低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法

文档序号:3354034
专利名称:低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种高阻尼的铝基复合材料的制备工艺。
背景技术
界面是铝基复合材料特有的而且是极其重要的组成部分,在金属基复合材料的研 究中,增强体与基体的界面始终是人们关注的焦点,各国科学工作者经过多年的尝试发明 了种类繁多的方法在增强体表面涂覆不同的涂层,改善金属基复合材料界面结构,以达到 提高铝基复合材料性能的目的。采用溶胶凝胶方法在增强体表面涂覆涂层的工艺复杂,需 进行两次及两次以上涂覆,及两次以上的烧结工艺,因此导致复合材料生产周期长(大约7 天左右),另外采用这种方法得到的涂层均匀性差,不易获得低熔点合金涂层。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是为了解决溶胶-凝胶方法在增强体表面涂覆涂层 的工艺复杂的问题,提供了一种低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方 法。 本发明低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法如下一、将硝 酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液中的两种或两种以上添加到稀 硝酸溶液中,得到pH值为1 8的混合液;二、在lr/min 300r/min的搅拌速度下将步骤 一所得混合液和氨水溶液同时滴加到增强体的水溶液中至pH值为6 14,停止滴加;三、 将经过步骤二处理的增强体制成预制件,然后将预制件在350°C 110(TC的温度下保温 30min 120min,即得到涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体;四、将步骤三得到的涂覆金属氧 化物的陶瓷相增强体放入模具内,然后向模具内注入铝液,再在压力为80MPa 200MPa、温 度为400°C 55(TC、挤压速度为0. lcm/s 5cm/s的条件下挤压铸造15min,即得低熔点合 金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料;步骤一所述增强体的水溶液中增强体的浓度为75g/ L;步骤一中所述硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液的浓度均为 0. 00001mol/L 5mol/L ;步骤二所述氨水溶液的浓度为0. 00001mol/L 0. 5mol/L ;步骤 一所述混合液中Sn元素的质量百分比为0 60%, Pb元素的质量百分比为0 70%, In 元素的质量百分比为0 50%, Bi元素的质量百分比为0 60%,其中Sn元素、Pb元素、 In元素和Bi元素的质量百分比不同时为0。 本发明方法涂覆涂层的工艺简单,只需进行一次涂覆和一次烧结工艺即可获得涂 覆金属氧化物的陶瓷相增强体,然后利用挤压铸造铸造的方法制备复合材料,在挤压铸造 过程中通过原位反应在低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的界面处获得低熔 点合金,因此縮短了低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的生产周期,应用本发 明所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为70Hz的条件下的阻尼值 为0. 016 0. 018。


图1是具体实施方式
二所得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的电镜 扫描照片;图2是具体实施方式
二所得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料阻尼 性能曲线和采用未经涂覆的增强体制备的铝基复合材料阻尼性能曲线对比图,_ ■ _表示 采用未经涂覆的增强体制备的铝基复合材料的阻尼性能曲线,_參-表示是具体实施方式
二所得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料阻尼性能曲线。
具体实施例方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式
,还包括各具体实施方式
间的 任意组合。
具体实施方式
一 本实施方式中低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的 制备方法如下一、将硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液中的两 种或两种以上添加到稀硝酸溶液中,得到pH值为1 8的混合液;二、在lr/min 300r/ min的搅拌速度下将步骤一所得混合液和氨水溶液同时滴加到增强体的水溶液中至pH值 为6 14,停止滴加;三、将经过步骤二处理的增强体制成预制件,然后将预制件在35(TC 110(TC的温度下保温30min 120min,即得到涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体;四、将步骤 三得到的涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体放入模具内,然后向模具内注入铝液,再在压力 为80MPa 200MPa、温度为400°C 550°C 、挤压速度为0. lcm/s 5cm/s的条件下挤压铸造 15min,即得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料;步骤一所述增强体的水溶液中 增强体的浓度为75g/L ;步骤一中所述硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化 锡水溶液的浓度均为0. 00001mol/L 5mol/L ;步骤二所述氨水溶液的浓度为0. 00001mo1/ L 0. 5mol/L ;步骤一所述混合液中Sn元素的质量百分比为0 60%,Pb元素的质量百分 比为0 70%, In元素的质量百分比为0 50%,Bi元素的质量百分比为0 60%,其中 Sn元素、Pb元素、In元素和Bi元素的质量百分比不同时为0。 本实施方式步骤二所述的增强体为硼酸铝晶须、硼酸镁晶须、碳化硅晶须或碳化 硅颗粒。 本实施方式低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法用压力机 挤压使铝渗透到经过步骤三处理的预制件中(此时铝会与涂覆在增强体表面的氧化物发 生原位反应,在复合材料的界面处获得低熔点合金)。 应用本实施方式所得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料在温度为 25"、频率为70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二 本实施方式与具体实施方式
一不同的是低熔点合金涂覆陶瓷相 增强体/铝基复合材料的制备方法如下一、将硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶 液和氯化锡水溶液添加到稀硝酸溶液中,得到PH值为6的混合液;二、将步骤一所得的混 合液和氨水溶液滴加到增强体的水溶液中至pH值为IO,滴加的过程中以200r/min的速 度搅拌;三、将经过步骤二处理的增强体制成预制件,然后将预制件在IOO(TC的温度下保 温100min,即得到涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体;四、将步骤三得到的涂覆金属氧化物 的陶瓷相增强体放入模具内,然后向模具内注入铝液,再在压力为80MPa 200MPa、温度为 400°C 55(TC、挤压速度为0. lcm/s 5cm/s的条件下挤压铸造15min,即得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料;步骤一所述增强体的水溶液中增强体的浓度为75g/L ; 步骤一中所述硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液的浓度为3mo1/ L ;步骤二所述氨水溶液的浓度为0. 4mol/L ;步骤一所述混合液中Sn元素的质量百分比为 12%,Pb元素的质量百分比为18^,In元素的质量百分比为21^,Bi元素的质量百分比为 49%。 由图1 (本实施方式所得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的电镜扫 描照片)可看到在低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料中的增强体表面均匀涂覆 着纳米级小颗粒。 在温度为25t:、频率为70Hz的条件下将本实施方式所得低熔点合金涂覆陶瓷相 增强体/铝基复合材料及用没有涂层的增强体制备的铝基复合材料进行阻尼性能试验,试 验结果如图2所示,由图2可知,在小应变条件下采用未经涂覆的增强体制备的铝基复合材 料阻尼值为0. 003,本实施方式所得的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的阻 尼值为0.017。
