基于碳的电阻率-切换材料及其形成方法

专利名称：基于碳的电阻率-切换材料及其形成方法
技术领域：
本发明涉及诸如非易失性存储器的微电子结构，且更具体地涉及诸如用在这种存 储器中的基于碳的电阻率_切换材料及其形成方法。
背景技术：
已知从可逆电阻-可切换元件形成的非易失性存储器。例如，在2005年5月9日提 交的题为"Rewriteable Memory Cell Comprising A Diode And AResistance-Switching Material"的美国专利申请序列号11/125，939描述了包括与诸如金属氧化物或金属氮化 物的可逆电阻率_可切换材料串联耦接的二极管的三维可重写非易失性存储器单元，为了 所有目的将该申请全部引用附于此。还已知某些基于碳的膜可以呈现可逆电阻率-切换属性，使得这种膜成为在 三维存储器阵列内的集成的候选。例如，在2007年12月31日提交的题为“Memory Cell That Employs A Selectively Fabricated Carbon Nano-TubeReversible Resistance-Switching Element And Methods Of Forming The Same” 白勺禾Ij串i青· 列号No. 11/968，154(下文中称为"‘154申请")描述了包括与诸如碳的基于碳的可逆 电阻率-可切换材料串联耦接的二极管的可重写非易失性存储器单元，为了所有目的将该 申请全部引用附于此。但是，在存储器器件中集成基于碳的电阻率-可切换材料是困难的，且形成使用 基于碳的可逆电阻率_可切换材料的存储器器件的改进方法是期望的。

发明内容
在本发明的第一方面中，提供了形成包括基于碳的电阻率-可切换材料的存储器 器件的方法，该方法包括(1)将处理气体引入处理室中，所述处理气体包括烃化合物和运 载气体；以及( 在处理室中产生处理气体的等离子体以在基底上沉积基于碳的电阻率可 切换材料的层。在本发明的第二方面中，提供了微电子结构，该微电子结构包括(1)第一导体; (2)布置在第一导体之上并且与其串联的基于碳的电阻率可切换材料的层，所述基于碳的 电阻率可切换材料包括石墨纳米微晶；以及(3)布置在基于碳的电阻率可切换材料的层之 上并且与其串联的第二导体。在本发明的第三方面中，提供了形成微电子结构的方法，所述方法包括(1)形成 第一导体；(2)在第一导体之上并且与其串联地形成基于碳的电阻率可切换材料的层，所 述基于碳的电阻率可切换材料包括石墨纳米微晶；以及(3)在基于碳的电阻率可切换材料 的层之上并且与其串联地形成第二导体。从以下详细描述、所附权利要求和附图，本发明的其他特征和方面将变得更加完 全显而易见。


可以从结合以下附图考虑的以下详细描述中更清楚地理解本发明的特征，在附图 中，通篇相类似的附图标记指示类似的元件，且其中图1表示根据本发明的存储器单元。图2是根据本发明的示例方法的流程图。图3是根据本发明形成的示例的基于碳的可切换层的剖面侧视示；图4是根据本发明提供的示例的金属-绝缘体-金属的基于碳的结构的剖面侧视 图；图5是由与二极管串联的镶嵌(damascene)集成而形成的且根据本发明提供的示 例的基于碳的结构的剖面侧视图；以及图6是根据本发明提供的单片三维存储器阵列的示例存储器级的透视图。
具体实施例方式某些基于碳(“基于C”)的膜、包括但不限于碳纳米管(〃 CNT")、石墨烯 (graphene)、包含微晶和/或纳米结晶石墨烯的非晶碳和其他石墨碳膜等可以呈现可以用 于形成微电子非易失性存储器的可逆电阻率切换属性。因此，这种膜是在三维存储器阵列 内集成的候选。例如，CNT材料已经展示出具有在ON和OFF状态之间隔开IOOx和中到高 范围电阻改变的在实验室规模的器件上的存储器切换属性。在ON和OFF状态之间的这种 隔开使得CNT材料成为使用与垂直二极管、薄膜晶体管或其他操纵元件串联的CNT材料形 成的存储器单元的可行候选。在上述例子中，由夹在两金属或其他导电层之间的基于碳的电阻率-切换材料而 形成的金属-绝缘体-金属("MIM")堆栈可以用作存储器单元的电阻改变材料。