溅射设备及其驱动方法以及使用该设备制造基板的方法

文档序号:3244770阅读:223来源:国知局
专利名称:溅射设备及其驱动方法以及使用该设备制造基板的方法
技术领域
本发明涉及一种处理设备,更具体地涉及能够轻松地处理大面积基板的溅射设备、驱动该溅射设备的方法,以及使用该溅射设备制造基板的方法。
背景技术
以下将称为基板的半导体晶片或者诸如液晶显示(LCD)器件和等离子显示面板(PDP)的显示面板,通过重复执行多个诸如沉积工序和蚀刻工序的工序来制造。各个工序使用单独的处理设备来执行。在这些设备中,用于形成沉积的溅射设备是制造基板的基本设备。
图1为根据现有技术的溅射设备的截面图。
参照图1,该溅射设备包括基座2和设置为面对该基座2的多个靶装置(target device)4。
待处理的基板1紧固地安装在基座2上,并且将预定的正电压施加给基座2。
设置靶装置4,从而使得它们面对基座2或基板1并且以直线排列在相同的表面上。彼此相邻的靶装置4之间的间隙的宽度“w2”非常小,从而靶粒子均匀地沉积在基板1上。例如,宽度“w2”远小于靶装置4的宽度“w1”。也就是说,设置靶装置4,使得它们彼此之间具有非常小的宽度“w2”并面对基座2。
各个靶装置4包括靶5、烘焙板(baking plate)6和磁体7。因此,溅射设备包括多个靶5、多个烘焙板6和多个磁体7。
将预定的负电压施加给各个靶5,并且靶粒子由于各个靶5和离子之间的碰撞而从各个靶5发射出去。
各个烘焙板6支撑靶5并且保持靶5的温度为恒定的室温。因此,靶5固定在烘焙板6面对基座2的的前表面上。
磁体7设置在烘焙板6的后表面,从而磁体7允许电子聚集以促使在靶5和基座2之间的内部空间8中的等离子放电。
靶5和基座2之间的内部空间8填充有用于等离子放电的惰性气体(例如,氩气)。
现将说明上述溅射设备的工作原理。当在基座2和靶5之间施加预定的高压时,填充在内部空间8中的氩气离子化为Ar+离子以产生等离子体。因为通过磁体7的磁场收集了更多的电子,所以产生的等离子体可变成高浓度的等离子体。高浓度的等离子体的区域包含Ar+离子。在高浓度的等离子体的区域和施加有预定的负电压的靶5之间产生预定的电势差。包含在高浓度等离子体区域的Ar+离子通过预定电势差的能量而加速并因此撞击靶5。这些撞击造成靶5发射靶粒子,并且发射的靶粒子沉积在基板1上。
随着近来待处理的基板的尺寸的增加,用于处理这样基板的溅射设备也在增大。
特别是,靶装置4的数量随着基板1的尺寸的增加而增加,从而增加了溅射设备的成本。另外,溅射设备的尺寸也随着靶装置4的数据的增加而增加。通常,为了将靶粒子同样均匀地沉积在基板1的边缘区域,设置靶装置4,使得靶装置4的总宽度d2大于基板1的宽度“d1”。在这种情况下,溅射设备的尺寸进一步增加并且因此溅射设备的占地面积也进一步增加。
靶装置4紧固地固定在外壁或支撑上,从而靶装置4不能在任何方向上(例如,垂直方向或水平方向)移动或旋转。因此,发射自各个靶5的靶粒子主要沉积在面对的基板1上。也就是说,如图2所示,靶5与位于靶5前方的Ar+离子碰撞,通过上述碰撞,从靶5发射靶粒子,并且发射的靶粒子稍微扩散并沉积在面对的基板1上。在这种情况下,从彼此相邻的靶5处发射的靶粒子沉积在与该相邻的靶5之间的边界区域相对的基板1上。因此,如图3所示,沉积在基板1中与该相邻的靶5之间的边界区域相对的第一区域p1上的靶粒子多于沉积在基板1的与靶5相对的第二区域p2上的靶粒子。因此,形成在基板1上的层9具有不平坦的表面。
其上形成有不平坦的层9的基板1在工作特性和图像质量特性方面表现低劣。

发明内容
因此,本发明提出了一种溅射设备及其驱动方法,以及使用该设备制造基板的方法,其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷带来的一个或多个技术问题。
本发明的目的是提供一种减小尺寸的溅射设备及其驱动方法,以及使用该设备制造基板的方法。
