专利名称：催化剂增强的化学汽相淀积设备及利用该设备的淀积方法
技术领域：
本发明涉及催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备及利用该设备的淀积方法，并且更具体地说，涉及为防止催化剂丝(catalyst wire)因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力、并为防止生成异物而使用辅助气体的CECVD设备及利用该设备的淀积方法。
背景技术：
在半导体器件或显示器件的制造中，化学汽相淀积(CVD)方法业已广泛地用作在基片上形成预定薄膜的工艺方法之一。
化学汽相淀积工艺包括通过分解和/或激活等离子体中的源气体以生长膜的等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法，以及通过加热基片并以基片的热度引起化学反应以生长膜的热化学汽相淀积方法。此外，还存在通过利用发热元件来保持预定的高温以分解和/或激活源气体从而生长膜的CVD方法，该方法称为“发热元件CVD方法”。
就用于发热元件CVD方法的膜生长处理设备而言，当由诸如钨之类的高熔点金属制成的发热元件在真空腔内被保持在接近1,000℃～2,000℃的高温时，导入源气体。所导入的源气体在其经过发热元件的表面时被分解或激活。最终，被分解或被激活的源气体到达基片，以便在基片的表面上淀积薄膜。特别是，由于发热元件CVD方法使用形如丝的发热元件，故而该方法又称为“热丝CVD方法”。进一步，利用与发热元件的催化反应以分解或激活源气体的发热元件CVD方法，被称为“催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)方法”。
由于在CECVD方法中源气体在其经过催化剂的表面时被分解或被激活，所以与仅利用基片的热度来引起化学反应的热化学汽相淀积方法相比，CECVD方法在处理期间的基片温度得以有利地降低。进一步，有别于PECVD方法，CECVD方法不使用等离子体，这使得基片可免遭等离子体破坏。因此，CECVD方法被视为尤其适于制造具有高集成度、高性能和微距的下一代半导体器件、下一代显示器件等的膜生长方法。
发明内容
因此，本发明的一个方面是，提供一种改进的催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备和沉积处理。
本发明的另一目的是提供一种CECVD设备及利用该设备的淀积方法，其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力，并为防止异物生成而使用辅助气体。
本发明的前述和/或其他方面可通过提供一种CECVD设备实现，该设备装配有处理腔；喷头，其将处理气体导入处理腔；以及可拉伸的催化剂丝结构，其提供在处理腔中并分解从喷头导入的气体，其中由催化剂丝结构分解的的气体淀积于基片上。
根据本发明的一个方面，所述催化剂丝结构可构造为具有催化剂丝；多个张紧装置，它们连接到催化剂丝并向催化剂丝施加张力；支撑器，其支撑张紧装置；以及供电单元，其向催化剂丝供应电能。
根据本发明的一个方面，所述张紧装置可构造为具有由该支撑器支撑的主体；具有活塞和活塞杆的活塞单元，该活塞容纳在主体中，该活塞杆局部地贯穿主体并具有连接到催化剂丝的端；和弹性件，其容纳在主体中并用于向连接到活塞单元的活塞杆的催化剂丝施加张力。
根据本发明的一个方面，主体和支撑器可形成为一体。进一步，主体可在内部形成具有台阶状部分以便支撑活塞单元的活塞。此外，主体包括绝缘材料。
根据本发明的一个方面，活塞单元在其端部形成具有通孔以便使催化剂丝穿过并连接催化剂丝。优选地，该形成在活塞单元中的通孔为锥形或为圆形。
根据本发明的一个方面，该活塞单元可使用供气线路，该供气向线穿过活塞和活塞杆轴向延伸。更进一步，可用压缩弹簧作为弹性件。
根据本发明的一个方面，该供电单元可配置为具有电源；电缆，电能通过电缆由电源供应；以及连接端子，其使电缆与催化剂丝相连接。在该配置中，接线端子提供在支撑器上并包括绝缘材料。
根据本发明的一个方面，该支撑器可包括气体输入线路和供气线路，该供气线路供应气体给催化剂丝。
根据本发明的一个方面，连接到支撑器上的各个张紧装置的催化剂丝具有 形。
本发明的另一方面可通过提供一种CECVD方法实现，该方法包括步骤排空处理腔；将处理气体导入被排空的处理腔中；操作催化剂丝以便与处理气体发生反应；以及将与催化剂丝发生反应的处理气体淀积到位于处理腔中的基片上。
根据本发明的一个方面，该处理腔可作为使用催化剂丝结构的CECVD设备。更进一步，该CEVCD方法还可在导入处理气体之前净化处理腔。
