专利名称：电子装置外壳及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种电子装置外壳及其制备方法，尤其涉及一种具有皮革效果的电子装置外壳及其制备方法。
背景技术：
真空镀膜技术已经广泛应用于各种产品外观装饰用途。真空镀膜工艺非常环保， 且可使镀膜产品获得高质感的金属外观，因此可提升产品外观竞争力。就具有通讯功能的电子装置而言，一般金属真空镀膜会屏蔽电磁波，故而会影响电子装置的通讯性能，所以目前金属真空镀膜还较少应用在具有通讯功能的电子装置外观件上。另一方面，现有的真空镀膜技术还无法形成具有某种特定纹路效果的镀膜层，使得真空镀膜产品外观较为单一。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种具有皮革效果，且具有良好的电磁波透过性的真空镀膜电子装置外壳。另外，还有必要提供一种上述电子装置外壳的制备方法。一种电子装置外壳，包括一基体及形成于该基体上的一不导电的真空镀膜层，该真空镀膜层上形成有皮革纹路。一种电子装置外壳的制备方法，包括如下步骤(1)提供经成型的基体，并使用离子风或超声波等对基体表面进行清洁处理；(2)在真空条件下，使用等离子体源轰击基体，以对基体表面进一步清洁；(3)对基体进行真空镀膜处理，以在基体表面形成一不导电的真空镀膜层，该真空镀膜层具有皮革纹路；(4)镀膜完成后，在真空环境下使用等离子体源轰击该真空镀膜层。相较于现有技术，上述电子装置外壳的制备方法通过真空镀膜技术在基材上形成一具有皮革纹路且不导电的真空镀膜层，使得该电子装置外壳在具有金属的质感及良好的电磁波透过性的同时，还具有特殊的皮革纹路效果，丰富了真空镀膜产品的外观。
图1为本发明较佳实施例具有皮革效果的电子装置外壳的平面示意图。图2为本发明较佳实施例具有皮革效果的电子装置外壳的剖视示意图。主要元件符号说明电子装置外壳 10基体11真空镀膜层13皮革纹路133面漆层1具体实施例方式请参阅图1及图2，本发明较佳实施例的具有皮革效果的电子装置外壳10包括基体11、形成于基体11表面的真空镀膜层13及形成于真空镀膜层13表面的透明面漆层15。 该真空镀膜层13上形成有皮革纹路133，使该电子装置外壳10具有皮革效果外观。所述基体可以为塑料、玻璃及陶瓷中的一种。所述塑料可以选用聚碳酸酯 (Polycarbonate, PC)、聚乙烯(Poltethylene, PE)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate, PMMA)及聚碳酸酯与丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABQ的混合物等。所述真空镀膜层13由氧化铝或氧化锆组成，本实施例的真空镀膜层13由氧化铝组成。真空镀膜层13厚度大约为10 200nm，其为不导电真空镀膜层，所以具有良好的电磁波透过性。所述皮革纹路133由分布于真空镀膜层13上的若干交织的线形凹痕形成。所述面漆层15的主要成分为丙烯酸，其厚度大约为10 50 μ m。该面漆层15可以为单层或多层透明油漆组成。所述油漆可以为普通热固化漆，也可为紫外光固化漆。面漆层15对真空镀膜层起保护作用，同时可以提供所需的颜色。上述电子装置外壳10的制备方法主要包括如下步骤(1)提供经成型的基体11，并使用离子风或超声波等对基体11表面进行清洁处理。(2)在温度为50 70°C、真空度为5 X 10_3 5 X IO^Pa的真空环境下，使用等离子体源轰击基体11，以对基体11表面进行进一步清洁。本步骤中等离子体源的电压为110 130V，电流为2. 5 3. 5A，轰击时间为50 90s。本实施例等离子体源的电压为120V，电流为3A，轰击时间为60s。(3)对基体11进行真空镀膜处理，以在基体11表面形成该具有皮革纹路133的真空镀膜层13。该真空镀膜层13为氧化铝或氧化锆。下面以该真空镀膜层13为氧化铝为例，对镀膜工艺进行具体说明在温度为50 70°C、真空度为5X10_3 lX10_2Pa的真空
环境下，使用电子束蒸发方式以2.0 4. 5埃每秒(A/s)的速率蒸发氧化铝晶体材料，并