本发明的另一个目的是提供一种可以减少成本的溅射设备及其驱动方法,以及使用该设备制造基板的方法。
本发明的再一个目的是提供一种可以提供均匀性的溅射设备及其驱动方法,以及使用该设备制造基板的方法。
本发明的其它优点、目的及特征将在下述说明书部分得到阐明,并且其对于本领域的普通技术人员来说由阅读以下阐述而了解是显而易见的或由本发明的实践中理解。本发明的目的及其他优点可由在书面的说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构实现和获得。
为了实现这些目的及其它优点以及根据本发明的目的,如此处具体及概括阐明地,本发明提供一种溅射设备,包括其上紧固安装有基板的基座;以及面对所述基板设置并且彼此平行的多个靶装置,并且各个靶装置可旋转。
在本发明的另一技术方案中,提供了一种溅射设备,包括其上紧固安装有基板的基座;以及面对所述基板设置并且彼此平行的多个靶装置,并且各个靶装置可以与所述基板平行的方向移动。
在本发明的另一技术方案中,提供了一种驱动溅射设备的方法,该溅射设备包括其上紧固安装有基板的基座以及面对所述基板设置并且彼此平行的多个靶装置,该方法包括在第一驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕安装在其内的轴以第一方向旋转;以及在第二驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕所述轴以第二方向旋转。
在本发明的另一技术方案中,提供了一种驱动溅射设备的方法,该溅射设备包括其上紧固有基板的基座以及面对所述基板设置并且彼此平行的多个靶装置,该方法包括在第一驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕安装在其内的轴以第一任意方向旋转;以及在第二驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕所述轴以第二任意方向旋转。
在本发明的另一技术方案中,提供了一种使用溅射设备制造基板的方法,该溅射设备包括基座以及面对所述基座设置并且彼此平行的多个靶装置,该方法包括将所述基板紧固安装在所述基座上;将各个所述靶装置绕安装在其内的轴旋转;以及使用所述旋转的靶装置处理所述基板。
应该理解对本发明进行的上述的概括说明和以下的详细说明为示例性和解释性的,并旨在提供如权利要求书所述本发明的进一步解释。


包括用于本发明进一步理解并且结合构成本申请一部分的附图,阐明了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理,其中图1为根据现有技术的溅射设备的截面图;图2为示出从现有技术的溅射设备的靶发射出的靶粒子的传播方向的示意图;图3为示出使用现有技术的溅射设备形成在基板上的层的形状的示意性截面图;图4为根据本发明的溅射设备的示意性平面图;图5为根据本发明的溅射设备的示意性截面图;图6为示出根据本发明的第一实施方式的靶装置的旋转的示意性截面图;图7为示出第二实施方式的示意性截面图,其中中心靶装置固定而边缘靶装置可旋转;图8为示出第三实施方式的示意性截面图,其中靶装置的旋转角度从中心到边缘逐渐增加;图9为示出第四实施方式的示意性截面图,其中靶装置可随意旋转;图10为示出第五实施方式的示意性截面图,其中靶装置成对旋转;图11为示出第六实施方式的示意性截面图,其中靶装置可以移动;以及图12为示出第七实施方式的示意性截面图,其中靶装置可旋转并移动。
具体实施例方式
以下将参照附图更详细地说明在附图中所示的本发明的优选实施方式。尽可能的,在附图中使用相同的附图标记指明相同或相应的部分。
图4为根据本发明的溅射设备的平面图,并且图5为溅射设备的截面图。