在MIM 存储器结构中，每个"M"表示金属电极或其他导电层，且"I"表示用于存储数据状态的绝缘体类型层。另外，可以与二极管或晶体管串联地集成基于碳的MIM堆栈，以建立可读写 存储器器件，如例如在'154申请中描述的。图1是根据本发明的示例存储器单元100的示意图。存储器单元100包括耦接到 操纵元件104的基于C的可逆电阻-切换元件102。例如，诸如图4中的MIM堆叠的基于C 的电阻率切换元件102可以被置于与诸如图5中的二极管510的操纵元件104串联，以形 成存储器单元100。操纵元件104可以包括薄膜晶体管(“TFT" )、二极管、或通过选择性 地限制跨越可逆电阻-切换元件102的电压和/或流过可逆电阻-切换元件102的电流而 呈现非欧姆导电性的另一适当的操纵元件。根据本发明的示例实施例，方法和装置可以涉及诸如存储器器件的、具有MIM堆 栈中的基于碳的电阻率-切换材料的微电子结构。可以使用等离子体增强化学汽相沉积 (“PECVD“)来形成基于碳的电阻率-切换材料。碳层可以是非晶的，且包括基于碳的可 切换材料。基于碳的可切换材料可以包括纳米大小或更大区域的结晶石墨烯(在此称为" 石墨纳米微晶")。可以与诸如二极管的操纵元件串联地集成MIM，以形成存储器单元。基于碳的电阻率-可切换材料可以包括许多形式的碳，包括CNT、石墨烯、石墨、 非晶碳、石墨碳和/或类似于金刚石的碳。基于碳的电阻率-切换材料的特性可以通过其 碳-碳键合的构成的比率来刻画。碳通常与碳键合以形成SP2-键(三角型碳-碳双键(“C =C"))或SP3-键(四角型碳-碳单键(“C-C"))。在每个情况下，可以经由拉曼光谱 学(Raman spectroscopy)通过评估D和G波段(band)来确定sp2-键与sp3-键的比率。 在一些实施例中，材料的范围可以包括具有诸如MyNz的比率的那些材料，其中，M是sp3材 料，N是sp2材料，并且y和ζ是从0到1的任意分数值，只要y+z = 1。类似于金刚石的碳 主要包括形成非晶层的sp3-键合的碳。本发明的各方面涉及使用PECVD技术来形成具有石墨纳米微晶的非晶基于碳的 电阻率-切换材料。PECVD沉积温度的范围可以从大约300°C到900°C。处理气体可以包括 一种或多种前体(precursor)气体和也已知为运载气体的一种或多种稀释气体(diIutant gas)。前体气体源可以包括但不限于己烷、环己烷、乙炔、单和双短链烃(例如，甲烷)、各种 基于苯的烃、多环芳烃、短链酯、乙醚、酒精或其组合。在一些情况下，"籽晶(seeding)“表 面可以用于在降低的温度下促进生长(例如，大约1-100埃的铁(“Fe")，镍(“Ni")， 钴(“Co")等等，虽然可以使用其他厚度)。可以按任意厚度来沉积基于碳的电阻率-可切换材料。在一些实施例中，基于碳 的电阻率-可切换材料可以在大约50-1000埃之间，虽然可以使用其他厚度。取决于器件构 造，比如在此描述的，层厚度范围可以包括100-400埃、400-600埃、600-800埃和800-1000 埃。本领域技术人员将理解，还可以使用其他厚度范围。等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)在本发明的一个或多个实施例中，提供PECVD处理，其可以形成石墨烯、石墨碳、 CNT、具有微晶石墨的非晶碳、和其他类似的基于碳的可读写电阻率切换材料(“基于C的 可切换材料")。如以下将进一步描述的，这种PECVD处理可以提供相比于传统热CVD处理 的若干优点，包括在一些实施例中(1)减少的热预算；( 宽的处理窗；C3)可调整的编程 电压和电流；以及(4)定制的界面(interface)。减少的热预算
