专利名称：物理气相沉积主机台的传送腔的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及生产制造领域，尤其涉及一种应用于物理气相沉积(Wiysical Vapor Deposition, PVD)设备的主机台的传送腔。
背景技术：
PVD设备广泛地应用于半导体器件及其集成电路的生产制造活动中，用于沉积半导体材料层，金属层，绝缘层等。所述PVD设备主机台通常包括传送腔，所述传送腔包括传送腔盖和传送腔体，所述传送腔体内通常固定有用于放置晶圆的晶圆承载基座，所述传送腔盖与传送腔体匹配，可以闭合或者打开。进行PVD工艺时，传送腔盖从传送腔体打开，将晶圆放置在晶圆承载基座上，再闭合所述传送腔盖。所述PVD设备传送腔需要定期进行清洗和维修，清洗和维修时，一般需要完全打开传送腔盖，才能对传送腔体进行彻底清洗。由于传送腔盖闭合时，传送腔盖与传送腔体之间有一定的间隙(gap)，进行清洗之后再次闭合传送腔盖时，通常会发现传送腔盖有一定的漂移。通常，传送腔上都设置有局部中心探测器(Local Center Find，LCF)，用来侦测晶圆进出PVD主机台传送腔的位置，所述 LCF的发射装置设置在传送腔体上，接收装置设置在传送腔盖上，当传送腔盖漂移之后，LCF 的发射装置发射的信号不能被位于传送腔盖上的接收装置接收到。当晶圆被传递进入晶圆承载基座时，其位于传送腔中的位置会根据LCF接收到的信息被自动调整，这就导致晶圆最终被放置的位置错误。参考附图1所示，其为所述传送腔盖漂移后，传送腔体与传送腔盖相对位置的俯视图，其中，10为传送腔体，11为传送腔盖，12为漂移之后的传送腔盖位置，从附图1中明显可以看出，某些位置，传送腔体10与传送腔盖11之间产生了较大的空隙。接着，参考附图 2所示，其为传送腔盖漂移之后，LCF对晶圆的定位图，在附图2中，实线反应传送腔盖位置正常的情况下LCF对晶圆的位置，虚线反应传送腔盖位置漂移之后LCF对晶圆的位置，从附图2中可以看出，LCF反应的晶圆位置发生变化，因此，设备会自动将晶圆位置进行调整，这种调整使晶圆偏离了准确位置，导致产品良率下降。
实用新型内容本实用新型目的在于提供一种物理气相沉积主机台的传送腔，以解决现有的PVD 主机台在清洗之后，传送腔体与传送腔盖之间发生漂移，导致传送腔体内产品随传送腔盖漂移的问题。为实现上述目的，本实用新型提供一种物理气相沉积主机台的传送腔，所述物理气相沉积主机台的传送腔包括传送腔体和传送腔盖，所述传送腔盖与传送腔体匹配，所述传送腔盖能够闭合或者打开，所述的传送腔体上还设置有两个或者两个以上的定位销，在所述传送腔盖闭合时，所述定位销用于固定所述传送腔盖的位置。可选的，在所述的物理气相沉积主机台的传送腔中，所述传送腔体包括水平面以及与所述水平面成一定角度连接的斜面，其中，所述水平面用于与传送腔盖密闭接触，所述水平面的面积大于所述传送腔盖与其接触面的面积，所述定位销垂直穿透所述斜面，并且伸出所述斜面一定的距离。可选的，在所述的物理气相沉积主机台的传送腔中，所述斜面与水平面的角度为钝角。所述定位销呈L型。与现有技术相比，本实用新型提供的物理气相沉积主机台的传送腔具有以下优点所述物理气相沉积主机台的传送腔通过加设的两个或者两个以上的定位销，避免在传送腔盖闭合时传送腔盖相对传送腔体的漂移，从而可确保待加工的晶圆位置准确，提高了产品良率。