参照图4和图5,根据本发明的溅射设备包括基座(未图示)和设置为与基座面对的多个靶装置20a、20b和20c。基板22紧固地安装在基座上并且将正电压施加给基座。各个靶装置20a、20b和20c包括靶、烘焙板和磁体。将负电压施加给该靶并且从各个靶发射出靶粒子。烘焙板保持靶的温度为恒定的室温。磁体导致高浓度等离子体的形成。靶、烘焙板和磁体在现有技术中已公知,因此为了简洁,省略其详细说明。
靶装置20a、20b和20c可分别在它们与基板22平行的轴24a、24b和24c上旋转。轴24a、24b和24c可形成在靶装置20a、20b和20c中。
因此,从靶装置20a、20b和20c在轴24a、24b和24c上的第一和第二方向上发射靶粒子,并且因此该发射的靶粒子可均匀地沉积在基板22上。所以,基板22可制造成具有高可靠性和均匀性的层。
另外,该发射的靶粒子以第一和第二方向更宽地沉积在基板22上。所以,即使靶装置20a、20b和20c的总宽度“d”减小,该发射的靶粒子也可均匀地沉积在具有远大于总宽度d的宽度c的基板22上。因此,靶装置的所需数量可减小并且因此使制造成本和占地面积减小。
各个靶装置20a、20b和20c具有在一个方向上伸长的矩形形状,并且靶装置20a、20b和20c彼此平行排列。这仅为一种实施方式,并且如果必要,各个靶装置20a、20b和20c可具有正方形或圆角正方形的形状。另外,虽然如图4所示的靶装置20a、20b和20c数量为3个,但是如果必要,也可在溅射设备中仅使用单个靶装置。
给出的以下描述假定各个靶装置20a、20b和20c具有矩形形状。然而,对于本领域的技术人员而言显然本发明并不限于此。
靶装置20a、20b和20c可绕轴24a、24b和24c以第一或第二方向(即,顺时针或逆时针方向)上旋转。轴24a、24b和24c沿着靶装置20a、20b和20c的纵向方向延伸。轴24a、24b和24c安装在靶装置20a、20b和20c中,从而使得轴24a、24b和24c以预定距离与基板22隔开。因此,预定的距离对应于基板22与靶装置20a、20b和20c之间的距离。
例如,当靶装置20a顺时针旋转时,发射自靶装置20a的各个靶的靶粒子沉积在基板22的第二区域“u”上,该第二区域位于与靶装置20a相对的第一区域“s”的左侧。相反,当靶装置20a逆时针旋转时,发射自靶装置20a的各个靶的靶粒子沉积在基板22的第三区域“t”上,该第三区域位于与靶装置20a相对的第一区域“s”的右侧。
各个靶装置20a、20b和20c可交替地顺时针和逆时针旋转。
因为靶装置20a、20b和20c以第一或第二方向旋转,靶装置20a、20b和20c的总宽度“d”可小于基板22的宽度“c”。在这种情况下,通过边缘靶装置20a、20b和20c可在基板22的边缘区域“u”上形成充分且均匀的层。
另外,设置靶装置20a、20b和20c,使得靶装置20a、20b和20c之间的间隙的宽度“b”大于各个靶装置20a、20b和20c的宽度“a”。也就是说,虽然宽度“b”大于宽度“a”,也可在基板22的整个区域上形成充分且均匀的层。
因为靶装置20a、20b和20c如上所述的旋转,靶粒子连续地沉积在基板22的第二区域“u”和第三区域“t”以及基板22的第一区域“s”上,使得可在基板22上形成均匀的层。
因此,由于靶装置20a、20b和20c的旋转,可在基板22的所有区域“s”、“t”和“u”上形成均匀且可靠的层。
以下将参照图6到图12详细描述根据本发明实施方式的靶装置20a、20b和20c的工作。
图6为示出根据本发明的第一实施方式的靶装置的旋转的示意性截面图。
参照图6,第一靶装置20a、第二靶装置20b以及第三靶装置20c可以以相同的方向旋转相同的旋转角度。例如,所有第一靶装置20a、第二靶装置20b以及第三靶装置20c都在第一驱动周期期间顺时针旋转第一旋转角度“α”,而在第二驱动周期期间逆时针旋转第二旋转角度“β”。优选地,第一旋转角度“α”的大小等于第二旋转角度“β”。当第一旋转角度“α”的大小等于第二旋转角度“β”时,可在分别位于与靶装置20a、20b和20c相对的基板22的第一区域“s”的左侧和右侧的第二区域“u”和第三区域“t”上形成均匀层。
