高生产量cmp平台的制作方法
【专利摘要】一种化学机械抛光系统，具有：第一抛光装置，被配置成对工件实施第一化学机械抛光；以及第二抛光装置，被配置成对工件实施第二化学机械抛光。一种再加工抛光装置包括再加工抛光盘和再加工CMP头，并且被配置成当工件被放置在再加工抛光盘上时，对工件实施辅助化学机械抛光。测量装置测量工件的一个或多个参数，以及传送装置在第一抛光装置、第二抛光装置、再加工抛光装置、以及测量装置之间传送工件。仅当一个或多个参数不符合要求时，控制器确定通过传送装置将工件选择传送到再加工抛光装置。本发明还提供了高生产量CMP平台。
【专利说明】高生产量CMP平台
【技术领域】
[0001]本发明一般地涉及半导体【技术领域】，更具体地来说，涉及化学机械抛光系统及其方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制造中，在形成完整管芯之前，半导体晶圆通常经过多个工艺步骤或阶段。例如，这样的工艺步骤可以包括光刻、蚀刻、半导体掺杂、以及在半导体晶圆上沉积和/或移除多种材料。
[0003]不同工艺步骤期间花费的时间直接确定独立工艺的生产量和形成完整管芯的生产量。然而，一些工艺可能要求对工件再加工，其中，对工件进行校正，以达到多种标准。例如，在化学-机械抛光(CMP)期间，可以在一个或多个相应的抛光台处实施一个或多个抛光步骤。一旦工件经过所有抛光步骤，就对抛光后的工件测量多种参数。
[0004]传统上，当在CMP工艺之后，一个或多个被测量的参数不在规范内时，工件通常被返回到相同的一个或多个抛光台，以在被称为“再加工”期间实现期望参数。然而，由于相同抛光台过多地用于初始抛光和再加工抛光，所以这样的再加工技术通常通过CMP工艺降低工件生产量。当工件尺寸增加时，由于抛光更大工件花费更长时间，使用相同抛光台的这样的传统再加工技术降低生产量。
【发明内容】
[0005]以下提供简化概述，以提供本发明的一个或多个方面的基本理解。该概要不是本发明的完整描述，并且既不旨在识别本发明的关键或重要元件，并且也不是对本发明的范围进行划界。而是，概要的主要目的在于以简化形式提出本发明的一些概念，作为稍后提出的更详细说明的序言。
[0006]在一个实施例中，尤其是当工艺工件具有接近和/或超过450mm的直径时，本发明涉及用于增加生产量的化学-机械抛光系统。本发明的化学-机械抛光系统包括:具有第一抛光盘和第一 CMP头的第一抛光装置、具有第二抛光盘和第二 CMP头的第二抛光装置、以及具有再加工抛光盘和再加工CMP头的再加工抛光装置。
[0007]例如，当工件被放置在第一抛光盘上时，第一 CMP头被配置成对工件实施粗化学-机械抛光。当工件被放置在第二抛光盘上时，第二 CMP头被配置成对工件实施细化学-机械抛光。而且，当工件被放置在再加工抛光盘上时，再加工CMP头被配置成对工件实施辅助化学-机械抛光。
[0008]测量装置进一步被设置并且配置为测量工件的一个或多个参数。传送装置被配置成在第一抛光装置、第二抛光装置、再加工抛光装置、以及测量装置中的两个或更多个之间传送工件。可以进一步提供加载装置，其中，加载装置被配置成在多个F0UP(晶圆传送盒)之一和传送装置之间传送工件。而且，清洁装置被配置成从工件清洁抛光残留物。同样地，传送装置进一步被配置成在清洁装置和第一抛光装置、第二抛光装置、以及再加工抛光装置中的一个或多个之间传送工件。
[0009]控制器进一步被配置成，仅当由测量装置所测量的一个或多个参数不符合要求时，经由传送装置将工件选择性地传送到再加工抛光装置。同样地，可以继续通过第一抛光装置、第二抛光装置抛光附加工件，而不影响生产量。
[0010]根据一个实例，第一抛光装置和第二抛光装置通常限定抛光台，其中，化学-机械抛光系统包括:多个抛光台，被配置成同时处理多个工件。在另一个实例中，第一抛光盘和第二抛光盘中的每个都被配置成同时支撑多个工件，其中，第一抛光装置和第二抛光装置均被配置成同时化学-机械抛光相应的多个工件。
[0011]例如，传送装置可以进一步包括:机器人，被配置成经由双臂处理装置选择性地传送两个或更多工件。例如，机器人进一步可操作地连接至轨道，其中，机器人被配置成沿着第一、第二、以及再加工抛光装置、测量装置、清洁装置、以及加载锁定室中的两个或更多之间的轨道平移。