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通过使用PECVD来形成基于C的可切换材料，源气体可以在降低的温度下被离解 (dissociate)，减少了使用基于C的可切换材料形成的任何存储器单元和/或阵列的热预 算。在一些实施例中，可以在大约550°C或更低的温度下形成基于C的切换材料，允许在存 储器阵列中使用铜、铝或其他类似的材料。宽处理窗在PECVD膜沉积期间的诸如气体流速、射频(“RF")功率、室压力、电极间隔 和/或处理温度的等离子体处理条件的操纵可以为膜特性设计提供宽的窗。例如，可以 基于要在器件制造期间使用的不同的蚀刻方案来调整膜密度、蚀刻选择性、压力、保形性 (conformality)/台阶覆盖度(st印coverage)、纳米结晶度的百分比量(“vol%")、石 墨纳米微晶尺寸、石墨纳米微晶取向等。可调整的编程电压和电流膜特性的调整可以调节基于C的膜的编程电压和电流。例如，纳米结晶度的百分 比量和/或石墨纳米微晶尺寸的改变可以改变编程电压和电流。从参数的角度，可以使用 对加热器温度、前体的稀释、高频RF功率密度、离子能量和运载气体的选择的调整，比如通 过减小基于C的材料沉积速率、促进密实堆积(dense packing)和/或控制基于C的膜的 纳米结晶度来控制基于C的膜的结构。实现石墨纳米结晶度形成石墨纳米结晶膜可能涉及增加的加热器温度、增加的高频RF功率密度、在有 效窗内的离子能量的控制和/或CxHy前体的增加的稀释。将依次描述这些的每个。增加加热器温度和前体的稀释降低了沉积速率，且因此促进该结构的密实堆积和 有序化(ordering)。增加高频RF功率密度对等离子体处理具有两个主要影响，其中，离子化和离解化 可能产生活性自由基(reactive radical)(多数物质(majority species))和活性离子 (少数物质)两者。首先，增加高频RF功率密度将向等离子体供应更多的能量以更有效地、 尤其以低加热器温度将前体分子分解为活性物质。其次，自动地增加高频RF将增加离子能 量和沉积速率。增加离子能量将激活表面活性部位，且促进可以降低纳米结晶度的表面反 应。因此，存在有效的高频RF功率密度窗，在该有效的高频RF功率密度窗内，活性物质可 以在低加热器温度下更有效地被分解以增加纳米结晶度。相反，超过有效窗的高频RF功率 密度将导致纳米结晶相碳(nanocrystalline phase carbon)的非晶化。类似于高频RF功率密度，也存在有效的离子能量窗。另一方面，需要阈值离子能 量以在具体加热器温度下激活表面部位。另一方面，过度的离子能量将使纳米结晶碳膜非 晶化。前体气体被运载气体稀释的水平和运载气体的选择也影响沉积速率以及由此的 纳米结晶度。例如，相比于氦(“He")，氩("Ar")将增加沉积速率达几乎两倍，因此降 低纳米结晶度。相反，氢(“H2")不仅担当运载气体，还用作蚀刻剂，这降低了沉积速率 并因此促进纳米结晶度。调节离子力(ion force)和/或降低自由基浓度可以减小形成碳层的物质向层表 面的流动，且允许更多时间来使碳原子到达平衡状态。由此可以形成更多的石墨纳米晶体。 还可以增加sp7sp3键合比率。相反，太多的等离子体离子化可能降低石墨纳米结晶度，并增加基于C的膜的非晶性(并显著地增加沉积速率)。另外，太多的等离子体离子化可能引 起在基于C的膜中的过度的压力，并导致膜“剥落”或“破裂”。可以通过在基底表面上的物理冲击在表面上促进基于C的材料的密实堆积，其本 身可以得到适度(by mild)促进以调节等离子体离子化。活性离子可以激活表面，且可以 调节表面反应速率和表面堆积密度。类似地，优化的等离子体离子能量可以产生更有序的 (ordered)基于C的结构。但是，可以通过活性自由基的浓度来确定进入的活性离子物质的 浓度。调节石墨纳米微晶尺寸如上所述，编程电压和电流受石墨纳米微晶尺寸影响，因为切换主要发生在晶界 (grain boundaries)处。由石墨纳米微晶的颗粒尺寸来确定晶界的体积百分比。可以通过 调整加热器温度、CxHy前体气体的稀释、高频RF功率密度和/或离子能量来控制颗粒尺寸。增加加热器温度和CxHy前体气体的稀释将增加石墨纳米微晶尺寸。随着活性物质 的分解，维持在有效范围内的高频RF功率密度可以实现期望的石墨纳米微晶尺寸。当高频 RF功率超过有效范围时，将减小石墨纳米微晶尺寸。