第一旋转角度“α”和第二旋转角度“β”可在0°到45°的范围内。当第一旋转角度“α”和第二旋转角度“β”大于45°时,相邻靶装置之间将产生干扰,这可妨碍均匀层的形成。
图7为示出第二实施方式的示意性截面图,其中中心靶装置固定而边缘靶装置可旋转。
参照图7,与基板22的中心区域相对的第一靶装置20a不能旋转,而与基板22的边缘区域分别相对的第二靶装置20b和第三靶装置20c可以旋转。第二靶装置20b和第三靶装置20c可以以相同的方向旋转相同的角度,或者以相反的方向旋转相同的角度。例如,第二靶装置20b和第三靶装置20c均可顺时针或逆时针旋转。可选的,第二靶装置20b和第三靶装置20c顺时针旋转,而第三靶装置20c和第二靶装置20b逆时针旋转。
在这种情况下,顺时针旋转的角度大小上等于逆时针旋转的角度。
为了描述方便,图7所示为仅设置单个第一靶装置20a。然而,对于大面积基板,可设置多个第一靶装置20a。同样,如果必要,第二和第三靶装置都可设置为多个。
图8为示出第三实施方式的示意性截面图,其中靶装置的旋转角度从中心到边缘逐渐增加。
参照图8,固定与基板22的中心区域相对的第一靶装置20a并且第二靶装置20b到第五靶装置20e的旋转角度从基板22的中心区域到边缘区域逐渐增加。第一靶装置20a到第五靶装置20e都可设置为多个。与基板22的左边缘区域相对的第二靶装置20b和第三靶装置20c以及与基板22的右边缘区域相对的第四靶装置20d和第五靶装置20e可以相同或相反的方向旋转。
例如,第一靶装置20a不能旋转,与基板22的中心区域相邻的第二靶装置20b顺时针旋转第一旋转角度“α1”,并且与基板22的边缘区域相邻的第三靶装置20c顺时针旋转第二旋转角度“α2”。
同样,与基板22的中心区域相邻的第四靶装置20d逆时针旋转第三旋转角度“β1”,并且与基板22的边缘区域相邻的第五靶装置20e逆时针旋转第四旋转角度“β2”。第二旋转角度“α2”可大于第一旋转角度“α1”,而第四旋转角度“β2”可大于第三旋转角度“β1”。优选地,第一旋转角度“α1”大小上等于第三旋转角度“β1”,而第二旋转角度“α2”大小上等于第四旋转角度“β2”。也就是说,与基板22的中心间隔相同距离的相对的靶装置可旋转相同大小的旋转角度。
第二靶装置20b和第四靶装置20d可以相同方向或相反方向旋转相同大小的旋转角度。也就是说,第一旋转角度“α1”大小上等于第三旋转角度“β1”。
同样,第三靶装置20c和第五靶装置20e可以相同方向或相反方向旋转相同大小的旋转角度。也就是说,第二旋转角度“α2”大小上等于第四旋转角度“β2”。
在这点上,第二靶装置20b和第三靶装置20c以及第四靶装置20d和第五靶装置20e可全部以相同方向旋转,或以相反方向旋转。
例如,第二靶装置20b到第五靶装置20e在第一驱动周期期间都顺时针旋转而在第二驱动周期期间都逆时针旋转。
可选地,在第一驱动周期期间,第二靶装置20b和第三靶装置20c顺时针旋转且同时第四靶装置20d和第五靶装置20e逆时针旋转,而在第二驱动周期期间,第二靶装置20b和第三靶装置20c逆时针旋转且同时第四靶装置20d和第五靶装置20e顺时针旋转。
图9为示出第四实施方式的示意性截面图,其中靶装置可随意旋转。
参照图9,第一靶装置20a到第四靶装置20d可以任意方向旋转任意的旋转角度。例如,第一靶装置20a顺时针旋转第一旋转角度“α1”,第二靶装置20b逆时针旋转第二旋转角度“β1”,第三靶装置20c逆时针旋转第三旋转角度“β2”,并且第四靶装置20d顺时针旋转第四旋转角度“α2”。
图10为示出第五实施方式的示意性截面图,其中靶装置成对旋转。应该注意,靶装置可以成组旋转,各个组包括至少两个靶装置。