同时通入高纯度的氧气，以及使用等离子体源对基体11进行辅助轰击。所述氧气的分压大约为1. 5X IO"3 9. 5Xl(T3Pa，等离子体源的电压为140 160V，电流为4. 5 5. 5A。本实施例等离子体源的电压优选为150V，电流优选为5A。所述等离子体源的辅助轰击伴随整个镀膜过程，直至镀膜结束。经该步骤处理的基体11表面形成了具有皮革纹路133且不导电的真空镀膜层13。(4)镀膜完成后，在温度为50 70°C、真空环境下使用等离子体源轰击该真空镀膜层13。该步骤所用等离子体源的电压为140 160V，电流为3. 5 4. 5A，轰击时间为3 10分钟。本实施例等离子体源的电压为150V，电流为4A。该步骤可以增强该真空镀膜层 13的附着力，另一方面可以通过等离子体源轰击突显加深真空镀膜层13的皮革纹路133。(5)在所述真空镀膜层上形成该透明的面漆层15，以对真空镀膜层13进行保护。 面漆层15可以通过常规喷漆方法形成。通过上述电子装置外壳10的制备方法制备的真空镀膜层13经测试发现其具有良好的电磁波透过性，完全可以满足通讯产品的通讯性能要求。上述电子装置外壳10的制备方法主要通过对真空镀膜条件的控制，以在基体11上形成一具有皮革纹路133且不导电的真空镀膜层13，使得该电子装置外壳10既具有金属的质感，还具有特殊的皮革纹路效果，而且具有良好的电磁波透过性。
权利要求
1.一种电子装置外壳，包括一基体及形成于该基体上的一不导电的真空镀膜层，其特征在于该真空镀膜层上形成有皮革纹路。
2.如权利要求1所述的电子装置外壳，其特征在于该皮革纹路由分布于真空镀膜层上的若干交织的线形凹痕形成。
3.如权利要求1所述的电子装置外壳，其特征在于该真空镀膜层为氧化铝或氧化锆。
4.如权利要求3所述的电子装置外壳，其特征在于该真空镀膜层的厚度为10 200nm。
5.如权利要求3所述的电子装置外壳，其特征在于该电子装置外壳还包括一形成于该真空镀膜层上的透明面漆层。
6.如权利要求3所述的电子装置外壳，其特征在于所述基体为塑料、玻璃及陶瓷中的一种。
7.一种电子装置外壳的制备方法，包括如下步骤(1)提供经成型的基体，并使用离子风或超声波对基体表面进行清洁处理；(2)在真空条件下，使用等离子体源轰击基体，以对基体表面进一步清洁；(3)对基体进行真空镀膜处理，以在基体表面形成一不导电的真空镀膜层，该真空镀膜层具有皮革纹路；(4)镀膜完成后，在真空环境下使用等离子体源轰击该真空镀膜层。
8.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于所述真空镀膜层为氧化铝。
9.如权利要求8所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于所述真空镀膜处理是指在温度为50 70°C、真空度为5 X 10_3 1 X lO^Pa的真空环境下，使用电子束蒸发方式以2. 0 4. 5埃每秒的速率蒸发氧化铝晶体材料，并同时通入高纯度的氧气，以及使用等离子体源对基体进行辅助轰击。
10.如权利要求9所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于所述等离子体源的电压为140 160V,电流为4. 5 5. 5A ；所述氧气的分压为1. 5 X IO"3 9. 5 X IO^3Pa0
11.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于所述步骤(2)是在如下条件下进行温度为50 70°C，真空度为5X10—3 5X KT2Pa ；等离子体源的电压为 110 130V，电流为2. 5 3. 5A ；轰击时间为50 90s。
12.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于所述步骤(4)是在如下条件下进行温度为50 70°C，等离子体源的电压为140 160V，电流为3. 5 4. 5A， 轰击时间为3 10分钟。
13.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于该电子装置外壳的制备方法还包括在所述真空镀膜层上形成一面漆层。
14.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于该真空镀膜层的厚度为 10 200nm。
15.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于所述基体为塑料、玻璃及陶瓷中的一种。
全文摘要
本发明提供一种电子装置外壳及其制备方法。该电子装置外壳包括一基体及形成于该基体上的一不导电的真空镀膜层，该真空镀膜层上形成有皮革纹路，使该电子装置外壳具有皮革效果。上述电子装置外壳的制备方法包括在真空条件下，使用等离子体源轰击经成型的基体，以对基体表面进行清洁；对基体进行真空镀膜处理，以在基体表面形成一不导电的真空镀膜层，该真空镀膜层具有皮革纹路；镀膜完成后，在真空环境下使用等离子体源轰击该真空镀膜层。
文档编号C23C14/30GK102378510SQ20101025195
公开日2012年3月14日 申请日期2010年8月12日 优先权日2010年8月12日
发明者姜传华, 杜琪健 申请人:深圳富泰宏精密工业有限公司