[0012]为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种化学机械抛光系统，包括:第一抛光装置，包括第一抛光盘和第一 CMP头，其中，所述第一 CMP头被配置成当工件被放置在所述第一抛光盘上时对所述工件实施第一化学机械抛光；第二抛光装置，包括第二抛光盘和第二 CMP头，其中，所述第二 CMP头被配置成当所述工件被放置在所述第二抛光盘上时对所述工件实施第二化学机械抛光；再加工抛光装置，包括再加工抛光盘和再加工CMP头，其中，所述再加工CMP头被配置成当所述工件被放置在所述再加工抛光盘上时对所述工件实施辅助化学机械抛光；测量装置，被配置成测量所述工件的一个或多个参数；传送装置，被配置成在所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置以及所述测量装置中的两个或更多个装置之间传送所述工件；以及控制器，被配置成仅当所述测量装置所测量的所述一个或多个参数不符合要求时，经由所述传送装置将所述工件选择性地传送到所述再加工抛光装置。
[0013]该化学机械抛光系统进一步包括:加载装置，所述加载装置被配置成在多个FOUP之一和所述传送装置之间传送所述工件。
[0014]该化学机械抛光系统进一步包括:清洁装置，所述清洁装置被配置成从所述工件清理抛光残留物，其中，所述传送装置进一步被配置成在所述清洁装置与所述第一抛光装置、所述第二抛光装置和所述再加工抛光装置中的一个或多个装置之间传送所述工件。
[0015]在该化学机械抛光系统中，所述第一抛光装置和第二抛光装置总体上限定抛光台。
[0016]在该化学机械抛光系统中，所述化学机械抛光系统包括多个抛光台。
[0017]在该化学机械抛光系统中，所述第一抛光盘和第二抛光盘均被配置成同时支撑多个工件，其中，所述第一抛光装置和第二抛光装置均被配置成同时化学机械抛光相应的所述多个工件。
[0018]在该化学机械抛光系统中，所述传送装置包括机器人，所述机器人被配置成经由双臂处理装置选择性地传送两个或更多工件。
[0019]在该化学机械抛光系统中，所述机器人进一步可操作地连接至轨道，所述机器人被配置成沿着所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置、所述测量装置、清洁装置以及负载锁定室中的两个或更多个装置之间的轨道平移。[0020]在该化学机械抛光系统中，所述再加工抛光装置包括多个再加工CMP头，其中，所述多个再加工CMP头中的每一个均分别被配置成实施多个功能之一和/或遵循多个化学机械抛光配方之一。
[0021]在该化学机械抛光系统中，所述控制器进一步被配置成基于不符合要求的所述一个或多个参数选择所述多个再加工CMP头中的一个。
[0022]在该化学机械抛光系统中，所述多个功能和/或多个化学机械抛光配方与移除特定材料、辅助抛光所述工件上的特定位置、以及用于移除一种或多种材料的特定抛光液配方中一个或多个相关联。
[0023]根据本发明的另一方面，提供了一种用于化学机械抛光多个工件的方法，所述方法包括:将工件放置在第一抛光盘上；经由第一 CMP头以粗抛光方式来抛光放置在所述第一抛光盘上的工件；将所述工件放置在第二抛光盘上；经由第二 CMP头以细抛光方式来抛光放置在所述第二抛光盘上的所述工件；测量与所述工件的表面相关联的一个或多个参数；确定所述一个或多个参数是否符合要求；以及如果所述一个或多个参数不符合要求，则将所述工件放置在再加工抛光盘上，经由再加工CMP头在所述再加工抛光盘上进一步抛光所述工件，其中，在所述再加工抛光盘上进一步抛光所述工件不会影响到达所述第一抛光盘和所述第二抛光盘的其他工件的生产量。
[0024]在该方法中，将所述工件放置在所述第一抛光盘上包括:经由加载装置从FOUP移除所述工件，并且经由传送装置将所述工件放在所述第一抛光盘上。
[0025]在该方法中，将所述工件放置在所述第二抛光盘上包括:从所述第一抛光盘移除所述工件，并且经由所述传送装置将所述工件放在所述第二抛光盘上。
[0026]在该方法中，将所述工件放置在所述再加工抛光盘上包括:经由所述传送装置将所述工件传送到所述再加工抛光盘。
[0027]该方法进一步包括:在测量所述一个或多个参数之前,清洁所述工件。
[0028]在该方法中，清洁所述工件包括:将工件从所述第二抛光盘传送至清洁装置，并且测量所述一个或多个参数包括:将所述工件从所述清洁装置传送至测量装置。