图1为现有的传送腔盖漂移后，传送腔体与传送腔盖相对位置的俯视图；图2为现有的传送腔盖漂移之后，LCF对晶圆的定位图；图3为本实用新型所提供的PVD主机台的传送腔的俯视图；图4为本实用新型的PVD主机台的传送腔的定位销与传送腔体和传送腔盖的截面示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的PVD主机台的传送腔作进一步详细说明。根据下述的说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。参考附图3所示，为本实用新型所提供的PVD主机台的传送腔的俯视图，所述传送腔包括传送腔体20和传送腔盖21，传送腔盖21与传送腔体20匹配，传送腔盖21能够闭合或者打开，传送腔盖21闭合时，所述传送腔体20与传送腔盖21使所述传送腔完全密封，所述传送腔体20上还设置有两个或者两个以上的定位销22，在传送腔盖21闭合时，定位销 22用于固定所述传送腔盖21的位置。具体的，所述定位销22使传送腔盖21落在传送腔体 20的闭合面上的位置固定，避免了传送腔盖21闭合时在传送腔体20闭合面上的漂移。参考附图4所示，为本实用新型的PVD主机台的传送腔的定位销与传送腔体和传送腔盖的截面示意图。如附图4所示，所述传送腔体20具有水平面，所述水平面与传送腔盖21密闭接触，并且，所述水平面的面积大于传送腔盖21与其接触面的面积，因此，闭合时传送腔盖21与传送腔体20之间有一定的间隙，所述传送腔盖21可以沿所述接触面漂移， 所述传送腔体20还具有与所述水平面成一定角度连接的斜面，所述角度一般为钝角，所述定位销22垂直穿透所述斜面，并且伸出所述斜面一定的距离，通过2个或者2个以上的定位销的共同作用，限制了传送腔盖21闭合时位于所述传送腔的接触面上的位置，以阻止所述传送腔盖21沿传送腔的水平面漂移，所述距离可根据需要进行设定。可选的，所述定位销22呈L型，可更好的实现传送腔盖21的定位。综上所述，所述PVD主机台的传送腔通过加设的2个或者2个以上的定位销，避免在闭合时传送腔盖相对传送腔体的漂移，从而可确保待加工晶圆位置准确，提高产品良率。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种物理气相沉积主机台的传送腔，包括传送腔体和传送腔盖，所述传送腔盖与传送腔体匹配，所述传送腔盖能够闭合或者打开，其特征在于所述传送腔体上还设置有两个或者两个以上的定位销，在所述传送腔盖闭合时，所述定位销用于固定所述传送腔盖的位置。
2.如权利要求1所述的物理气相沉积主机台的传送腔，其特征在于，所述传送腔体包括水平面以及与所述水平面成一定角度连接的斜面，其中，所述水平面用于与传送腔盖密闭接触，所述水平面的面积大于所述传送腔盖与其接触面的面积，所述定位销垂直穿透所述斜面，并且伸出所述斜面一定的距离。
3.如权利要求2所述的物理气相沉积主机台的传送腔，其特征在于，所述斜面与水平面的角度为钝角。
4.如权利要求1或3所述的物理气相沉积主机台的传送腔，其特征在于，所述定位销呈 L型。
专利摘要本实用新型提供一种物理气相沉积主机台的传送腔，所述物理气相沉积主机台的传送腔包括传送腔体和传送腔盖，所述传送腔盖与传送腔体匹配，所述传送腔盖能够闭合或者打开，所述传送腔体上还设置有两个或者两个以上的定位销，在所述传送腔盖闭合时，所述定位销用于固定所述传送腔盖的位置。当传送腔盖被闭合时，在定位销的作用下，传送腔盖可与传送腔体严密闭合，从而可确保待加工晶圆位置准确，提高产品良率。
文档编号C23C14/56GK202054886SQ201020584379
公开日2011年11月30日 申请日期2010年10月29日 优先权日2010年10月29日
发明者刘兆虎, 方文勇, 李江风, 谢诚 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司, 武汉新芯集成电路制造有限公司