根据本发明的一个方面，对催化剂丝的操作设想为加热催化剂丝，膨胀受热的催化剂丝，和向膨胀的催化剂丝施加张力。更进一步，施加张力到膨胀的催化剂丝使得张力施加到催化剂丝并使催化剂丝保持在张紧。
根据本发明的一个方面，通过配置张紧装置的催化剂丝结构向膨胀的催化剂丝施加张力。
根据本发明的一个方面，对催化剂丝的操作设想为向催化剂丝供应辅助气体。该辅助气体可由框架供应给连接到供气线路的催化剂丝结构。
通过结合附图并参考下述详细说明，对本发明的更加完整的评价及所伴随的诸多有益效果，将更加清楚并易于理解，附图中相似的附图标记表示相同或类似的部件，其中图1为传统的催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备的示意图；图2为示出图1所示传统CECVD设备中的催化剂丝结构的透视图；图3示出图1的传统CECVD设备中所使用的催化剂丝的松垂；图4A和图4B分别是作为根据本发明原理的一个实施例的CECVD设备中用于催化剂丝结构的催化剂丝的张紧装置的透视图和截面透视图；图5为示出图4的催化剂丝的连接部分的局部放大透视图；图6A和图6B为示意性示出沿图5所示VI-VI’剖面线截取后的通孔内部的可替换构造的截面图；图7是用于作为根据本发明原理的一个实施例的CECVD设备所使用的催化剂丝结构的供气线路的局部截面透视图；图8是用于作为根据本发明原理的一个实施例的CECVD设备的催化剂丝结构的透视图；图9是用于作为根据本发明原理的另一实施例的CECVD设备的催化剂丝结构的透视图；图10是具有作为根据本发明原理的第二实施例的催化剂丝结构的CECVD设备的示意图。
具体实施例方式
现在转向附图，图1为传统的催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备的示意图，该设备适于实践用于在基片(未示出)上形成薄膜的预定处理，该基片固定于被抽空的真空密闭腔1内。腔1与排气系统11相连，以便从腔1排出残余气体并保持腔1中的气体自由真空，腔1还与源气体供应系统21相连，以便供应用于形成薄膜的源气体给腔1。在腔1中，提供由框架31支撑的催化剂丝30，以便供应给该腔的源气体经过催化剂丝30的表面。催化剂丝30与供应电能的供电单元35相连，以使催化剂丝30被加热并保持在CECVD方法所需的预定温度。在此，供气单元2在腔1中面向催化剂丝30设置。
在腔1中，源气体被保持在预定高温的催化剂丝30分解和/或激活，以便在基片上形成预定的薄膜。因此，腔1中具有基片固定器4以便固定基片。
同时，附图标记5表示闸门阀，闸门阀适应基片进出腔1。基片固定器4通常具有加热单元(未示出)以便加热基片。
在图1所示CECVD设备中，源气体供应系统21包括充填有源气体的储气罐、供给压力调节器、流量调节器、供给/中断开关阀等，它们未被示出。因此，源气体从源气体供应系统21经提供在腔1中的供气单元2供应给腔1。
在混合两种以上源气体的处理中，为多种源气体中的每一种而提供两个以上的源气体供应系统21，并且这些源气体供应系统21并排连接到供气单元2。
供气单元2在腔1中面向催化剂丝30。进一步，供气单元2具有中空结构，并且在供气单元2对着基片固定器4的表面上具有多个注气出孔210。
同时，排气系统11通过能够调节排气速度的主阀12连接到腔1。由于主阀能够调节排气速度，故而腔1内的压力得以控制。
在此CECVED设备中，基片是待在其上形成薄膜的目标。基片通过闸门阀5进出腔1。
催化剂丝30通常形如线状，并以Z字型缠绕在框架31中。就此而言，至少在其一个表面上由绝缘材料制成的框架31支撑催化剂丝30。并且，催化剂丝30通过连接端子33连接到供电单元35的供电线路32。催化剂丝30通过供电线路32和连接端子33获取电能，从而加热基片并使之保持在预定温度。
通常，供电单元35供应直流(DC)电源或交流(AC)电源。通过电阻加热，催化剂丝30被加热到具有预定高温，并因此分解和激活源气体从而有效地生长膜。
由于催化剂丝30通过电阻加热被加热到具有预定温度，故而催化剂丝30应由诸如钨之类的高熔点金属制成。
在图1所示的CECVD设备中，将通过实例的方式说明形成硅薄膜和氮化硅薄膜的情况。
在形成硅薄膜的情况下，硅烷(SiH4)和氢(H2)的混合气体用作源气体。在形成氮化硅薄膜的情况下，硅烷(SiH4)和氨(NH3)的混合气体用作源气体。此时，腔1具有约0.1帕～100帕的压力。进一步，催化剂丝30被设置为具有预定温度，也就是约1,600℃～2,000℃的温度。更进一步，由基片固定器4支撑的基片被设置为因发热元件(未示出)而具有约200℃～250℃的温度。
