复合式镀膜的装置与方法

文档序号:3419033阅读:220来源:国知局
专利名称:复合式镀膜的装置与方法
技术领域
本发明关于一种镀膜的装置与方法,特别是一种复合式镀膜的装置与方法。
背景技术
软性电子技术应用的范围目前已相当广泛,主要是利用于基板上面沉积一导电层,经过多层堆栈后就可得到类似目前的软性电路组件。例如软性天线,RFID,逻辑组件,软性智能感测系统等领域,皆为其拓展应用的范围。 软性电路板主要是由绝缘基材、接着剂及铜导体所组成。当微影制程完成线路布局后,为防止铜线路氧化及保护线路免受环境温湿度的影响,必须在上面加上一层覆盖膜保护(Coverlayer)。常见的软性电路板的绝缘基材则为Polyester (PET) 、 Polyimide (PI)两种材料。 软性电路板一般均有使用接着剂,目前接着剂材料特性的热性质及可靠度较差,因此若能将其接着剂去除将可提高其电气及热性质。故无接着剂软性电路板将随产品的长期可靠性的需求增加,及细线化与承载组件的应用,无接着剂软性电路板将是未来的发展趋势,而其主要制程方式有三种(l)溅镀法/电镀法(Sputtering/Plating) ;(2)涂布法(Cast) ; (3)热压法(Lamination)。其制程方式如下 (1)溅镀法/电镀法以PI膜为基板材料,先溅镀上一层薄铜(1 P以下),以微影蚀刻的方式将线路蚀刻出来,再以电镀法在铜线路上电镀,使铜的厚度增加以达到所需厚度,类似电路板的半加成法。 (2)涂布法以铜箔为基板,先涂上一层薄的高阶着性PI树脂,经高温硬化后,再涂上第二层较厚的PI树脂以增加基板刚性,再经高温硬化,此方式需要涂布两次,制程成本较高。若要降低成本,主要有利用精密涂布技术设计双层同时涂布,将两种不同性质的PI树脂同时涂布在铜箔上用以降低制造流程的步骤,及开发单层PI树脂配方取代双层涂布,使其具有接着性及安定性,两种方式。 (3)热压法以PI膜为基材先涂上一层薄的热可塑性PI树脂,先经高温硬化,将铜箔放置在已硬化的热可塑性PI树脂上,再利用高温高压将热可塑性PI重新熔融与铜箔压合成形。但目前并没有一种薄膜沉积制程方式可以满足所有的需求,而是从其材料的选择及厚度的要求来决定。 薄膜沉积技术发展至今,理论上大致可分为物理气相沉积及化学气相沉积两个主要方向。而物理气相沉积中又以早期常用的蒸镀及电浆溅镀较为常见。 前者如图1所示,蒸镀主要是藉由对被蒸镀物体加热,利用被蒸镀物在高温接近溶点时所具备的饱和蒸气压,来进行薄膜的沉积;后者如图2所示,溅镀则是利用电浆所产生的离子对被溅镀物体轰击,使电浆的气相内具有被镀物的粒子,利用扩散等方式传递至基板表面,并因而沉积。虽两者被使用于沉积薄膜极为广泛,但仍各具其优缺点,且将其两者整合为一镀模装置者目前亦无所见。故若能取其溅镀与蒸镀两种镀膜方式的优点,交互完成镀膜,将可获致更好的成膜效果及覆盖能力。
习知技术如日本专利"特开平11-200035"虽有结合不同薄膜沉积方式,但是利用物理气相沉积与化学气相沉积原理,透过机械手臂使欲镀基板置于不同腔体,并无揭示两种物理气相沉积方式的结合。且亦未有揭示无须机械手臂而移动基板于不同腔体的技术。
综上所述,若能在目前所使用于制成软性电路板的三种主要方法之外,利用传统的薄膜沉积原理,取其各别的优点,另开发出一种成本较为低廉,镀膜效果较佳的制程方式,是本案发明人及从事此相关行业的技术领域者,亟欲改善的课题。

发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种能快速均匀镀膜的装置,利用于一真空腔体中,同时具备有溅镀室与蒸镀室,将欲镀基板透过转子来回转动于各镀膜室,达到利用电浆表面处理该基板及溅镀与蒸镀的不同成膜原理及功效,达到快速均匀镀厚膜的目的。 为达上述目的,本发明提供的复合式镀膜装置包含一真空腔体,而该真空腔体又包含有一溅镀室,可电浆表面处理该基板及溅镀一薄膜导电层;一蒸镀室,连接于该溅镀室,蒸镀一主导电层;及一转子,置于该真空腔体,用以转动该基板于该溅镀室及该蒸镀室,交替溅镀该薄膜导电层于该主导电层上及蒸镀该主导电层于该薄膜导电层上直到预定膜厚。 为了使溅镀室及蒸镀室的真空环境适于镀膜,溅镀室是连接一涡轮帮浦达到抽真空的目的。而蒸镀室是连接一扩散帮浦达到抽真空的目的。同时该蒸镀室采用热蒸镀方式沉积镀膜。 为加强快速镀膜的效率,本发明的溅镀室可再设置为第一真空室及第二真空室,并分别连接于蒸镀室的两端。利用转子依序来回转动基板于第一真空室溅镀薄膜导电层,蒸镀室蒸镀主导电层,第二真空室溅镀薄膜导电层,直到预定膜厚。 本发明的次一目的在于提供一种能快速均匀镀膜的方法,利用于一真空腔体中,同时具备有溅镀室与蒸镀室,将欲镀基板透过转子来回转动于各镀膜室,达到利用电浆表面处理该基板及溅镀与蒸镀的不同成膜原理及功效,达到快速均匀镀厚膜的目的。
