专利名称：预清室的微粒污染防止方法
技术领域：
本发明涉及一种预清室的微粒污染防止方法，特别指一种针对物理气相沉积(PVD)装置的预清室(preclean chamber)的微粒(particle)污染防止方法。
在半导体制造过程中，物理气相沉积(以下简称PVD)装置大多被用来进行金属镀膜工艺。现有的一种PVD装置如
图1所示，其主要由一缓冲室(bufferchamber)1、一预清室2、一搬迁室(transfer chamber)3、一工艺室(processchamber)4、及一机械手臂5等构成。
其中，该预清室2用以进行一晶片的预清步骤，如图2所示，该预清室2主要由一无线电波频率产生器(RF generator)21、一钟型缸(belijar)22、一防护体(shield)23、及一预清室本体24所构成。当欲进行晶片6预清时，晶片6会由该机械手臂5而被搬送到该预清室2中，然后，再将如氩气的气体导入于上述预清室2中，同时藉由该预清室2的无线电波频率产生器21将氩气解离成等离子(如图3所示)，进而利用等离子溅射(sputtering)晶片6方式将附着于该晶片6表面上的氧化物清除。
承上所述，由于晶片6的预清以等离子溅射(sputtering)晶片方式来达成，因此，在溅射的过程中会将该晶片6的表面成分击出，进而使其表面成分附着于上述预清室2的钟型缸22及防护体23上。此时，若PVD装置所进行的金属沉积工艺为闸极工艺的金属沉积工艺时，则通常于该预清室2进行预清的晶片6的表面成分主要为硅，换言之，在进行多次预清步骤后，该钟型缸22及防护体23上将会附着大量的富含硅氧化物(silicon-rich oxide)。
由于该钟型缸22通常由石英所形成，而石英与富含硅氧化物之间的附着效果并不佳，因此，当该钟型缸22上累积一定厚度的富含硅氧化物时，则其将会产生剥离现象，进而对该预清室2中的晶片6产生微粒污染，如此，将会对后续的金属薄膜工艺产生不良影响。为解决此问题，本领域的技术人员会在一定使用时间后，将钟型缸22加以清洗，以避免钟型缸22上的富含硅氧化物剥离所造成的微粒问题。
然而，由于每次清洗时须暂停生产，如此将会影响产能，故，如何有效延长预清室2的钟型缸22的使用时间，以降低保养次数，进而提高产能实为一重要课题。
有鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种可防止预清室的微粒污染，且可延长预清室的钟型缸的使用时间、降低其保养次数，进而可提高产能的预清室的微粒污染防止方法。
本发明的预清室的微粒污染防止方法的特征藉由将氧气通入预清室中，并利用无线电波频率将该预清室中的氧气解离成等离子，并使其与预清室中的富含硅氧化物反应，据以于该预清室内形成一二氧化硅层，以避免其富含硅氧化物快速剥离，据以达到延长预清室的钟型缸使用时间的目的。
为达到上述目的，本发明的预清的微粒污染防止方法包括以下步骤一提供氧气至预清室中的氧气提供步骤；及一利用无线电波频率将该预清室中的氧气解离成等离子，并使其与该富含硅氧化物反应，据以于该预清室内形成一二氧化硅层的等离子产生步骤。
承上所述，由于二氧化硅与钟型缸间的附着较佳，因此，当该预清室的钟型缸上形成有一富含硅氧化物层时，藉由氧与富含硅氧化物反应，则可产生二氧化硅，当二氧化硅涂布于钟型缸上时，则可避免富含硅氧化物快速剥离，进而延长钟型缸的使用时间。
以下结合附图来描述本发明的优选实施例。附图中图1是现有物理气相沉积装置的主要部分的示意图；图2是现有物理气相沉积装置的预清室的部分分解图；图3是一包含预清室的现有物理气相沉积装置的主要部分的简单示意图；以及图4是利用本发明的预清室的微粒污染防止方法的一实施例的示意图，图中所示为一包含预清室的物理气相沉积装置的主要部分的简单示意图。
1缓冲室 2预清室21无线电波频率产生器 22钟型缸23防护体 24预清室本体25气体导入口 3搬迁室4工艺室 5机械手臂6晶片在具体说明之前，欲事先说明的是，为说明上的便利，以及避免说明上的冗述，于本实施例中，有关PVD装置的预清室等相关构造说明沿用上述的图号。
本发明的预清室的微粒污染防止方法的利用时机在于一PVD装置的预清室的钟型缸上形成有一一定厚度富含硅氧化物层时使用。
本发明的预清室的微粒污染防止方法包括一氧气提供步骤、及一等离子产生步骤。
如图4所示，在氧气提供步骤中，氧气经由气体导入口25而被导入于预清室2中，更详而言之，氧气被导入到一由预清室2的钟型缸22等构件所形成的空间内。
如图4所示，于等离子产生步骤中利用无线电波频率将该预清室中的氧气解离成等离子，并使其与该富含硅氧化物反应，据以于该预清室的钟型缸22内形成一二氧化硅层，于本实施例中，无线电波频率由上述无线电波频率产生器21产生。
如上所述，由于二氧化硅与钟型缸间的附着较佳，因此，当该预清室的钟型缸上形成有一富含硅氧化物层时，则可藉由氧与富含硅氧化物反应而产生二氧化硅，而当二氧化硅涂布于钟型缸上时，则可避免富含硅氧化物快速剥离，进而延长钟型缸的使用时间。由于可延长钟型缸的使用时间，因此可以减少保养次数，进而达到提高产量的功效。
在本实施例所提出的具体的实施例仅为了易于说明本发明的技术内容，而并非将本发明狭义地限制于该实施例，在不超出本发明的精神及以下权利要求范围的情况，可作种种变化实施。
权利要求
1.一种预清室的微粒污染防止方法，其利用于一预清室中已形成有富含硅氧化物的情况下，其特征在于，该方法包括一氧气提供步骤，提供一氧气至该预清室中；及一等离子产生步骤，利用无线电波频率将该预清室中的氧气解离成等离子，并使其与该富含硅氧化物反应，据以于该预清室内形成一二氧化硅层。
2.如权利要求1所述的预清室的微粒污染防止方法，其中该预清室包括物理气相沉积装置的预清室。
3.如权利要求1所述的预清室的微粒污染防止方法，其中该预清室包括一钟型缸，而该二氧化硅层形成于该预清室的钟型缸上。
4.如权利要求3所述的预清室的微粒污染防止方法，其中该氧气供给至该预清室的钟型缸所形成的空间内。
全文摘要
一种预清室的微粒污染防止方法,包括一提供氧气至预清室中的氧气提供步骤;及一利用无线电波频率将该预清室中的氧气解离成等离子,并使其与该富含硅氧化物反应,据以于该预清室内形成一二氧化硅层的等离子产生步骤。藉由本发明的预清室的微粒污染防止方法则可避免因附着于一预清室中的富含硅氧化物快速剥离所造成的污染,进而达到延长预清室的钟型缸使用时间的目的。
文档编号C23C14/02GK1374412SQ0111099
公开日2002年10月16日 申请日期2001年3月9日 优先权日2001年3月9日
发明者郭家铭, 黄昭元 申请人:矽统科技股份有限公司