[0029]该方法进一步包括:基于所述一个或多个参数选择多个再加工CMP头中的一个。
[0030]在该方法中，所述多个再加工CMP头分别实施多个功能之一和/或遵循多个化学-机械抛光配方之一。
[0031]根据本发明的又一方面，提供了一种用于提供半导体工艺控制的计算机程序产品，所述计算机程序产品具有其上包含计算机程序的介质，所述计算机程序包括用于以下步骤的计算机程序代码:将工件放置在第一抛光盘上；经由第一 CMP头以粗抛光方式来抛光放置在所述第一抛光盘上的所述工件；将所述工件设置在第二抛光盘上；经由第二 CMP头以细抛光方式来抛光放置在所述第二抛光盘上的所述工件；测量与所述工件的表面相关联的一个或多个参数；确定所述一个或多个参数是否符合要求；以及如果所述一个或多个参数不符合要求，则将所述工件放置在再加工抛光盘上，经由再加工CMP头在所述再加工抛光盘上进一步抛光所述工件，其中，进一步抛光所述再加工抛光盘上的所述工件不会影响到达所述第一抛光盘和所述第二抛光盘的附加工件的生产量。
【专利附图】
【附图说明】[0032]图1A和图1B示出根据本发明的一个示例性方面的经过化学-机械抛光的多个阶段的工件的截面图。
[0033]图2示出根据本发明的另一方面的示例性化学-机械抛光系统的平面图。
[0034]图3示出根据本发明的另一方面的另一个示例性化学-机械抛光系统的平面图。
[0035]图4示出根据另一方面的用于工件的化学-机械抛光的方法。
[0036]图5不出用于工件的化学-机械抛光的基于处理器的系统的不意性表不。
【具体实施方式】
[0037]本发明提供用于在化学-机械抛光中再加工工件而不会对工件生产量产生不利影响的系统、装置和方法。因此，参考附图进行说明，其中，类似参考数字通常用于指的是类似元件生产量，并且多种结构没有必要按比例绘制。在以下说明中，为了解释的目的，阐述大量具体细节以便于进行理解。然而，本领域技术人员应该理解，可以通过较小程度的这些具体细节来实现本文中所描述的一个或多个方面。在其他情况下，以框图形式示出已知结构和设备，以便于进行理解。
[0038]在工件的化学-机械抛光(CMP)处理期间，提供多个抛光步骤是常见的做法，其中，每个抛光步骤都移除工件上的连续层。化学和/或物理抛光部件可以在抛光步骤之间不同，以移除先前形成在工件上的特定层和/或特定部件。例如，图1A示出第一抛光步骤10，其中，预抛光状态14的工件12 (例如，具有形成在其上的多层但是还没有经过抛光的工件)被抛光为中间抛光状态16的工件12。一旦第一抛光完成,就可以清洁工件12并且如图1B所示，将工件12平移至的用于移除随后层的第二抛光步骤18，以形成抛光后状态20。在抛光完成(例如，工件12处于抛光后状态20)之后，可以测量工件12的一个或多个参数，以确定第一抛光步骤和第二抛光步骤是否成功。
[0039]按照惯例，如果一个或多个参数指示抛光不成功，则工件12被返回至第一抛光或第二抛光，并且工件通过CMP工艺的生产量会受到不利影响。而且，工件直径向上增加为450_，由于再抛光更大工件通常需要增加的时间量，导致生产量受到更大程度的不利影响。
[0040]因此，根据本发明的一方面，图2示出根据一些实施例的用于化学-机械抛光工件的系统100。例如,系统100包括第一抛光装置102,第一抛光装置102包括第一抛光盘104和第一 CMP头106。例如，第一 CMP头106被配置成当工件被放置在第一抛光盘104上时，对工件108(例如，半导体晶圆)实施第一化学-机械抛光。例如，进一步提供第二抛光装置110，其中，第二抛光装置包括第二抛光盘112和第二 CMP头114。第二 CMP头114被配置成当工件被放置在第二抛光盘112上时，对工件108实施第二化学-机械抛光。
[0041]根据要从工件108移除的材料的厚度和类型，第一抛光装置102和第二抛光装置所使用的抛光液的类型和化学物质、相应的第一 CMP头106和第二 CMP头114的粗糙度、以及工艺配方(诸如旋转速率、施加给工件的力、以及抛光的持续时间)不同。在一些实施例中，第一化学-机械抛光可以是粗抛光，并且第二化学-机械抛光可以是细抛光。在一些实施例中，第一化学-机械抛光可以被配置成从工件108移除介电材料，并且第二化学-机械抛光可以被配置成移除金属。