为达上述目的,本发明利用上述的装置所提供的镀膜方法,其步骤包含(a)于真空腔体的溅镀室电浆表面处理基板;(b)于真空腔体的溅镀室溅镀一薄膜导电层;(c)于该真空腔体的该蒸镀室蒸镀一主导电层;(d)重复步骤(b)与步骤(c)交替溅镀薄膜导电层于主导电层上及蒸镀主导电层于薄膜导电层上直到预定膜厚。同时该蒸镀室采用热蒸镀方式沉积镀膜。 有关本发明的较佳实施例及其功效,兹配合图式说明如后。


图1为习知的蒸镀室示意图。
图2为习知的溅镀室示意图。 图3为本发明复合式镀膜装置的第一实施例示意图。
图4为本发明复合式镀膜装置的第二实施例示意图。
图5为利用本发明完成镀膜的导电层结构示意图。
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图6为利用本发明复合式镀膜装置的镀膜方法实施例流程图。 主要组件符号说明 1 复合式镀膜装置 20 真空腔体 202 溅镀室 2022 第一真空室 2024 第二真空室 204 蒸镀室 22 转子 24 基板 26 涡轮帮浦 28 扩散帮浦 30 蒸镀源 32 耙材 34 挡板 36 气体入口 40 薄膜导电层 42 主导电层
具体实施例方式
请参照图3及图5,图3为本发明复合式镀膜装置的第一实施例示意图。图5为利 用本发明完成镀膜的导电层结构示意图。 为了能达到较好的镀膜效果,本发明提出一种复合式镀膜装置l,说明如下
利用一种复合式镀膜装置1,用以均匀成膜于一基板24上方,该装置包含一真空 腔体20,及一转子22,该真空腔体20是由不同的物理气相沉积设备所组成为一体,主要包 含有一溅镀室202,及一蒸镀室204。透过该溅镀室202可利用电浆表面处理该基板24,达 到清洁基板24表面,活化材料表面化学键结及增加沉积薄膜或涂装的附着力。同时于电浆 表面处理基板24后,利用此溅镀室202溅镀一薄膜导电层40附着于基板24上方。
当溅镀完成一薄膜导电层40于基板24上方后,利用转动该转子22将该基板24 表面移置蒸镀室204,在薄膜导电层40上方,蒸镀一主导电层42 ;若此时仍未达预定膜厚, 则再利用转子22,将基板24表面再转回至溅镀室202,溅镀一薄膜导电层40于主导电层42 上方。利用溅镀的薄膜导电层40表面可加强与蒸镀的主导电层42间的附着力,且将较厚 的主导电层42使用蒸镀完成,用以加速沉积速率,藉此交替溅镀该薄膜导电层40与蒸镀该 主导电层42直到预定膜厚。 为了使不同制程室皆能达到适于工作的环境压力,尤其在溅镀室进行溅镀之前, 为防止其它杂质影响,通常会使用高真空度帮浦,进行抽真空,此处是采用连接一涡轮帮浦 26,用以达到抽真空的目的;而在蒸镀室则连接一扩散帮浦28,用以达到抽真空的目的。蒸 镀室的加热是采用外接式电源加热的热蒸镀系统。 请参照图4及图5,图4为本发明复合式镀膜装置的第二实施例示意图。图5为利用本发明完成镀膜的导电层结构示意图。 与第一实施例相同,该复合式镀膜装置1包含有一真空腔体20,及一转子22,该真 空腔体20是由不同的物理气相沉积设备所组成为一体,主要包含有一溅镀室202,及一蒸 镀室204。而该溅镀室又区分为第一真空室2022与第二真空室2024,分别连接于蒸镀室 204的两端。透过该第一真空室2022可利用电桨表面处理该基板24,达到清洁基板24表 面,活化材料表面化学键结及增加沉积薄膜或涂装的附着力。同时于电浆表面处理基板24 后,利用第一真空室2022溅镀一薄膜导电层40附着于基板24上方。 当溅镀完成一薄膜导电层40于基板24上方后,利用转动该转子22将该基板24 表面移置蒸镀室204,在薄膜导电层40上方,蒸镀一主导电层42 ;若此时仍未达预定膜厚, 则再利用转子22,将基板24表面再转动至第二真空室2024进行溅镀,并溅镀一薄膜导电层 40于主导电层42上方。利用溅镀的薄膜导电层40表面可加强与蒸镀的主导电层42间的 附着力,且将较厚的主导电层42使用蒸镀完成,用以加速沉积速率;若仍未达预定膜厚,转 动该转子22使基板24依第二真空室2024转动至蒸镀室204、第一真空室2022的顺序,藉 此交替溅镀该薄膜导电层40与蒸镀该主导电层42直到预定膜厚。 