专利名称：一种硅料清洗工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及光伏行业或半导体技术领域，特别是一种硅料清洗工艺。
背景技术：
在光伏行业或半导体技术领域中，生产硅片时，要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。这些头尾、边皮料上由于表面氧化物、表面杂质和在物流、储存时出现的杂质侵入以及切割时金属离子的转移、切割液的残留等原因，其表面会积存一些污物。当这些头尾、边皮料重新利用时，需要将其上所积存的污物清洗干净。传统的清洗方法是采用酸腐清洗，由于酸腐工艺简单，效率高，一度受到人们的青睐，但仍存在以下不足一是传统腐蚀清洗方法重点放在腐蚀及清洗过程，忽略了预清洗，在腐蚀前只是简单使用人工擦洗， 清洗效果不足，导致污染残留，而影响到其后的腐蚀效果，导致其后的返工率超标，或在腐蚀后需要花费大量的人力进行分选，影响到工作效率，或为了保证腐蚀表面干净，人为增加了腐蚀量，导致损耗增加，成本上升；二是在腐蚀工艺过程中，将产生大量的酸雾，酸雾处理工艺复杂，容易发生安全事故，造成人员安全事故；三是由于酸腐时使用大量的HF，用洗涤法处理含氟废气的洗涤水，排入环境后，会造成水体和土壤的污染，含氟烟尘沉降或受降水淋洗，由于其使用后无法回收，含氟物质将直接进入植物内部、土壤、草地、水系、动物体内等会使土壤和地下水受污染，对我们的生活环境造成最直接的影响。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种既能减少返工率，又能提高产品品质，且对生产环境没有影响的硅料清洗工艺。本发明所采取的技术方案是发明一种硅料清洗工艺，其特征在于工艺流程如下第一步预清洗，先将待清洗的硅料置于器皿中，用DI水进行冲洗；第二步碱清洗，首先，用中性清洗剂采用超声清洗，其次，用稀碱溶液进行清洗， 再次，用DI水清洗；第三步超声清洗，用DI水采用超声清洗；第四步碱腐蚀，首先，用浓碱溶液进行超声清洗，其次，采用普通水清洗，再次，用 DI水冲洗；第五步腐蚀清洗，用DI水采用超声清洗；第六步甩干，采用甩干设备进行甩干；第七步烘干，采用烘干设备进行烘干。所述的稀碱溶液是0. 05-0. 15%的NaOH溶液。所述的稀碱溶液是0. 1 %的NaOH溶液。所述的浓碱溶液是1-5 %的NaOH溶液。所述的浓碱溶液是3 %的NaOH溶液。本发明的硅料清洗工艺，由于在腐蚀之前，增设了预清洗、碱清洗和超声清洗三道预处理工序，清洗效果好，导致污染残留极少，因而，其后的腐蚀效果好，产品品质得以提高，其返工率低；同时，本工艺是采用碱腐蚀工艺，其生产过程中，不会产生大量的酸雾，也不会产生氟废气，因此，对生产环境没有多大的影响。下表是本发明与传统酸腐工艺的对比资料
权利要求
1.一种硅料清洗工艺，其特征在于工艺流程如下第一步预清洗，先将待清洗的硅料置于器皿中，用DI水进行冲洗； 第二步碱清洗，首先，用中性清洗剂采用超声清洗，其次，用稀碱溶液进行清洗，再次， 用DI水清洗；第三步超声清洗，用DI水采用超声清洗；第四步碱腐蚀，首先，用浓碱溶液进行超声清洗，其次，采用普通纯净水清洗，再次，用 DI水冲洗；第五步腐蚀清洗，用DI水采用超声清洗； 第六步甩干，采用甩干设备进行甩干； 第七步烘干，采用烘干设备进行烘干。
2.根据权利要求1所述的硅料清洗工艺，其特征在于所述的稀碱溶液是0.05-0. 15% 的NaOH溶液。
3.根据权利要求1或2所述的硅料清洗工艺，其特征在于所述的稀碱溶液是0.的 NaOH溶液。
4.根据权利要求3所述的硅料清洗工艺，其特征在于所述的浓碱溶液是3%的NaOH 溶液。
全文摘要
本发明公开的一种硅料清洗工艺，涉及光伏行业或半导体技术领域，其工艺流程包括预清洗，碱清洗，超声清洗，碱腐蚀，腐蚀清洗，甩干和烘干；具有既能减少返工率，又能提高产品品质，且对生产环境没有影响等特点，适用于光伏行业或半导体技术领域中硅料的头尾、边皮料的清洗。
文档编号C23G1/14GK102212832SQ20111011595
公开日2011年10月12日 申请日期2011年5月3日 优先权日2011年5月3日
发明者唐光祖 申请人:湖南天润新能源有限责任公司