专利名称：两种在双面研抛机上实现的单面抛光方法
技术领域：
本发明涉及两种双面研抛机上实现的抛光方法，特别涉及两种在双面研抛机上实现的单面抛光方法。
背景技术：
目前，随着现代高科技的发展，晶体材料在电子、光学、仪器仪表、航空航天和民用等行业的应用越来越广泛。晶体材料的加工主要采用晶体研磨抛光机，但现有技术中，同一台研磨抛光机上不同时具备单面抛光功能和双面抛光功能，即双面研抛机上不具有单面抛光的功能。因此，在实际应用中，在既需要进行单面抛光也需要进行双面抛光时，需购置一台单面晶体研抛机和一台双面晶体研抛机，不仅设备投资高，也增加维修成本和使用成本。
发明内容
本发明的目的是为克服已有技术的不足之处，通过在双面研抛机上改进抛光方法，提供两种在双面研抛机上实现的单面抛光方法，使得在需要单面抛光时，无需另外购置专用的单面研抛机，充分节约成本，并能进一步提高加工效率，有利于产业化。本发明提出的两种双面研抛机上实现的单面抛光方法为:双面研抛机的压重式单面抛光方法和双面研抛机的粘贴式单面抛光方法。其中双面研抛机的压重式单面抛光方法加工步骤如下:
(1)在双面研抛机的下磨盘上安装相互啮合的内齿圈、外齿太阳轮和一块以上开有一个以上通孔的带有外齿的游 星盘，将晶体材料放在通孔中；
(2)在游星盘上放上压块。为了缓解抛光过程中压块对被抛光晶体材料的压力，还可以在游星盘和压块之间放上一个以上的缓冲垫、固定层。缓冲垫用于缓冲压块和游星盘之间的压力，固定层可以与内齿圈、外齿太阳轮啮合，用于固定缓冲垫。(3)上磨盘始终保持与下磨盘不接触的状态，进行抛光。抛光条件:下磨盘转速:16飞Orpm，外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3 1:10。为保证抛光精度，压块的压力参数为5(T500g/cm2。通过上述抛光方法，可以在双面研抛机上实现晶体材料的单面抛光。双面研抛机的粘贴式单面抛光方法具体步骤如下:
(1)将两个晶体材料的无需抛光的表面用粘合剂对粘在一起，或者将一个以上的晶体材料的无需抛光的表面用粘合剂粘贴在载物盘的上表面和/或下表面上，所述粘合剂耐受温度彡80 0C ；
(2)在双面研抛机的下磨盘上安装相互啮合的内齿圈、外齿太阳轮和一块以上开有一个以上通孔的带有外齿的游星盘，将粘贴好的晶体材料或载物盘放在通孔中；
(3)盖上上磨盘，上下磨盘同时进行抛光；
抛光条件:下磨盘转速:16飞Orpm,上磨盘转速:16飞Orpm,外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3 1:10。
所述载物盘是不锈钢片。
粘贴式单面抛光方法中应采用耐受温度>80°C的粘合剂，如市面上常见的高温腊。
粘贴式单面抛光方法中，将两个晶体材料的无需抛光的表面用粘合剂对粘在一起时，不仅可以在双面研抛机上实现晶体材料的单面抛光，而且在一次抛光过程中抛光的晶体材料的数量增加为压重式单面抛光方法生产的晶体材料数量的2倍，大幅提高了抛光效率。
在抛光表面积更小的晶体材料时，还可以将一个以上的晶体材料的无需抛光的表面分别用粘合剂粘贴在载物盘的上表面和/或下表面上，载物盘的尺寸与通孔尺寸相适应，再将载物盘放入通孔，用上下磨盘进行抛光，这样不仅在双面研抛机上实现了单面抛光，而且进一步增加了一次抛光过程中晶体材料的抛光数量，大幅提高抛光效率，更重要的是，无需修改游星盘上的通孔尺寸即可抛光不同尺寸的晶体材料。
载物盘可以采用市场上常见的耐受温度> 80°C的材料如不锈钢制成。
通过本发明提供的两种技术方案，能够在双面研抛机上实现晶体材料的单面抛光，并能进一步增加抛光数量、提高抛光效率，并可使晶体材料的抛光精度达到表面粗糙度Ra ^ 0.3nm。
图1为双面研抛机的示意图。
图2为安装好内齿圈、外齿太阳轮和游星盘的双面研抛机的下磨盘结构正面示意图。
图3为第一实施例中游星盘、缓冲垫、固定层、压块的侧面示意图。
图4为第三实施例中不锈钢片上表面或下表面上晶体材料的粘贴示意图。
图中:1 一内齿圈，2—游星盘，3—通孔，4一外齿太阳轮，5—下磨盘，6—上磨盘，7—晶体材料，8—不镑钢片，9一缓冲垫，10一固定层，11 一压块。
具体实施方法 下面将结合说明书附图对本发明的具体实施方式
作进一步详述。
第一实施例: I)在双面研抛机的 下磨盘5上安装相互啮合的内齿圈1、外齿太阳轮4和五块带有外齿的游星盘2，每块游星盘2有五个通孔3。
3)把25块晶体材料7放在通孔3中，晶体材料7与通孔的尺寸相适应。
3)在每个游星盘5上依次放上一个缓冲垫9、固定层10、压块11，压块的压力为300g/cm2。
4)上磨盘始终保持与下磨盘不接触的状态，进行抛光。
5)抛光条件:下磨盘转速:16飞Orpm，外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3 1:10。
