专利名称：具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及真空镀膜技术，具体地说，是一种氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃的在线镀膜装置。
工业上生产ITO导电玻璃一般采用磁控溅射法，虽然，磁控溅射法的工艺已经相对成熟，国内已有不少ITO透明导电玻璃生产厂家。但是仍然存在如下问题1、超薄基片玻璃生产方面还存在技术困难，不能生产，全靠进口；2、不能镀制SiO2膜，或采用射频溅射工艺，镀膜效率低。大多数厂家直接进口已经镀好SiO2膜的基片玻璃，或者在进口成套设备上用射频溅射制备SiO2膜，成本大大提高。而用传统的射频制备SiO2膜，又存在如下不足1、需使用价格昂贵的进口SiO2靶材，且溅射效率低；2、射频溅射电源功率利用率低、且发热严重；3、电源和匹配器价格高、易出故障。射频溅射仍然不是大面积高速率沉积SiO2膜的理想方案。
应用中频双靶反应溅射制备SiO2膜的工艺具有沉积速率高的特点，但是在反应磁控溅射制备SiO2的过程中，为了从Si靶上溅射出Si原子与O2化合，需要充入比较多的O2，O2/Ar约为10％～20％，而在制备ITO膜过程中，只需冲入少量氧气(O2)，O2/A2约为1％-5％。这样，在实现反应溅射制备SiO2膜与ITO膜联镀时，就遇到反应溅射SiO2镀膜室的反应气体氧有可能漂移到ITO镀膜室，从而造成对ITO工艺影响的问题。
如何降低SiO2膜的生产成本，并与ITO膜的在线联镀不仅是我国，而且也是国际上ITO产业面临的瓶颈难题。
实现上述目的的技术方案一种具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置，依顺序连接有前端过渡真空室、中频反应磁控溅射SiO2镀膜室、气体隔离装置、ITO镀膜室和后端过渡真空室，前、后端过渡真空室和ITO镀膜室分别接有抽气泵，气体隔离装置由隔离室和抽气泵组成，隔离室连接抽气泵，隔离室的前端连接中频反应磁控溅射SiO2镀膜室，隔离室的后端连接ITO镀膜室。
气体隔离装置由两个相通的隔离室、分子泵和扩散泵组成，连接中频反应磁控溅射SiO2镀膜室的隔离室接有分子泵，与ITO镀膜室相连的隔离室接扩散泵，ITO镀膜室接分子泵。
中频反应磁控溅射SiO2镀膜室内设置有中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置，中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置包括双靶、反应气体供气管道、工作气体供气管道、中频电源、压电阀控制器和压电阀，双靶装在屏蔽罩内，真空镀膜室内的反应气体供气管道位于双靶的对称中心线上，中频电源的两个输出端各接到一个靶上，中频电源的控制线接压电阀控制器，压电阀控制器的输出控制反应气体供气管道上的压电阀。
采用上述技术方案，本实用新型有效的技术效果在于1、通过在二氧化硅(SiO2)镀膜室与氧化铟锡(ITO)镀膜室之间设置两个隔离室，并通过分子泵和扩散泵进行抽气，巧妙地减少甚至隔离了连通的SiO2镀膜室与ITO镀膜室之间不同气氛的相互影响，尽可能地保持各自要求的工作状态，实现了二氧化硅(SiO2)膜与氧化铟锡(ITO)膜的在线联镀。2、将中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置用于ITO玻璃生产设备上，利用中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜具有速率高、成本低等的优点，提高了产品的产量和质量，降低了生产成本。
置的结构示意图。
图2是一种中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置结构示意图。
真空镀膜室3内设置的中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置，包括双靶20、中频电源13、压电阀控制器14、压电阀15、反应气体(氧)供气管道16、工作气体(氩)供气管道17、屏蔽罩18和基片架19，在真空镀膜室21内的反应气体供气管道26位于双靶20的对称中心线上，氧气均匀稳定地吹向基片架19上的基片上，双靶20装在同一个屏蔽罩8内，中频电源13(PEII型)的两个输出端各接一个靶20，中频电源13的控制线接压电阀控制器14(PCU-01过程控制单元)，压电阀控制器14控制反应气体(氧)供气管道16上压电阀5的开启程度。工作过程载有基片玻璃的基片架由前道工序经过渡室1进入镀膜室3，在镀膜室3内，经中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置在其玻璃基片表面镀上20-30nm厚的SiO2薄膜。当偶然原因影响靶20的工作状态时，靶20的电压和电流发生变化，这一变化由中频电源13检测并传送到压电阀控制器14，压电阀控制器14经过放大和相位识别，调整压电阀15的工作电压，改变氧气流量，使靶2恢复到原来工作状态，实现闭环控制。SiO2镀膜后，经过气体隔离室4进入ITO镀膜室10，在ITO镀膜室10内，在已镀有SiO2膜的基片玻璃上面，再镀上一层25nm左右厚度的ITO透明导电膜，最后经过过渡室9进入下面的工艺室。
本实用新型通过气体隔离室4隔离了SiO2镀膜室3和ITO镀膜室10之间不同工艺气氛的相互影响，中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜，具有速率高、成本低等的优点，提高了产品的产量和质量，降低了生产成本。
权利要求1.一种具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置，包括前端过渡真空室、ITO镀膜室和后端过渡真空室，前、后端过渡真空室、ITO镀膜室分别接有抽气泵，其特征在于在前端过渡真空室和ITO镀膜室之间设置有中频反应磁控溅射SiO2镀膜室和气体隔离装置，气体隔离装置由隔离室和抽气泵组成，隔离室连接抽气泵，隔离室的前端连接中频反应磁控溅射SiO2镀膜室，隔离室的后端连接ITO镀膜室。
2.根据权利要求1所述具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置，其特征在于气体隔离装置由两个相通的隔离室、分子泵和扩散泵组成，连接中频反应磁控溅射SiO2镀膜室的隔离室接有分子泵，与ITO镀膜室相连的隔离室接扩散泵，ITO镀膜室接分子泵。
3.根据权利要求1所述具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置，其特征在于中频反应磁控溅射SiO2镀膜室内设置有中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置，中频双靶反应磁控溅射制备SiO2膜装置包括双靶、反应气体供气管道、工作气体供气管道、中频电源、压电阀控制器和压电阀，双靶装在屏蔽罩内，真空镀膜室内的反应气体供气管道位于双靶的对称中心线上，中频电源的两个输出端各接到一个靶上，中频电源的控制线接压电阀控制器，压电阀控制器的输出控制反应气体供气管道上的压电阀。
专利摘要一种具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置,依顺序连接有前端过渡真空室、中频反应磁控溅射SiO
文档编号C23C14/35GK2516564SQ01258489
公开日2002年10月16日 申请日期2001年12月3日 优先权日2001年12月3日
发明者许生, 范垂祯, 周海军, 吴克坚, 高文波, 颜远全, 王建峰 申请人:深圳豪威真空光电子股份有限公司