专利名称：一种由纯金属拼接的平面溅射靶的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种镀膜技术，特别是涉及一种可方便快捷的制备不同成分 纯金属拼接的平面溅射耙。
背景技术：
磁控溅射技术是利用磁场控制辉光放电产生的等离子体来轰击出靶材表 面的粒子并使其沉淀到基片表面的一种技术，是当今主流镀膜技术之一。可 用于高熔点金属、合金和化合物材料成膜。
在研究合金膜的成分和性能之间的关系时，常常需要制备不同成分的合 金膜，进行性能测试，以优化出最佳的合金膜成分。通常是炼制一个成分的 合金耙，溅射后就获得相应成分的合金膜，要获得几个成分的合金膜就要炼 制几个成分的合金耙，然后分别溅射。这样炼制多个合金靶的成本比较高， 同时分别溅射的时间也比较长。为解决此问题，采用纯金属拼接靶来制备合 金膜。
发明内容
本发明的目的在于提供两种或三种纯金属条或块拼接在一起、构成的一 个整体平面溅射靶。通过调整纯金属条或块的种类、数量及排列位置改变靶， 以获得不同成分的合金溅射膜。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的
一种由纯金属拼接的平面溅射靶，基片对应靶材的不同位置分层摆放, 纯金属拼接的平面溅射靶由两种或三种纯金属条或块拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶；各个纯金属的两侧分别加工出台阶，然后搭接。 本发明的优点与效果是
本发明不用炼制合金靶，采用纯金属拼接靶，便可以获得溅射合金膜。 对于相容性差、难熔炼的合金尤为适合。利用纯金属拼接靶，通过调整拼接 靶的组成和排列位置，可方便、快捷地获得不同成分的溅射合金膜。
本发明图1为纯金属拼接靶主视图； 本发明图2为纯金属拼接靶左视图； 本发明图3为基片分层摆放示意图。 具体实施方案
根据要获得的合金膜的成分确定合金靶的组元，两个组元或三个组元。 进而确定组成合金靶的两种或三种纯金属。按靶的总长度平均分成6 9等分 的宽度加工每一种纯金属的条或块，并使纯金属的条或块厚度相等，两侧加 工出半个厚度高的台阶，以便拼接时彼此搭接。根据所要获得的合金膜的成 分确定每种纯金属条或块的数量及排列位置，拼成一个整体平面溅射靶(如 图l、图2)。溅射时，基片分层摆放(如图3)，处在不同层位的基片上膜的 成分不同。具体每一层基片上膜的成分通过电子探针等分析确定。若膜的成 分不满足要求，再调整拼接靶的组成或排列位置，直到获得所需要的膜的成 分。
图1和图2中A、 B、 C、 D、 E代表纯金属条或块，也可以是6块到9 块等多块拼接在一起，但拼接块数多了，靶安装相对困难。 一块靶上两种或 三种纯金属条或块的数量和排列方式视合金成分确定。本发明由两种或三种纯金属条或块拼接在一起，构成的一个整体的平面 溅射耙。通过调整纯金属条或块的种类、数量及排列位置改变耙，以获得不 同成分的合金溅射膜。各个纯金属的两侧分别加工出台阶，然后搭接以免水
冷板在缝隙处参与溅射影响膜的成分；溅射时基片对应靶材的不同位置分层
摆放。根据要获得合金膜的成分确定组成靶的纯金属。按靶总长度平均分成
6 9等分的宽度加工每一种纯金属的条或块。根据所要合金膜的成分确定每 种纯金属条或块的数量及排列位置，拼成一个整体靶。溅射时，基片分层摆 放，处在不同层位的基片上膜的成分不同。具体每一层基片上膜的成分通过 电子探针等分析确定。通过调整拼接靶的组成及纯金属的排列位置，获得所 需要膜的成分。溅射时采用如图3所示的矩形基片悬挂架，分层悬挂基片2。 悬挂架l的尺寸与靶一致，与靶正面相对安装，基片从上到下依次分为第一 层、第二层和第三层。
权利要求
1. 一种由纯金属拼接的平面溅射靶，基片对应靶材的不同位置分层摆放，其特征在于纯金属拼接的平面溅射靶由两种或三种纯金属条或块拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶；各个纯金属的两侧分别加工出台阶，然后搭接。
全文摘要
一种由纯金属拼接的平面溅射靶，涉及一种镀膜技术，基片对应靶材的不同位置分层摆放，其特征在于纯金属拼接的平面溅射靶由两种或三种纯金属条或块拼接在一起，构成一个整体平面溅射靶；各个纯金属的两侧分别加工出台阶，然后搭接。本发明不用炼制合金靶，采用纯金属拼接靶，便可以获得溅射合金膜。对于相容性差、难熔炼的合金尤为适合。利用纯金属拼接靶，通过调整拼接靶的组成和排列位置，可方便、快捷地获得不同成分的溅射合金膜。
文档编号C23C14/34GK101457345SQ20091001004
公开日2009年6月17日 申请日期2009年1月9日 优先权日2009年1月9日
发明者付广艳, 群 刘, 杨宁宁 申请人:沈阳化工学院