图2为示意性地示出传统的CECVD设备的催化剂丝结构的透视图。
催化剂丝结构3通常被加热至高温，以致催化剂丝30因受热膨胀而松垂；图3示意性地示出了松垂。
催化剂丝30中的松垂的悬链，在远离框架31处更为明显。换言之，越靠近催化剂丝结构3的中心，催化剂丝30的松垂就越严重，这使得由催化剂丝30产生的辐射热无法均匀地沿基片整个面积的横向和纵向传播。
进一步，由于松垂的催化剂丝30对处理中的气体分解有反作用，因此对所淀积的薄膜的均匀性产生不利的影响。
此外，当催化剂丝30和框架31的连接处温度降低时，催化剂丝30周围将生成异物，从而对催化剂丝30造成损坏并降低其耐久性。
现在将参照附图详细说明本发明的示例性实施例。
图4A和图4B分别是作为根据本发明原理的一个实施例的CECVD设备中用于支撑催化剂丝结构的催化剂丝30的张紧装置300的透视图和截面透视图。
根据本发明该实施例的张紧装置300包括由框架31支撑的主体310；活塞单元330，其具有容纳于主体310中的活塞332和部分地穿过主体310的活塞杆334；以及弹性件320，其容纳于主体310中并用于向连接到活塞单元330的活塞杆334的催化剂丝30施加张力。
用于催化剂丝30的张紧装置300的主体310由具有环形脊340的框架31牢固地支撑，环形脊340则以放射状向内延伸以便与环绕主体310的外圆柱表面的匹配环形槽342保持啮合。就此而言，主体310可由与框架31相同的材料制成。可选地，主体310可由电绝缘性能优于框架31的材料制成。在另一实施例中，主体310和框架31可形成为一体。此外，主体310被形成为具有气体可通过的供气线路318。就此而言，供气线路318经活塞单元330向催化剂丝30供应气体(待下文说明)。
同时，在穿过主体310的内部轴向延伸孔中形成台阶312，更具体地说，在形成穿过主体310的供气线路318的孔中形成台阶312，因此，活塞单元330的活塞332由台阶312支撑，并且在活塞332由台阶312支撑时，向连接到活塞杆334的催化剂丝30施加最小张力。
活塞单元330往复地容纳于贯穿张紧装置300的主体310的轴向延伸孔中。活塞单元330包括活塞332和活塞杆334。就此而言，活塞332完全地容纳于主体310中，而活塞杆334沿垂直地远离支撑主体310的框架31的方向从活塞332延伸出。从活塞332延伸出的活塞杆334的自由远端344暴露于主体310之外。就此而言，活塞332和活塞杆334可形成为一体，也可形成为彼此可分离的联体。
进一步，活塞单元330形成为具有形成供气线路338的居中轴向延伸孔，气体可通过供气线路338从活塞332供应至活塞杆334。由于供气线路338物理连接到形成在主体310中的供气线路318并与供气线路318连通，因而来自源气体供应系统21的气体从供气线路318通过供气线路338供应至催化剂丝30，而从活塞杆334具有的孔中排出的气体大体上轴向对准催化剂丝30的相应纵向长度。本质上而言，活塞332起到喷嘴的作用，其以紧密地接近丝30的相应长度的方式排出源气体。
图5为图4的催化剂丝30中由接合和支撑转弯的远端344形成的连接部分的局部放大透视图。
暴露于主体310之外的活塞杆334的自由远端344被通孔336穿透，催化剂丝30的一个转弯从通孔336穿过以便固定连接到框架31的丝30。因此，通过使催化剂丝30的转弯或者弯曲穿过通孔336，催化剂丝30连接到框架31。此时，催化剂丝30的转弯在穿过通孔336时与通孔336的表面接触，因此，优选使活塞332和活塞杆334在远端334被通孔336穿透，并且它们由电绝缘材料制成。更优选地，考虑到运动时在主体310的内壁与活塞332之间发生的摩擦，活塞单元330由与主体310相同的材料制成。
图6A和6B为示出位于图5中所示通孔336内部的转弯处的催化剂丝30的部分的截面示意图。
在中空的远端344中的通孔336的壁厚，可如图6A所示形成接触锥点346，在接触锥点346处通孔336的边缘与催化剂丝30的转弯物理接合，或如图6B所示形成接触圆点348，以便在催化剂丝30转弯端或弯曲处附近形成弯角，该弯角在催化剂丝30穿过通孔336的通孔336入口处足够和缓。亦即，催化剂丝30在转弯端或弯曲处形成和缓的角，而非尖锐的角，因此，万一催化剂丝30因经历加热和冷却的交替循环而硬化，丝30也可免于因在其接触点上与远端322的壁接触而受损。