参照图10,第靶装置20a到第六靶装置20f可以成对旋转,使得成对的靶装置以相同的方向旋转相同的角度。例如,第一靶装置20a和第二靶装置20b顺时针旋转第一旋转角度“α”,第三靶装置20c和第四靶装置20d逆时针旋转第二旋转角度“β”,以及第五靶装置20e和第六靶装置20f顺时针旋转第一旋转角度“α”。优选地,第一旋转角度“α”和第二旋转角度“β”大小相等。
图11为示出第六实施方式的示意性截面图,其中靶装置可以移动。
参照图11,多个靶装置20a到20c可以与基板22平行的方向移动。靶装置20a到20c可以相同的方向移动。例如,靶装置20a到20c在第一驱动周期期间以从基板22的中心区域向左的方向移动,而在第二驱动周期期间以从基板22的中心区域向右的方向移动。根据情况,靶装置20a到20c可以移动或停止。靶装置20a到20c的总宽度“d”可小于基板22的宽度“c”,从而没有靶装置与基板22的边缘区域相对。当靶装置20a到20c以从基板22的中心区域向左的方向移动时,因为移动后的靶装置20a与基板22的左边缘区域“x”相对,所以发射自移动后的靶装置20a的靶粒子可沉积在基板22的左边缘区域“x”上。同样,当靶装置20a到20c以从基板22的中心区域向右的方向移动时,因为移动后的靶装置20c与基板22的右边缘区域“y”相对,所以发射自移动后的靶装置20c的靶粒子可沉积在基板22的右边缘区域“y”上。
因为如上所述靶装置20a到20c以平行于基板22的方向移动,虽然靶装置数量很少,但是也可在基板22上形成均匀层。
图12为示出第七实施方式的示意性截面图,其中靶装置可旋转并移动。
参照图12,靶装置20a到20c可顺时针或逆时针旋转并且以与基板22平行的方向移动。第七实施方式(图12)可以理解为第一实施方式(图6)和第六实施方式(图11)的组合。例如,当靶装置20a到20c在第一驱动周期期间以从基板22的中心区域向左并且与基板22平行的方向移动并且旋转时,靶粒子可均匀地沉积在基板22的左边缘区域“x”上。同样,当靶装置20a到20c在第二驱动周期期间以从基板22的中心区域向右并且与基板22平行的方向移动并且旋转时,靶粒子可均匀地沉积在基板22的右边缘区域“y”上。靶装置20a到20c的总宽度“d”可小于基板22的宽度“c”。当溅射装置连续地以上述方式驱动时,可使用相对少量的靶装置在相对宽的基板上形成均匀层。
如上所述,通过旋转或移动靶装置,本发明可相对于基板的宽度相对减小靶装置的总宽度,从而可减小溅射设备的尺寸。
另外,通过旋转或移动靶装置,本发明相对减小靶装置的总宽度及由此关小靶装置的数量,从而减小制造成本。
另外,本发明可在基板上均匀形成发射自靶装置的靶粒子,从而实现基板的均匀性。
显然,对于本领域的技术人员来说可对本发明做出各种修改和改变。因此,本发明意欲覆盖落入所附权利要求及其等效范围内的本发明的所有改进和变型。
权利要求
1.一种溅射设备,包括具有基板的基座;以及多个靶装置,面对所述基板设置并且彼此平行,并且各个靶装置可旋转。
2.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置绕安装在其内的轴旋转。
3.根据权利要求2所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置以第一方向旋转第一旋转角度,并且以第二方向旋转第二旋转角度。
4.根据权利要求3所述的溅射设备,其特征在于,所述第一旋转角度在0°到45°的范围中。
5.根据权利要求3所述的溅射设备,其特征在于,所述第二旋转角度在0°到45°的范围中。
6.根据权利要求3所述的溅射设备,其特征在于,所述第一旋转角度和第二旋转角度具有相同的角度。
7.根据权利要求3所述的溅射设备,其特征在于,所述第一旋转角度和第二旋转角度具有不同的角度。
8.根据权利要求3所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置交替地以所述第一方向和第二方向旋转。