在以上所述的有效离子能量窗内，优选 地将离子能量降低到激活表面活性部位以允许发生表面反应所需的最小水平，因为过度的 离子能量将降低石墨纳米结晶度和石墨纳米微晶尺寸。例如，可以通过调整(a)高频RF功率(频率范围从IOMHz到30MHz) ； (b)基底上 的偏压(例如，大约10-50V) ； (c)低频RF (在IOKHz和大约IMHz的范围内的频率)；⑷离 子化气体物质(诸如氩("Ar")、氦(〃 He")、氢(“H2")、氙(〃 Xe")、氪(〃 Kr") 等)中的一个或多个来调节离子能量。在该情况下He和H2是优选的物质。Ar、Xe、Kr等是 彻和吐的10倍大的惰性气体，且以更高的动量在表面引起更强的冲击。通过使用Ar代替 彻或吐(所有其他处理条件保持恒定)可以近似加倍沉积速率。因此，在一些实施例中，He 和H2是保持沉积速率低的优选的稀释/运载气体物质。定制的界面在基于C的层形成的开始和结束时调整等离子体参数允许设计在基于C的可切换 层和诸如导体、电介质等的其他材料之间的界面(例如以改善界面粘附性，提供改进的密 封或封口属性，减少膜缺陷等)。设计的基于C的层界面可以包括(1)调整的Sp2/Sp3比率， 该界面的Sp3浓度增加；( 在界面处的较高膜密度；和/或( 在界面处的氮化区域。例 如，先前并入的‘315申请描述了使用PECVD形成的基于C的界面层。示例PECVD 室 根据本发明，可以使用PECVD室来沉积基于C的可切换材料。例如，PECVD室可以基 于从 Santa Clara，California 的 Applied Materials 公司可得的 PRODUCER PECVD 室或其 中可以进行本发明的等离子体工艺的任何其他类似的PECVD室。在美国专利号5，000，113、 题为〃 Thermal CVD/PECVDReactor and Use for Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide and In-situ Multi-step Planarized Process"中描述了这禾中 PECVD 处理室的例子，为了所有目的将其全部引用附于此。 示例的PECVD系统标识主要用于例示目的，且可以使用其他等离子体设施，比如 电极回旋加速器共振(“ECR")等离子体CVD设备、感应耦合的RF高密度等离子体CVD 设备等。另外，上述系统的变型是可能的，比如在基底支撑设计、加热器设计、RF功率连接的位置、电极配置和其他方面的变型。基于C的切换层的示例PECVD参数如上所述，可以控制沉积速率来影响在基于C的膜中的纳米结晶度和石墨纳米微 晶尺寸。还可以通过也影响沉积速率且是产生有序结构的主导因素的基底温度、前体与稀 释气体比率、高频RF功率密度、运载气体类型和/或离子能量来调节非晶碳膜的结构。例如，增加的稀释/运载气体与前体气体比率可以降低活性前体物质的浓度，可 以极大地降低沉积速率，且潜在地可以提供足够时间使表面上的物质扩散到低能量位置且 形成有序结构。处理压力在有效性的窗内对沉积速率具有类似的影响。减小处理压力可 以通过减小在基底表面处的活性前体分子的总量来产生类似的条件，降低沉积速率也是同 样。同时，减小压力还增加离子能量，且过度的离子能量可能使纳米结晶结构非晶化。增加 基底温度促进表面扩散，这可能产生更密实的堆积和有序的结构。但是，增加基底温度可能 负面地影响热预算。先前已经讨论了高频RF功率密度和离子能量的影响。存在对这两个 参数的有效窗。如果高频RF功率密度和离子能量太低，则沉积将接近于零。如果高频RF 功率密度和离子能量太高，则非晶相将增加。不同的运载气体也极大地影响沉积速率。例 如，Ar产生较高的沉积速率，He产生适度的沉积速率，且H2产生较低的沉积速率。因此，He 和H2将增加PECVD的基于C的膜的纳米结晶度和石墨微晶尺寸。在本发明的一些实施例中，可以通过增加运载或稀释气体(例如He、H2、Ar、Kr、Xe、 N2等)与前体气体(例如CxHy)的比率来减小自由基浓度。也可以通过增加稀释气体与前 体的比率来调整离子化和适度的物理冲击。增加稀释气流还可以增加离子化和表面物理冲 击。氦和氩两者是离子形成物质。但是，氩的离子化能量比氦的离子化能量低得多，且其比 He更有效地将Ar离子化。另外，诸如吐的一些气体可以用作蚀刻剂来进一步减小沉积速 率并促进纳米结晶化。以下的表1苗述了根据本发明的与通过PECVD形成基于C的切换层相关的示例的 宽和窄值范围。表1 示例的PECVD的基于C的形成值