为向通过通孔336连接到框架31的催化剂丝30的每段长度上施加张力，主体310上设置有弹性件320，弹性件320围绕活塞杆334同轴设置且在活塞332与活塞单元330内端处的台阶349之间被压缩。由于压缩，弹性件320附加地施加对抗主体310的活塞332的台阶312的力，该力沿轴向朝内施加到活塞332，这将催化剂丝沿其轴向长度拉向框架31。
图7为合并在根据本发明一个实施例的CECVD设备中的催化剂丝结构的供气线路的局部截面透视图，图8为根据本发明一个实施例的CECVD设备中的催化剂丝结构的透视图，而图9为根据本发明第二实施例的CECVD设备的催化剂丝结构的透视图。
根据本发明第一实施例的CECVD设备的催化剂丝结构3包括催化剂丝30；多个将催化剂丝30的转弯连接到框架31的张紧装置300；以及供应电能给催化剂丝30的供电单元35。
催化剂丝30沿其长度在相应的转弯处顺序连接到多个张紧装置300。例如，催化剂丝30可为单根线，并交替地连接在位于框架31相对侧的多个张紧装置300之间，其中这些互相面对的多个张紧装置300在框架31的张力下被往复地固定。催化剂丝30的对端连接到供电单元35并从供电单元35接收电能。
如图8所示，催化剂丝30能够采用图2所示的催化剂丝结构3的图案，以Z字形连接串在位于框架31相对侧的连续张紧装置300之间。更优的，如图9所示，催化剂丝30能够连接到位于框架31上的张紧装置300，通过在连续的相邻张紧装置300对之间交替以形成具有 形(即直角的S形)的图案。与图8相比，在图9的交替S形连接结构中，在连接到张紧装置300的催化剂丝30的每个转弯处的弯角都得以增大，这使得图9的交替连接结构优于图8中的结构。进一步，尽管催化剂丝30在加热与冷却的过程之间交替，但是催化剂丝30却能免于因热硬化而受损。同时，将图9所示的这种交替连接结构应用于如图6A和6B所示通孔336的接触点348，可更加有效地降低因物理接触对催化剂丝30造成的其它损坏。
在该处理期间供应电能给催化剂丝30的供电单元包括电源35；电缆32，电能从电源35通过电缆32供应；和连接端子33，连接端子33将电缆32连接至催化剂丝30。在这种结构下，连接端子33优选形成在框架31上。连接端子33由电绝缘材料制成以便更加有效地进行电能输送。
框架31形成为具有供气线路358，以便经气体输入线路350向催化剂丝30供应气体。气体输入线路350连接到框架31的相对侧，并在随后连接到多个张紧装置300中的每一个张紧装置。气体输入线路350与从喷头2排出的处理气体隔开地向催化剂丝30供应气体。因此，气体从气体输入线路350经供气线路358供应给位于框架31相对侧的多个张紧装置300。就此而言，主体310中的供气线路318和活塞单元330的供气线路338经框架31与气体输入线路350的供气线路358连通。进一步，经供气线路358、供气线路318和供气线路338从气体输入线路350供应给催化剂丝30的气体，可防止因催化剂丝30与张紧装置300之间的连接区域上的不可避免的热损失造成周围温度降低而导致在催化剂丝30上形成异物。
图10是作为本发明第二实施例构造的具有催化剂丝结构的CECVD设备的示意图。
根据本发明第二实施的CECVD设备包括处理腔1；喷头2，其倾泻处理气体到处理腔1；和可拉伸的催化剂丝结构3，其提供在处理腔1中并分解供应自喷头2的气体，其中由催化剂丝结构3分解的气体通过升华在基片(未示出)上淀积。
喷头2提供在处理腔1中并倾泻气体。从喷头2倾泻出的处理气体，在根据本发明实施例的催化剂丝结构3中被分解为所需的材料，并在随后淀积到由基片固定器4固定的基片上。以此结构，催化剂丝结构3的气体输入线路350贯穿处理腔1的壁，并暴露于空气中，其中气体供应自位于腔1外部空气中的气体源(未示出)。进一步，催化剂丝结构3通过贯穿处理腔1的壁的电缆32，接收来自位于空气中的供电单元35的电能。
以下采用示例的方式，参照图10说明根据本发明实施例的CECVD设备在淀积硅薄膜情况下的操作。
在腔1被排气系统11抽空之后，SiH4气体通过喷头2倾泻向基片4，以便在基片4上淀积硅薄膜。经前述处理之后的催化剂丝30被供电单元35加热，这使得其因受热膨胀而趋于松垂。此时，由框架31支撑并连接催化剂丝30的多个张紧装置300，借助于活塞单元330和对活塞单元330的向内运动作出反应的弹性件320，向每一根与其相连的催化剂丝30施加张力。该张力，即弹性件320的弹力，可根据处理、处理条件、催化剂丝30的材料、腔1的尺寸而变化。例如，在不损坏催化剂丝30的前提下，该张力，即弹性件320的弹力可设置为具有许可值。因此，由张紧装置300施加的张力，可防止催化剂丝30如图3所示地松垂。