具体实施方式
三本实施方式与具体实施方式
一或二不同的是步骤一中调节溶液 的pH值为5。其它与具体实施方式
一或二相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
四本实施方式与具体实施方式
一至三不同的是步骤一中所述硝酸 铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液的浓度为0. lmol/L 4. 5mol/L。 其它与具体实施方式
一至三相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
五本实施方式与具体实施方式
一至三不同的是步骤一中所述硝酸 铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液的浓度为2mo 1/L。其它与具体实施 方式一至三相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
一至四不同的是步骤二所述氨水溶 液的浓度为0. lmol/L 0. 4mol/L。其它与具体实施方式
一至四相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
七本实施方式与具体实施方式
一至四不同的是步骤二所述氨水溶 液的浓度为0. 3mol/L。其它与具体实施方式
一至四相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
八本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合液 中Sn元素的质量百分比为12%, Pb元素的质量百分比为18%, In元素的质量百分比为 21%, Bi元素的质量百分比为49%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
九本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合液 中Sn元素的质量百分比为20%, Pb元素的质量百分比为30%, In元素的质量百分比为 0%, Bi元素的质量百分比为50%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合液 中Sn元素的质量百分比为60X,Pb元素的质量百分比为0%,1!1元素的质量百分比为0%, Bi元素的质量百分比为40% 。其它与具体实施方式
一至六相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十一 本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为25%, Pb元素的质量百分比为25%, In元素的质量百分比为 0% , Bi元素的质量百分比为50% 。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十二 本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为15.5%,Pb元素的质量百分比为32%, In元素的质量百分比 为0%, Bi元素的质量百分比为52. 5%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十三本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为40%, Pb元素的质量百分比为20%, In元素的质量百分比为 0% , Bi元素的质量百分比为40% 。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十四本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为17.8%,Pb元素的质量百分比为32%, In元素的质量百分比 为0%, Bi元素的质量百分比为50. 2%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十五本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为10%, Pb元素的质量百分比为40%, In元素的质量百分比为 0% , Bi元素的质量百分比为50% 。其它与具体实施方式
一至六相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十六本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为22%, Pb元素的质量百分比为28%, In元素的质量百分比为 0% , Bi元素的质量百分比为50% 。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十七本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为14.5%,Pb元素的质量百分比为28.5%, In元素的质量百分 比为0%, Bi元素的质量百分比为57%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十八本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为20%,Pb元素的质量百分比为40%, In元素的质量百分比为 0%,Bi元素的质量百分比为40%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
十九本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为33.5%,Pb元素的质量百分比为33.5%, In元素的质量百分 比为0%, Bi元素的质量百分比为33%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混合 液中Sn元素的质量百分比为29.5%,Pb元素的质量百分比为47%, In元素的质量百分比 为0%, Bi元素的质量百分比为23. 5%。其它与具体实施方式
一至六相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十一 本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混 合液中Sn元素的质量百分比为22%, Pb元素的质量百分比为51%, In元素的质量百分比 为0%, Bi元素的质量百分比为27%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十二 本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混 合液中Sn元素的质量百分比为33%, Pb元素的质量百分比为40%, In元素的质量百分比 为0%, Bi元素的质量百分比为27%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十三本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混 合液中Sn元素的质量百分比为25%, Pb元素的质量百分比为60%, In元素的质量百分比 为OX,Bi元素的质量百分比为15%。其它与具体实施方式
