镀膜室，量很小，处在ITO镀膜工艺调整范围之内。
下面通过实施例详述其结构
图1是本实用新型的一种结构示意图。
图2是本实用新型的另一种结构示意图。
实施例一一种反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，导电膜为ITO导电膜，在SiO2镀膜室与ITO镀膜室之间设置有
图1所示的隔离装置，该隔离装置由隔离室1和抽气泵4组成，隔离室1上开有气体入口2和气体入口5，在气体入口(2、5)上置有阀门(3、6)。抽气泵4接在隔离室1的下方，抽气泵4可以是分子泵、扩散泵或其它各种类型的抽气泵。抽气泵工作时，将从气体入口2和气体入口5进入的各种气体抽走，从而消除了前后镀膜室之间不同种类的工作气体之间相互干扰，提高了镀膜质量。
实施例二又一种反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，在SiO2镀膜室与ITO镀膜室之间设置有图2所示的隔离装置，该隔离装置由隔离室1、隔离室2、抽气泵4和抽气泵5组成，隔离室1上开有气体入口6，隔离室1接抽气泵5，抽气泵5采用分子泵，隔离室2上开有气体入口3，隔离室2接抽气泵4，抽气泵4可采用扩散泵，隔离室(1、2)相通，隔离室(1、2)两侧的镀膜室气体入口(6、3)上置有阀门(7、8)。本实施例的抽气效果优于实施例一，保证了各镀膜室镀膜工艺的顺利进行。
权利要求1.一种反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，其特征在于它是由隔离室和抽气泵组成，隔离室的两侧有镀膜室气体入口，隔离室接抽气泵。
2.根据权利要求1所述反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，其特征在于隔离室是两个相通的隔离室，肖后隔离室均开有镀膜室气体入口，各隔离室接有抽气泵。
3.根据权利要求1或2所述反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，其特征在于隔离室两侧的镀膜室气体入口上置有阀门。
4.根据权利要求1所述反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，其特征在于抽气泵是分子泵。
5.根据权利要求1或2所述反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，其特征在于前隔离室接的抽气泵是分子泵，后隔离室接的抽气泵是扩散泵。
专利摘要一种反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置,它是由隔离室和抽气泵组成,隔离室的两侧有镀膜室气体入口,隔离室两侧的镀膜室气体入口上置有阀门,隔离室接抽气泵。由于“气阱”的作用,本实用新型巧妙地使不同镀膜室之间在线联镀时的“串气”现象得到了充分有效的抑制,特别是对于现中频反应溅射SiO
文档编号C23C14/10GK2441813SQ0024894
公开日2001年8月8日 申请日期2000年8月18日 优先权日2000年8月18日
发明者许生, 范垂祯, 李自鹏, 颜远全, 王建峰 申请人:深圳威士达真空系统工程有限公司