在该实施例中，仅下磨盘对晶体材料进行抛光，实现了在双面研抛机上进行单面抛光。
本实施例中，晶体材料的抛光精度达到表面粗糙度Ra ( 0.3nm。
第二实施例:
I)在双面研抛机的下磨盘5上安装相互啮合的内齿圈1、外齿太阳轮4和五块带有外齿的游星盘2，每块游星盘2有五个通孔3。2)将50块晶体材料7的无需抛光的表面用高温蜡两两粘合，晶体材料7的尺寸与通孔3大小相适应。3)把上述25对两两粘合的晶体材料7放在游星盘2的通孔3中。4)盖上上磨盘，上下磨盘同时进行抛光；
5)抛光工艺条件:下磨盘转速:16飞Orpm,上磨盘转速:16飞Orpm,外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3 1:10。本实施例中上下磨盘同时抛光，一次可进行50块晶体材料的单面抛光。本实施例中，晶体材料的抛光精度达到表面粗糙度Ra ( 0.3nm。第三实施例:
I)在双面研抛机的下磨盘5上安装相互啮合的内齿圈1、外齿太阳轮4和五块带有外齿的游星盘2，每块游星盘2有五个通孔3。2)如图3所示，将三个较小尺寸的晶体材料7的无需抛光的表面用蜡粘在不锈钢片8的上表面上，将另外三个晶体材料的无需抛光的表面用高温蜡粘在不锈钢片8的下表面上，不锈钢片8与游星盘2上的通孔3尺寸相适应；重复前述操作，得到25块不锈钢片8，每片不镑钢片上粘贴着6块晶体材料7。3)把上述25块不锈钢片8放在下磨盘5上的游星盘2的通孔3中。4)盖上上磨盘，上下磨盘同时进行抛光；
5)抛光工艺条件:下磨盘转速:16飞Orpm,上磨盘转速:16飞Orpm,外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3 1:10。本实施例中上下磨盘同时进行抛光，一次可进行150块较小尺寸的晶体材料的单面抛光。还可以按照晶体材料的不同尺寸大小，调整粘贴在不锈钢片上的晶体材料的数量。由于将与通孔尺寸相适应的不锈钢片8作为载物盘，无需修改通孔尺寸即可抛光不同尺寸的晶体材料。本实施例中，晶体材料的抛光精度达到表面粗糙度Ra ( 0.3nm。
权利要求
1.一种双面研抛机的压重式单面抛光方法，其特征在于，具体加工步骤如下: (1)在双面研抛机的下磨盘上安装相互啮合的内齿圈、外齿太阳轮和一块以上开有一个以上通孔的带有外齿的游星盘，将晶体材料放在通孔中； (2)在所述游星盘上设置压块，所述压块向游星盘上的晶体材料施加压力； (3)上磨盘始终保持与下磨盘不接触的状态，进行抛光； 抛光条件:下磨盘转速:16飞Orpm，外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3 1:10。
2.根据权利要求1所述的双面研抛机的压重式单面抛光方法，其特征在于:所述压块的压力参数为5(T500g/cm2。
3.根据权利要求1或2所述的双面研抛机的压重式单面抛光方法，其特征在于:所述压块与游星盘之间还包括一个以上的缓冲垫，所述缓冲垫与所述压块之间还包括固定层。
4.一种双面研抛机的粘贴式单面抛光方法，其特征在于，具体加工步骤如下: (1)将两个晶体材料的无需抛光的表面用粘合剂对粘在一起，或者将一个以上的晶体材料的无需抛光的表面用粘合剂粘贴在载物盘的上表面和/或下表面上，所述粘合剂耐受温度彡80 0C ； (2)在双面研抛机的下磨盘上安装相互啮合的内齿圈、外齿太阳轮和一块以上开有一个以上通孔的带有外齿的游星盘，将粘贴好的晶体材料或载物盘放在通孔中； (3)盖上上磨盘，上下磨盘同时进行抛光； 抛光条件:下磨盘转速:16飞Orpm,上磨盘转速:16飞Orpm,外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3 1:10。
5.根据权利要求4所述的双面研抛机的粘贴式单面抛光方法，其特征在于:所述载物盘是不锈钢片。
6.根据权利要求4所 述的双面研抛机的粘贴式单面抛光方法，其特征在于:所述粘合剂是高温蜡。
全文摘要
本发明公开了两种在双面研抛机上实现的单面抛光方法，包括双面研抛机的压重式单面抛光方法和双面研抛机的粘贴式单面抛光方法。其中双面研抛机的压重式单面抛光方法主要包括在所述游星盘上设置压块，上磨盘始终保持与下磨盘不接触的状态，进行抛光。双面研抛机的粘贴式单面抛光方法主要包括:将晶体材料无需抛光的表面用粘合剂对粘在一起，上下磨盘同时进行抛光。通过在双面研抛机上采用上述两种方法，实现在双面研抛机上对晶体材料进行单面抛光，无需另外购置专用的单面研抛机，充分节约成本，并且进一步提高加工效率，有利于产业化。
文档编号B24B29/02GK103158054SQ20111042514
公开日2013年6月19日 申请日期2011年12月19日 优先权日2011年12月19日
发明者张卫兴 申请人:张卫兴