一至六相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十四本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混 合液中Sn元素的质量百分比为0%,Pb元素的质量百分比为50%, In元素的质量百分比为50%, Bi元素的质量百分比为0%。其它与具体实施方式
一至六相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十五本实施方式与具体实施方式
一至六不同的是步骤二所述混 合液中Sn元素的质量百分比为22%, Pb元素的质量百分比为66%, In元素的质量百分比 为OX,Bi元素的质量百分比为12%。其它与具体实施方式
一至六相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十六本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中调节溶液 的pH值为3 7。其它与具体实施方式
一相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十七本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二所述滴加的 过程中以20r/min 280r/min的速度搅拌。其它与具体实施方式
一相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十八本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二所述滴加的 过程中以100r/min 200r/min的速度搅拌。其它与具体实施方式
一相同。
应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
二十九本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二所述滴加的 过程中以150r/min的速度搅拌。其它与具体实施方式
一相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为 70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
具体实施方式
三十本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤二所述滴加的过 程中以100r/min 200r/min的速度搅拌。其它与具体实施方式
一相同。 应用本实施方式所得陶瓷相增强体制备的铝基复合材料在温度为25t:、频率为
70Hz的条件下的阻尼值为0. 016 0. 018。
权利要求
低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法,其特征在于低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法如下一、将硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液中的两种或两种以上添加到稀硝酸溶液中,得到pH值为1~8的混合液;二、在1r/min~300r/min的搅拌速度下将步骤一所得混合液和氨水溶液同时滴加到增强体的水溶液中至pH值为6~14,停止滴加;三、将经过步骤二处理的增强体制成预制件,然后将预制件在350℃~1100℃的温度下保温30min~120min,即得到涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体;四、将步骤三得到的涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体放入模具内,然后向模具内注入铝液,再在压力为80MPa~200MPa、温度为400℃~550℃、挤压速度为0.1cm/s~5cm/s的条件下挤压铸造15min,即得低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料;步骤一所述增强体的水溶液中增强体的浓度为75g/L;步骤一中所述硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液的浓度均为0.00001mol/L~5mol/L;步骤二所述氨水溶液的浓度为0.00001mol/L~0.5mol/L;步骤一所述混合液中Sn元素的质量百分比为0~60%,Pb元素的质量百分比为0~70%,In元素的质量百分比为0~50%,Bi元素的质量百分比为0~60%,其中Sn元素、Pb元素、In元素和Bi元素的质量百分比不同时为0。
2. 根据权利要求1所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法, 其特征在于步骤二所述的增强体为硼酸铝晶须、硼酸镁晶须、碳化硅晶须或碳化硅颗粒。
3. 根据权利要求1或2所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方 法,其特征在于步骤一中调节溶液的pH值为5。
4. 根据权利要求3所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法, 其特征在于步骤一中所述硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液的 浓度为0. lmol/L 4. 5mol/L。
5. 根据权利要求3所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法, 其特征在于步骤一中所述硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液的 浓度为2mol/L。
6. 根据权利要求1 、2或4所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备 方法,其特征在于步骤二所述氨水溶液的浓度为0. lmol/L 0. 4mol/L。
7. 根据权利要求1 、2或4所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备 方法,其特征在于步骤二所述氨水溶液的浓度为0. 3mol/L。
8. 根据权利要求6所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法, 其特征在于步骤二所述混合液中Sn元素的质量百分比为12%, Pb元素的质量百分比为 18%, In元素的质量百分比为21X,Bi元素的质量百分比为49%。
9. 根据权利要求6所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法, 其特征在于步骤二所述混合液中Sn元素的质量百分比为20X, Pb元素的质量百分比为 30%, In元素的质量百分比为0X,Bi元素的质量百分比为50%。
10. 根据权利要求6所述的低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方 法,其特征在于步骤二所述混合液中Sn元素的质量百分比为60X,Pb元素的质量百分比为 0%, In元素的质量百分比为0%, Bi元素的质量百分比为40%。
全文摘要
低熔点合金涂覆陶瓷相增强体/铝基复合材料的制备方法,它涉及一种涂覆陶瓷相增强体的方法。本发明解决了溶胶凝胶方法在增强体表面涂覆涂层的工艺复杂的问题。本发明方法如下将硝酸铋水溶液、硝酸铅水溶液、氯化铟水溶液及氯化锡水溶液中的两种或两种以上添加到稀硝酸溶液中所得的混合液与氨水溶液滴加到增强体溶液中至pH值为6~14,再将增强体制成预制件在350℃~1100℃的温度下保温,即得到涂覆金属氧化物的陶瓷相增强体,然后利用挤压铸造的方法制备复合材料。本发明方法工艺简单,缩短了复合材料的生产周期,应用本发明所得铝基复合材料在温度为25℃、频率为70Hz的条件下的阻尼值为0.016~0.018。
文档编号C22C49/14GK101698913SQ20091030979
公开日2010年4月28日 申请日期2009年11月16日 优先权日2009年11月16日
发明者侯震, 刘刚, 胡津 申请人:哈尔滨工业大学
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