进一步，氢(H2)气依次经供气线路358、供气线路318和供气线路338，从气体输入线路350供应。H2气从活塞杆334的自由端倾泻向催化剂丝30，并最终供应给催化剂丝30的整个区域。因此，所供应的H2气可防止因催化剂丝30与张紧装置300之间的连接区域上的不可避免的热损失造成温度降低而导致在催化剂丝30上形成异物。
以下详细说明按照本发明原理的实施例实施的CECVD方法。
首先，在排气步骤中将处理腔抽空。通常，在排气步骤期间，处理腔1由排气系统11抽空。随后，在处理开始步骤中将处理气体导入被抽空的处理腔1，在催化剂丝操作步骤中处理气体通过与催化剂丝30的反应被分解，并且经分解的处理气体淀积到由固定器4固定于处理腔中的基片的暴露表面上，以此在基片的暴露表面上形成膜。
就此而言，处理腔即为作为本发明实施例的使用催化剂丝结构的CECVD设备。
进一步，可在开始步骤之前执行净化步骤以净化处理腔。在净化步骤中，在该状态下诸如氢气之类的气体被导入，使得催化剂丝30被加热，从而净化处理腔和催化剂丝。通过净化步骤，可防止因实际处理中产生的异物而导致杂质注入薄膜。
在执行处理时，催化剂丝被加热。此时，催化剂丝因受热膨胀而延伸，并因此在框架31中出现向下松垂。根据本发明实施例，催化剂丝结构的张紧装置向松垂的催化剂丝30施加张力。
以此而言，即便催化剂丝被拉长和延伸，但由于在所施加的张力作用下被张紧，所以催化剂丝将在张力作用下保持平衡状态。同样，即便催化剂丝被进一步拉长，但通过上述操作，催化剂丝仍张紧在平衡状态。
前述操作由CECVD设备的催化剂丝结构实现，更特别地由催化剂丝结构的张紧装置实现。
在催化剂丝和张紧装置之间的连接区域处，由于受热的催化剂丝与未受热的张紧装置之间的热传递导致出现热损失，所以异物更倾向于在催化剂丝的连接部分形成。为防止在该连接部分上形成异物，可向催化剂丝和张紧装置之间的连接区域供应辅助气体。该辅助气体可通过提供在催化剂丝结构中的气体供应线来供应，该气体供应线的结构、器件和效果如前所述。
如上述段落所述，本发明提供了一种CECVD设备和利用该设备的淀积方法，其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力，并且为防止产生异物而使用辅助气体，因此，消除了基片温度不均匀的发生和伴随的薄膜生长不均匀的发生，并提高了催化剂丝耐久性和寿命。
尽管仅已示出并说明了本发明的几个实施例，但是本领域的技术人员应理解在不背离发明原理和精神的前提下，可对这些实施例做出改动，本发明的范围应由权利要求及其等同替换来界定。
权利要求
1.一种催化剂增强的化学汽相淀积设备，包括处理腔；喷头，其将处理气体导入处理腔；以及可拉伸的催化剂丝结构，其提供在处理腔中并分解从喷头导入的处理气体，其中，由催化剂丝结构分解的的气体淀积于基片上。
2.根据权利要求1所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述催化剂丝结构包括催化剂丝；多个张紧装置，它们连接到催化剂丝并向催化剂丝施加张力；框架，其支撑张紧装置；以及供电单元，其向催化剂丝供应电能。
3.根据权利要求2所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述张紧装置包括由该框架支撑的主体；活塞，其往复地容纳于主体中且其远端连接到催化剂丝；以及弹性件，其由主体固定并向活塞施加张力。
4.根据权利要求3所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述主体和所述框架形成为一体。
5.根据权利要求3所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述主体为具有台阶的中空形，该台阶限制活塞的往复。
6.根据权利要求3所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述主体包括电绝缘材料。
7.根据权利要求3所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述远端被通孔贯穿，所述通孔适应穿过自身的催化剂丝的转弯通过。
8.根据权利要求7所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中在与催化剂丝相接触的点处，所述形成在活塞中的通孔可选择地为锥形或为圆形。
9.根据权利要求3所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述活塞进一步包括穿过活塞和活塞杆的轴向延伸的供气线路。