9.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,所述靶装置的总宽度小于所述基板的宽度。
10.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,当所述靶装置的总宽度为“d”而所述基板的宽度为“c”时,d小于c。
11.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置的宽度小于所述靶装置之间的间隙的宽度。
12.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,与所述基板的中心区域相对的第一靶装置是固定的,而与所述基板的边缘区域相对的第二靶装置和第三靶装置是旋转的。
13.根据权利要求12所述的溅射设备,其特征在于,所述第一靶装置、第二靶装置和第三靶装置均设置为多个。
14.根据权利要求12所述的溅射设备,其特征在于,所述第二靶装置和第三靶装置以相同方向旋转。
15.根据权利要求12所述的溅射设备,其特征在于,所述第二靶装置和第三靶装置以相反方向旋转。
16.根据权利要求12所述的溅射设备,其特征在于,所述第二靶装置和第三靶装置以相同的旋转角度旋转。
17.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,与所述基板的中心区域相对的第一靶装置是固定的,而与第一边缘区域或第二边缘区域和所述基板的中心区域之间的区域相对的第二靶装置到第五靶装置是旋转的,其中所述第二靶装置到第五靶装置的旋转角度从所述基板的中心区域到边缘区域逐渐增加。
18.根据权利要求17所述的溅射设备,其特征在于,所述第二靶装置和第三靶装置设置为与所述基板的第一边缘区域和中心区域之间的区域相对,所述第三靶装置相比于所述第二靶装置更接近于所述第一边缘区域,而所述第四靶装置和第五靶装置设置为与所述基板的第二边缘区域和中心区域之间的区域相对,所述第五靶装置相比于所述第四靶装置更接近于所述第二边缘区域。
19.根据权利要求18所述的溅射设备,其特征在于,所述第三靶装置的旋转角度大于第二靶装置的旋转角度,而所述第五靶装置的旋转角度大于第四靶装置的旋转角度。
20.根据权利要求17所述的溅射设备,其特征在于,所述第二靶装置到第五靶装置以相同方向旋转。
21.根据权利要求17所述的溅射设备,其特征在于,所述第二靶装置和第三靶装置与所述第四靶装置和第五靶装置以相反的方向旋转。
22.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置以任意方向旋转。
23.根据权利要求22所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置旋转任意的旋转角度。
24.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置成组旋转,所述组中每组包括至少两个所述靶装置。
25.根据权利要求24所述的溅射设备,其特征在于,所述成组的靶装置以相同方向旋转。
26.根据权利要求24所述的溅射设备,其特征在于,彼此相邻的第一组和第二组以相同方向旋转。
27.根据权利要求24所述的溅射设备,其特征在于,彼此相邻的第一组和第二组以相反方向旋转。
28.根据权利要求24所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置以相同的旋转角度旋转。
29.根据权利要求1所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置以与所述基板平行的方向移动。
30.根据权利要求29所述的溅射设备,其特征在于,各个所述靶装置以从所述基板的中心区域起始的第一方向或第二方向移动。
31.一种溅射设备,包括具有基板的基座;以及多个靶装置,面对所述基板设置并且彼此平行,并且各个靶装置可以与所述基板平行的方向移动。