为了使不同制程室皆能达到适于工作的环境压力,尤其在溅镀室进行溅镀之前, 为防止其它杂质影响,通常会使用高真空度帮浦,进行抽真空,此处于第一真空室2022与 第二真空室2024是各自采用连接一涡轮帮浦26,用以达到抽真空的目的;而在蒸镀室则连 接一扩散帮浦28,用以达到抽真空的目的。蒸镀室的加热是采用外接式电源加热的热蒸镀 系统。 请参照图6及图5,图6为利用本发明复合式镀膜装置的镀膜方法实施例流程图。 图5为利用本发明完成镀膜的导电层结构示意图。 利用此复合式镀膜装置1的镀膜方法其实施流程具有以下步骤 S50 : (a)于该真空腔体20的该溅镀室202电浆表面处理该基板24,用以达到清洁
基板24表面,活化材料表面化学键结及增加沉积薄膜或涂装的附着力; S52 : (b)于该真空腔体20的该溅镀室202溅镀一薄膜导电层40 ; S54 : (c)于该真空腔体20的该蒸镀室204蒸镀一主导电层42,利用溅镀的薄膜导
电层40表面可加强与蒸镀的主导电层42间的附着力,且将较厚的主导电层42使用蒸镀完
成,用以加速沉积速率; S56 : (d)重复(b)步骤与(c)步骤交替溅镀该薄膜导电层40于该主导电层42上 及蒸镀该主导电层42于该薄膜导电层40上直到预定膜厚。 经由以上的实施例可得知,利用本发明可将欲镀材质利用溅镀与蒸镀于同一装置 下进行镀膜,并取其各自的优点,达到良率较好的成模结构。 虽本发明的技术内容已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何 熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神所作些许的更动与润饰,皆应涵盖于本发明的范畴 内,因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
一种复合式镀膜装置,用以均匀成膜于一基板上方,该装置包含一真空腔体,包含一溅镀室,电浆表面处理该基板及溅镀一薄膜导电层;一蒸镀室,连接于该溅镀室,蒸镀一主导电层;及一转子,置于该真空腔体,用以转动该基板于该溅镀室及该蒸镀室,交替溅镀该薄膜导电层于该主导电层上及蒸镀该主导电层于该薄膜导电层上直到预定膜厚。
2. 如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于更包含一涡轮帮浦,连接于该溅镀室, 用以对该溅镀室抽真空。
3. 如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于更包含一扩散帮浦,连接于该蒸镀室, 用以对该蒸镀室抽真空。
4. 如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于该主导电层是以热蒸镀沉积。
5. 如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于该溅镀室包含一第一真空室及一第二 真空室,并分别连接于该蒸镀室的两端。
6. 如权利要求5所述的镀膜装置,其特征在于该转子依序来回转动该基板于该第一 真空室溅镀该薄膜导电层,该蒸镀室蒸镀该主导电层,该第二真空室溅镀该薄膜导电层,直 到预定膜厚。
7. —种利用如权利要求1所述装置的镀膜方法,其步骤包含(a) 于该真空腔体的该溅镀室电浆表面处理该基板;(b) 于该真空腔体的该溅镀室溅镀一薄膜导电层; (C)于该真空腔体的该蒸镀室蒸镀一主导电层;(d)重复步骤(b)与步骤(C)交替溅镀该薄膜导电层于该主导电层上及蒸镀该主导电 层于该薄膜导电层上直到预定膜厚。
8. 如权利要求7所述的镀膜方法,其特征在于该步骤(C)是以热蒸镀方法沉积。
全文摘要
一种复合式镀膜装置与方法,用以均匀成膜于一基板上方,包含一真空腔体,及一转子,而真空腔体具有溅镀室及蒸镀室,溅镀室可电浆表面处理基板及溅镀薄膜导电层,蒸镀室则连接于该溅镀室,蒸镀一主导电层,透过转子转动基板于溅镀室及蒸镀室,交替溅镀薄膜导电层于主导电层上及蒸镀主导电层于薄膜导电层上直到预定膜厚。
文档编号C23C14/24GK101736291SQ200810174509
公开日2010年6月16日 申请日期2008年11月5日 优先权日2008年11月5日
发明者吕昆达, 林汉伦 申请人:晟辉科技股份有限公司
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