权利要求
1.一种形成存储器器件的方法，所述方法包括将处理气体引入处理室中，其中所述处理气体包括烃化合物和运载气体；以及在处理室中产生处理气体的等离子体以在基底上沉积基于碳的电阻率切换材料的层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中基于碳的电阻率切换材料的层包括石墨微晶。
3.根据权利要求2所述的方法，其中石墨微晶包括石墨纳米微晶。
4.根据权利要求2所述的方法，还包括控制所述石墨微晶的尺寸。
5.根据权利要求4所述的方法，其中控制所述石墨微晶的尺寸包括控制基于碳的电阻 率切换材料的沉积速率。
6.根据权利要求4所述的方法，其中控制所述石墨微晶的尺寸包括控制基底的温度、 等离子体的离子能量，用于产生等离子体的高频RF功率密度、运载气体的选择，以及烃的 稀释中的任意一个。
7.根据权利要求2所述的方法，还包括控制所述石墨微晶的百分比体积。
8.根据权利要求7所述的方法，其中控制所述石墨微晶的百分比体积包括控制基于碳 的电阻率切换材料的沉积速率。
9.根据权利要求7所述的方法，其中控制所述石墨微晶的百分比体积包括控制基底的 温度、等离子体的离子能量，用于产生等离子体的高频RF功率密度、运载气体的选择，以及 烃的稀释中的任意一个。
10.根据权利要求2所述的方法，其中石墨微晶具有基面基本上平行于基于碳的电阻 率切换材料的层沉积于其上的表面的取向。
11.根据权利要求2所述的方法，还包括控制所述石墨微晶的取向。
12.根据权利要求11所述的方法，其中控制所述石墨微晶的取向包括在基于硅的材料 上沉积基于碳的电阻率切换材料的层。
13.根据权利要求1所述的方法，还包括在基于碳的可切换材料之上形成钝化层。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃化合物包括CxHy，其中χ具有2到4的范 围并且y具有2到10的范围。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理气体包括氢气和具有分子式CaHb0。NxFy 的前体化合物，其中“a”具有在1和M之间的范围，“b”具有在0和50之间的范围，“C”具 有0到10的范围，“X”具有0到50的范围，以及“y”具有1到50的范围。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃化合物包括丙烯(C3H6)、丙炔(C3H4)、丙烷 (C3H8)、丁烷(C4Hltl)、丁烯(C4H8), 丁二烯(C4H6)、乙炔(C2H2)中的任一种或其组合。
17.根据权利要求1所述的方法，其中产生等离子体包括以第一频率施加第一RF功率 并且以小于第一频率的第二频率施加第二 RF功率。
18.根据权利要求17所述的方法，其中第一频率在大约IOMHz与大约50MHz之间，且第 二频率在大约90kHz与大约500kHz之间。
19.根据权利要求17所述的方法，其中第一RF功率的范围从大约30W到大约1000W， 以及第二 RF功率的范围从大约OW到大约500W。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述等离子体的RF功率密度的范围从大约 Offatt/cm2 到大约 2. 8Watts/cm2。
21.根据权利要求1所述的方法，其中所述运载气体包括He、Ar、Kr、Xe、H2和N2中的至少一种。
22.根据权利要求1所述的方法，其中运载气体与烃化合物的比率的范围从大约1 1 到大约100 1。
23.根据权利要求22所述的方法，其中运载气体与烃化合物的比率是大约5 1到大 约 50 I0
24.根据权利要求1所述的方法，还包括在处理室中建立从大约0.2托到大约10托的 压力。