[0042]在一些实例中，第一抛光装置102和第二抛光装置110通常限定抛光台115。可以提供多个抛光台115，每个抛光台都包括第一抛光装置102和第二抛光装置110。任何数量的抛光台115都是可能的。每个抛光台115都被配置成给多个工件108提供第一抛光和第二抛光。例如，相应的第一抛光装置102和第二抛光装置110的第一抛光盘104和第二抛光盘112中的每个都被配置成同时支撑多个工件108。例如，因此，第一抛光装置102和第二抛光装置110均被配置成同时化学-机械抛光相应的工件108。
[0043]根据本发明，进一步提供包括再加工抛光盘118和再加工CMP头120的再加工抛光装置116。例如，再加工CMP头120被配置成，当工件被放置在再加工抛光盘118上时，对工件108实施辅助化学-机械抛光。例如，再加工CMP头120可以被配置成实施第一化学-机械抛光(例如，诸如由第一 CMP头106实施)、第二化学-机械抛光(例如，诸如由第
二CMP头114实施)、或者第一化学-机械抛光和第二化学-机械抛光。
[0044]根据另一个实例，测量装置122进一步被提供并且被配置成测量工件108的一个或多个参数，诸如，厚度、抛光均匀性、或与工件的表面相关的其他参数。例如，测量装置122被配置成在抛光之前、期间、或之后检测工件108的表面的厚度、均匀度、和/或粗糙度。例如，可以由测量装置122监控抛光垫磨损、工件108的表面上的均匀度的不足、以及与化学机械抛光相关的多种材料的界面。测量装置122可以被配置成提供光、电、热、压力、和/或声感测。测量装置122可以与第一 CMP头106、第二 CMP头114和/或再加工CMP头120相关。例如，测量装置122可以被配置成在化学-机械抛光之前、期间和/或之后检测震动、电机反馈、或温度。可选地或结合地，测量装置122可以与测量台123相关联，其中，可以从第一抛光装置102、第二抛光装置110、以及再加工抛光装置116分别测量工件108的一个或多个参数。
[0045]根据本发明的某些实例，传送装置124被提供并且被配置成在第一抛光装置102、第二抛光装置110、再加工抛光装置116、以及测量装置122中的两个或更多之间传送工件108。根据一些实例，提供加载装置126。例如，加载装置126被配置成在多个F0UP128之一和传送装置124之间传送工件108。例如,传送装置124包括机器人126,机器人126被配置成经由双臂处理装置130选择性地传送两个或更多工件108。例如，机器人126进一步可操作地连接至轨道132，其中，机器人被配置成沿着第一抛光装置102、第二抛光装置110、再加工抛光装置116、测量装置122、清洁装置134、以及加载装置126中的两个或更多个之间的轨道平移。例如，清洁装置被配置成在化学-机械抛光之后从工件清洁或移除抛光残留物。
[0046]根据多个方面，控制器136进一步被提供并且被配置成，诸如当由测量装置122测量的一个或多个参数不符合要求时，通过传送装置130将工件108选择性地传送到再抛光装置116。例如，在工件108经过通过第一抛光装置102的第一化学-机械抛光和/或通过第二抛光装置110的第二化学-机械抛光之后，控制器136被配置成从测量装置122接收信号138。控制器136可以利用信号处理技术，以基于信号138确定诸如表面均匀性或厚度的抛光状态。例如，如果信号138指示工件108的第一或第二化学-机械抛光中的一个或多个的结果不符合要求，则控制器136被配置成指示传送装置130将工件传送到再加工抛光装置116。同时，在本实例中，控制器136指示将另一个工件108从各个F0UP128或第一抛光装置被传送到相应的第一抛光装置102或第二抛光装置110。
[0047]根据其他方面，再加工抛光装置116包括多种再加工CMP头120。例如，多种再加工CMP头120被配置成实施多种功能和/或遵循多种化学-机械抛光配方，诸如，第一化学-机械抛光(例如，“粗”再加工抛光)的再加工和第二化学-机械抛光(例如，“细”再加工抛光)的再加工。在其他功能和/或配方中，多种其他功能和/或配方被认为与再加工抛光装置116相关，诸如，基于专门移除金属或其他层的辅助抛光、基于来自测量装置122的信号138对工件108上的特定位置的辅助抛光、以及用于移除多种材料的特定抛光液配方(slurry recipe)。