10.根据权利要求3所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述弹性件包括被所述主体保持为压缩的弹簧。
11.根据权利要求2所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述供电单元包括电源电缆，其供应由电源供给的电能；以及端子，其使电缆与催化剂丝相连接。
12.根据权利要求11所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述端子安装在框架上。
13.根据权利要求12所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述端子包括电绝缘材料。
14.根据权利要求2所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述框架进一步包括气体输入线路和供气线路以便向催化剂丝供应气体。
15.根据权利要求2所述的催化剂增强的化学汽相淀积设备，其中所述催化剂丝串在位于框架相对侧的张紧装置中的相应张紧装置之间，以形成 形。
16.一种催化剂增强的化学汽相淀积方法，包括通过排空处理腔产生真空；将处理气体导入被排空的处理腔中；暴露催化剂丝以便与处理气体发生反应；以及将处理气体和催化剂丝之间的反应的沉积物淀积到位于处理腔中的基片上。
17.根据权利要求16所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，其中所述处理腔包括以催化剂丝结构使用催化剂的催化剂增强的化学汽相淀积设备。
18.根据权利要求16所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，进一步包括在导入处理气体之前净化该处理腔。
19.根据权利要求16所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，包括通过下述步骤引起所述反应加热催化剂丝；使受热的催化剂丝膨胀；以及向膨胀的催化剂丝施加张力。
20.根据权利要求19所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，其中所述张力通过下述步骤施加到膨胀的催化剂丝将催化剂丝串在安装于所述框架的相对侧的多个分立的张紧装置之间；以及使张紧装置保持在张紧。
21.根据权利要求20所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，包括通过位于多个在框架的相对侧被保持在张紧的张紧装置之间的催化剂丝，向被串起的催化剂丝施加张力。
22.根据权利要求19所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，包括在所述反应期间向催化剂丝供应辅助气体。
23.根据权利要求20所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，包括经供气线路向催化剂丝提供辅助气体，所述供气线路通过张紧装置排放辅助气体。
24.一种催化剂增强的化学汽相淀积方法，包括将催化剂丝串在多个张紧装置之间，所述张紧装置在位于居中地配置在处理腔内的框架的相对侧被往复地保持为张紧；将被导入该处理腔的真空中的处理气体导引至流经催化剂丝；以及暴露基片的表面，以便淀积来自处理气体与催化剂丝的反应的升华物。
25.根据权利要求24所述的催化剂增强的化学汽相淀积方法，包括通过形成在张紧装置的远侧的孔，将辅助处理气体轴向对准催化剂丝的相应长度地导入该处理腔。
全文摘要
本发明公开了一种催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备和淀积方法，其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力，并且为防止产生异物而使用辅助气体。该CECVD设备可构造为具有处理腔、将处理气体导入处理腔的喷头、和提供在处理腔中并分解从喷头导入的处理气体的可拉伸的催化剂丝结构，由催化剂丝结构分解的气体淀积于基片上，从而使张力施加到催化剂丝以便防止催化剂丝因热变形导致松垂，且使用辅助气体从而防止产生异物，因此消除了基片温度不均匀的发生和膜生长不均匀的发生，并随之提高了催化剂丝的耐久性。
文档编号C23C16/448GK1861839SQ200610078368
公开日2006年11月15日 申请日期2006年5月15日 优先权日2005年5月13日
发明者康熙哲, 古野和雄, 金汉基, 金明洙 申请人:三星Sdi株式会社