25.根据权利要求1所述的方法，还包括在处理室中建立从大约4托到大约6托的压力。
26.根据权利要求1所述的方法，还包括提供从每分钟大约50标准立方厘米到每分钟 大约5000标准立方厘米的烃气体流速。
27.根据权利要求1所述的方法，还包括提供从每分钟大约10标准立方厘米到每分钟 大约20，000标准立方厘米的运载气体流速。
28.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括等离子体增强化学气相沉积过程。
29.根据权利要求1所述的方法，还包括将基底加热到在大约450°C与大约650°C之间 的表面温度。
30.根据权利要求1所述的方法，还包括在基于碳的电阻率切换材料的层之下并且与其接触地形成底部电极；以及在基于碳的电阻率切换材料的层之上并且与其接触地形成顶部电极；其中所述底部电极、基于碳的电阻率切换材料的层以及所述顶部电极包括金属-绝缘 体-金属结构。
31.根据权利要求30所述的方法，还包括形成与基于碳的电阻率切换材料的层串联的 操纵元件。
32.根据权利要求31所述的方法，其中所述操纵元件包括与基于碳的电阻率切换材料 的层垂直对准的二极管。
33.根据权利要求31所述的方法，还包括形成与底部电极串联的第一导体；以及在第一导体、操纵元件和基于碳的电阻率切换材料的层之上形成第二导体，所述第二 导体与顶部电极串联；其中所述第一导体、操纵元件、基于碳的电阻率切换材料的层以及第二导体形成包括 存储器单元的微电子结构。
34.一种微电子结构，包括第一导体；布置在第一导体之上并且与其串联的基于碳的电阻率可切换材料的层，其中所述基于 碳的电阻率可切换材料包括石墨纳米微晶；以及布置在基于碳的电阻率可切换材料的层之上并且与其串联的第二导体。
35.根据权利要求34所述的微电子结构，其中基于碳的电阻率可切换材料的层包括金 属-绝缘体-金属结构的一部分。
36.根据权利要求34所述的微电子结构，还包括布置在第一导体之上、在第二导体之下并与基于碳的电阻率切换材料的层串联的操纵元件。
37.根据权利要求36所述的微电子结构，其中，所述操纵元件包括二极管。
38.根据权利要求36所述的微电子结构，其中所述第一导体、第二导体、操纵元件以及 基于碳的电阻率切换材料的层组成存储器单元。
39.一种形成微电子结构的方法，该方法包括形成第一导体；在第一导体之上并且与其串联地形成基于碳的电阻率可切换材料的层，其中所述基于 碳的电阻率可切换材料包括石墨纳米微晶；以及在基于碳的电阻率可切换材料的层之上并且与其串联地形成第二导体。
40.根据权利要求39所述的方法，其中基于碳的电阻率可切换材料的层组成金属-绝 缘体-金属结构的一部分。
41.根据权利要求39所述的方法，还包括在第一导体之上、在第二导体之下并与基于 碳的电阻率可切换材料的层串联地形成操纵元件。
42.根据权利要求41的方法，其中，所述操纵元件包括二极管。
43.根据权利要求41所述的方法，其中所述第一导体、第二导体、操纵元件以及基于碳 的电阻率可切换材料的层组成存储器单元。
44.根据权利要求39所述的方法，其中形成所述基于碳的电阻率可切换材料的层包括 基于碳的电阻率切换材料的等离子体增强化学气相沉积。
45.根据权利要求39所述的方法，还包括控制石墨纳米微晶的尺寸。
46.根据权利要求39所述的方法，还包括控制该石墨纳米微晶的百分比体积。
47.根据权利要求39所述的方法，还包括控制该石墨纳米微晶的取向。
全文摘要
提供了包括基于碳的电阻率-可切换材料的存储器器件及形成这种存储器器件的方法，所述方法包括将处理气体引入处理室中，其中，该处理气体包括烃化合物和运载气体；以及在处理室中产生处理气体的等离子体以在基底上沉积基于碳的电阻率切换材料的层。提供了一些另外的方面。
文档编号C23C14/06GK102144309SQ200980134334
公开日2011年8月3日 申请日期2009年7月7日 优先权日2008年7月8日
发明者坦梅·库马, 平尔萱, 罗伊·E·朔伊尔莱茵, 许汇文, 阿尔珀·伊尔克巴哈, 陈溪滢 申请人:桑迪士克3D有限责任公司