[0048]例如，控制器136被配置成至少部分地基于来自测量装置122的信号138，选择用于辅助化学-机械抛光的多种再加工CMP头120中的一个。例如，测量装置122可以提供指示第二化学-机械抛光的均匀性不符合要求的信号138，其中，通过控制器136选择专用于均匀性问题的多个再加工CMP头120中的一个以用于辅助化学-机械抛光。在另一个实例中，测量装置122可以提供指示与第一化学-机械抛光相关的厚度不符合要求的信号138，其中，由控制器136选择专用于厚度问题的多种再加工CMP头120中的另一个以用于辅助化学-机械抛光。同样地，控制器136包括逻辑以基于来自测量装置122的信号138在再加工抛光装置116处适当地选择用于辅助化学-机械抛光的多种再加工CMP头120中的一个。
[0049]而且，控制器136被配置成指示机器人126选择性地将一个工件108传送到再加工抛光装置116或者从再加工抛光装置116传送一个工件108，同时经由双臂处理装置130将另一个工件传送到第一抛光装置102和第二抛光装置110中的一个或者从第一抛光装置102和第二抛光装置110中的一个传送另一个工件。在多种实例中，控制器136进一步被配置成基于来自测量装置122的信号138，在再加工抛光装置116处将工件传送到用于辅助化学-机械抛光的多种再加工CMP头120中的一个。
[0050]在再加工抛光装置116处经过辅助-化学机械抛光之后，控制器136可以指示工件108被传送回F0UP128。相应地，要求再加工的工件108可以经过通过再加工抛光装置116的辅助化学-机械抛光，而不会显著妨碍工件通过系统100的正常生产量。
[0051]根据本发明的另一方面，图4中示出用于化学-机械抛光多个工件的方法200。例如，方法200包括:在动作202中，将工件设置在第一抛光盘上。例如，经由加载装置从FOUP移除工件，并且经由传送装置将工件放在第一抛光盘上。因此，在动作204中，通过第一 CMP头对放置第一抛光盘上的工件进行第一抛光。然后，在动作206中，诸如通过从第一抛光盘移除工件并且通过传送装置将工件放在第二抛光盘上，将工件设置在第二抛光盘上。然后，在动作208中，通过第二 CMP头对工件实施第二抛光。在动作210中，清洁工件，并测量与工件的表面相关的一个或多个参数，并且在动作212中，确定一个或多个参数是否符合要求。如果在动作212中确定是一个或多个参数不符合要求，则在动作214中，将工件放置在再加工抛光盘上，并且在动作216中，通过再加工CMP头在再加工抛光盘上进一步抛光工件。
[0052]例如，当在动作212中，与第二化学-机械抛光相关的均匀性被确定为不符合要求时，在动作214中，将工件放置在再加工抛光盘上，其中，选择专用于均匀性问题的多种再加工CMP头中的一个，以实施辅助化学-机械抛光。在另一个实例中，当在动作212中，与第一化学-机械抛光相关的厚度或其他参数被确定为不符合要求时，在动作214中，将工件放置在再加工抛光盘上，其中，选择与厚度或其他参数相关的多种再加工CMP头120中的一个，以实施辅助化学-机械抛光。同样地，方法200提供逻辑，以基于一个或多个被测量的参数，适当地选择用于辅助化学-机械抛光的多种再加工CMP头中的一个。
[0053]因此，进一步辅助抛光再加工抛光盘上的工件不会影响第一抛光盘和第二抛光盘上的附加工件的生产量。如果在动作212中确定是一个或多个参数符合要求，则在动作218中，通过加载装置将工件返回至F0UP。
[0054]根据另一方面，在一个或多个通用计算机或基于处理器的系统中，可以使用计算机程序代码来实现上述方法。如图5所示，根据另一个实施例提供基于处理器的系统300的框图。基于处理器的系统300是通用计算机平台，并且可以用于实现本文中所论述的工艺。基于处理器的系统300可以包括处理单元302，诸如，台式计算机、工作站、膝上型计算机、或为特定应用定制的专用单元。基于处理器的系统300可以装配有显示器318和一个或多个输入/输出设备320，诸如鼠标、键盘、或打印机。处理单元302可以包括连接至总线310的中央处理单元(CPU) 304、存储器306、大容量存储设备308、视频适配器312、和I/O 接口 314。
