专利名称：磁控溅射镀膜用真空腔室的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种磁控溅射镀膜用真空腔室，用于制造ITO透明导电玻璃。
技术背景决定ITO透明导电玻璃的质量好坏，主要表现在膜层的物理特性，国产生产线中使用的真空腔室由九个腔室组成，前3腔用于加热，后3腔用于氧化退火，中间3腔完成镀膜，用该九腔真空室生产的ITO透明导电玻璃，膜层不是很均匀，且发现膜层偶现崩裂现象，究其原因在于前者是加热时间偏短，玻璃基片受热不匀所致；后者是氧化退火时间短所至，当成品出真空腔室时，因温差过大，薄膜内应力未能消除贻尽，造成ITO膜出现崩裂、脱落现象，附着力不够，致使ITO透明导电玻璃的物理特性受影响，无法适应LCD对ITO不同方块电阻精度的要求。
发明内容
本实用新型正是为了克服上述不足，提供一种改进的磁控溅射镀膜用真空腔室，用其生产出的ITO透明导电玻璃物理性能优良，ITO膜层均匀、无裂纹、附着力强。主要改进在于增加真空腔室的首尾腔数，提高基片玻璃的加热均匀性和氧化退火效能的保持，从而保障和改善ITO透明导电玻璃膜层的质量，即膜厚均匀性，光学透过率和附着力等主要技术性能指标。具体是这样来实现的磁控溅射镀膜用真空腔室，由加热腔室、中频磁控反应溅射腔室、缓冲腔室、直流磁控溅射镀膜腔室和氧化退火腔室等真空腔室顺序串接组成，其特征在于增加首尾真空腔室的数量，即加热腔室至少设置4个，其包含有一腔进片室，氧化退火腔室也至少设置有4个。中频磁控反应溅射腔室用于镀二氧化硅，直流磁控溅射镀膜腔室用于镀ITO。
经单独调整运行速度试验，在原九腔室真空室基础上，加热时间只需增加约20％，氧化退火时间只需增加50％左右，便可基本解决现有技术的存在问题，即采用在原9腔真空腔室首尾各加一腔真空室(在腔2内增加加热装置)，用此11腔真空室制造的透明导电玻璃，膜层物理性能明显提高，可适应LCD对ITO不同方块电阻的要求。
11腔真空室是在试验基础上取得的一个较经济的增加投资方案，本实用新型还可以再增加加热腔室、氧化退火腔室的数量，以进一步增加其效果，使用的方块电阻范围会更宽。增加的预热腔室、氧化退火腔室的数量可根据产品的实际需求而定。从技术角度考虑，加热腔室可设置为4-6个、氧化退火腔室可设置为4-6个。
本实用新型通过增加加热腔室和氧化退火腔室的个数，解决了基片玻璃的加热均匀性，提高了氧化退火效能的保持，从而保障了导电玻璃膜层的质量，其物理性能指标较理想、生产效益得到提高，表现在。
a)膜层质量指标(以方电阻70～90Ω为例)膜层的均匀性≥92％；SiO2膜层光学透过率≥93％(国标为90％)；成品玻璃(含ITO膜)的光学透过率≥89％(国标为87％)；蚀刻时间≤25S(国标为40S)；附着力，按试验方法延长贴附时间3秒(即13秒)仍无损伤。
b)生产效率实施本技术前的传统生产节拍为150秒，而采用后可达到100秒，提高33％。
附图为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
实施例1，磁控溅射镀膜用真空腔室，由11腔室组成，首端设4个加热腔室、中间设3个镀膜用腔室、尾端设4个氧化退火腔室，11腔室依次串接的顺序为进片腔1→加热腔2→加热腔3→加热腔4→镀二氧化硅腔5→缓冲腔6→镀ITO腔7→氧化退火腔8→氧化退火腔9→氧化退火腔10→氧化退火腔11。
实施例2，参考实施例1，磁控溅射镀膜用真空腔室，由13腔室组成，首端5个加热腔室、中间3个镀膜用腔室、尾端5个氧化退火腔室依次串接一体。
实施例3，参考实施例1，磁控溅射镀膜用真空腔室，由15腔室组成，首端6个预热腔室、中间3个镀膜用腔室、尾端6个氧化退火腔室依次串接一体。
实施例4，参考实施例1，磁控溅射镀膜用真空腔室，由14腔室组成，首端6个预热腔室、中间3个镀膜用腔室、尾端5个氧化退火腔室依次串接一体。
权利要求1.磁控溅射镀膜用真空腔室，由加热腔室、中频磁控反应溅射镀膜腔室、缓冲腔室、直流磁控溅射镀膜腔室和氧化退火腔室等真空腔室顺序串接组成，其特征在于增加首尾真空腔室的数量，即加热腔室至少设置4个，其包含有一腔进片室，氧化退火腔室也至少设置有4个。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜用真空腔室，其特征在于首端的加热腔室为4-6个。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜用真空腔室，其特征在于尾端的氧化退火腔室为4-6个。
4.根据权利要求1、2、3之一所述的磁控溅射镀膜用真空腔室，其特征在于真空腔室由11腔室组成，首端4个加热腔室、中间3个镀膜用腔室、尾端4个氧化退火腔室。
专利摘要磁控溅射镀膜用真空腔室，用于制造ITO透明导电玻璃，由加热腔室、中频磁控反应溅射镀膜腔室、缓冲腔室、直流磁控溅射镀膜腔室和氧化退火腔室等真空腔室顺序串接组成，设备中增加了首尾真空腔室的数量，即加热腔室至少设置4个，其包含有一腔进片室，氧化退火腔室也至少设置有4个，通过增加加热腔室和氧化退火腔室的个数，解决了基片玻璃的加热均匀性，提高了氧化退火效能的保持，从而保障了导电玻璃膜层的质量，其物理性能指标较理想、生产效益得到提高。
文档编号C23C14/56GK2773098SQ200520070009
公开日2006年4月19日 申请日期2005年3月22日 优先权日2005年3月22日
发明者李俊, 朱殿荣 申请人:无锡康力电子有限公司