32.根据权利要求31所述的溅射设备,其特征在于,所述靶装置的总宽度小于所述基板的宽度。
33.根据权利要求32所述的溅射设备,其特征在于,当所述靶装置的总宽度为“d”而所述基板的宽度为“c”时,d小于c。
34.一种驱动溅射设备的方法,该溅射设备包括具有基板的基座以及面对所述基板设置并且彼此平行的多个靶装置,该方法包括在第一驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕安装在其内的轴以第一方向旋转;以及在第二驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕所述轴以第二方向旋转。
35.根据权利要求34所述的方法,其特征在于,各个所述靶装置以第一方向旋转第一旋转角度并且以第二方向旋转第二旋转角度。
36.根据权利要求34所述的方法,其特征在于,与所述基板的中心区域相对的第一靶装置是固定的,而与所述基板的边缘区域相对的第二靶装置和第三靶装置以第一方向或第二方向旋转。
37.根据权利要求34所述的方法,其特征在于,与所述基板的中心区域相对的第一靶装置是固定的,而与第一边缘区域或第二边缘区域和所述基板的中心区域之间的区域相对的第二靶装置到第五靶装置旋转,其中所述第二靶装置到第五靶装置的旋转角度从所述基板的中心区域到边缘区域逐渐增加。
38.根据权利要求34所述的方法,其特征在于,还包括以与所述基板平行的方向移动所述靶装置。
39.根据权利要求38所述的方法,其特征在于,所述靶装置在第一驱动周期和第二驱动周期期间移动。
40.根据权利要求38所述的方法,其特征在于,所述靶装置以与所述基板平行的第一方向或第二方向移动。
41.一种驱动溅射设备的方法,该溅射设备包括具有基板的基座以及面对所述基板设置并且彼此平行的多个靶装置,该方法包括在第一驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕安装在其中的轴以第一任意方向旋转;以及在第二驱动周期期间内,将各个所述靶装置绕所述轴以第二任意方向旋转。
42.根据权利要求41所述的方法,其特征在于,还包括以与所述基板平行的方向移动所述靶装置。
43.根据权利要求42所述的方法,其特征在于,所述靶装置在第一驱动周期和第二驱动周期期间移动。
44.根据权利要求42所述的方法,其特征在于,所述靶装置以与所述基板平行的第一方向或第二方向移动。
45.一种使用溅射设备制造基板的方法,该溅射设备包括基座以及面对所述基座设置并且彼此平行的多个靶装置,该方法包括在所述基座上设置所述基板;将各个所述靶装置绕安装在其内的轴旋转;以及使用所述旋转的靶装置处理所述基板。
46.根据权利要求45所述的方法,其特征在于,所述旋转各个所述靶装置的步骤包括以与所述基板平行的方向移动各个所述靶装置。
47.根据权利要求45所述的方法,其特征在于,所述旋转各个所述靶装置的步骤包括在第一驱动周期期间内,将各个所述靶装置以第一方向旋转;以及在第二驱动周期期间内,将各个所述靶装置以第二方向旋转。
全文摘要
本发明公开了一种包括基座和多个靶装置的溅射设备。在该基座上安装有基板。靶装置为可旋转的并设置为面对该基板并靶装置之间彼此平行。因为靶装置的数量较少,所以可减少溅射设备相应的成本和尺寸。另外,因为靶装置是可旋转的,所以可形成更加均匀的层并因此可提高可靠性。
文档编号C23C14/54GK101070591SQ20071010175
公开日2007年11月14日 申请日期2007年5月8日 优先权日2006年5月8日
发明者尹赫商, 刘桓圭, 尹炳汉 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社, Avaco株式会社, Lg电子株式会社
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