[0055]总线310可以是包括存储器总线或存储器控制器、外围总线、或视频总线的任何类型的多种总线结构中的一个或多个。CPU304可以包括任何类型的电子数字处理器，并且存储器306可以包括任何类型的系统存储器，诸如，静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、或只读存储器(ROM)。
[0056]大容量存储设备308可以包括被配置成存储数据、程序、以及其他信息，并且可经由总线310访问数据、程序、以及其他信息的任何类型的存储设备。例如，大容量存储设备308可以包括硬盘驱动器、磁盘驱动器、或光盘驱动器中的一个或多个。
[0057]视频适配器312和I/O接口 314提供将外部输入和输出设备连接至处理单元302的接口。输入和输出设备的实例包括:连接至视频适配器312的显示器318 ;和连接至I/O接口 314的I/O设备320，诸如，鼠标、键盘、打印机等。其他设备可以连接至处理单元302，并且可以利用附加或更少接口卡。例如，串行接口卡(未示出)可以用于提供用于打印机的串行接口。处理单元302还可以包括网络接口 316，其可以是到局域网(LAN)或广域网(WAN) 322的有线链路和/或无线链路。
[0058]应该注意，基于处理器的系统300可以包括其他部件。例如，基于处理器的系统300可以包括电源、电缆、母板、可移动存储媒体、壳体等。虽然未示出，但是这些其他部件被认为是基于处理器的系统300的一部分。
[0059]诸如，可以通过由CPU304所执行的程序代码，在基于处理器的系统300上实现本发明的实施例。可以通过程序代码来实现根据上述实施例的多种方法。因此，省略本文中的明确论述。
[0060]而且，应该注意，可以在图5的一个或多个基于处理器的系统上均实现图1中的模块和设备。不同模块和设备之间的通信可以根据如何实现模块而改变。如果在一个基于处理器的系统300上实现模块，则在通过CPU304执行用于不同步骤的程序代码之间，可以将数据保存在存储器306或大容量存储器308中。然后，可以在实施各个步骤期间通过CPU304经由总线310访问存储器306或大容量存储器308来提供数据。如果在不同的基于处理器的系统300上实现模块，或者如果通过诸如独立数据库的另一个存储系统提供数据，则可以通过I/O接口 314或网络接口 316在系统300之间提供数据。类似地，由设备或阶段提供的数据可以通过I/O接口 314或网络接口 316被输入到一个或多个基于处理器的系统300中。本领域普通技术人员应该容易理解，实现系统和方法的其他改变和修改都认为在改变实施例的范围内。
[0061]虽然已经详细地描述了本实施例及其优点，但是应该理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，在本文中可以进行多种改变、替换和更改。而且，本申请的范围不旨在限于在说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员应理解，通过本发明，现有的或今后开发的用于执行与根据本发明所采用的所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造，材料组分、装置、方法或步骤根据本发明可以被使用。因此，所附权利要求应该包括在这样的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤的范围内。
[0062]虽然以下作为一系列动作或事件示出和描述本文中所提供的方法，但应该理解，这样的动作或事件的所示顺序不应该解释为限制意义。例如，一些动作可以以不同顺序和/或与其他动作或事件(除在本文中所示和/或描述的动作或事件之外)同时发生。另外，不要求所有所示动作都可以实现本文中描述的一个或多个方面或实施例。而且，可以在一个或多个单独动作和/或阶段期间实施在本文中所描述的一个或多个动作。
[0063]应该理解，虽然贯穿本文档作出在论述本文中所描述的方法的方面使将示例性结构作为参考，但是不是通过所提供的相应结构来限制这些方法。而是，方法(和结构)被认为相互独立，并且能够单独存在和实现，而不考虑图中描述的任何特定方面。
[0064]而且，本领域技术人员基于说明书和所附附图的读取和/或理解，可以进行等效更改和/或修改。由此，本文中的
【发明内容】
包括所有这样的修改和更改，并且通常不被认为是限制性的。另外，虽然仅关于某些实施例中的一个公开了特定特征或方面，但是这样的特征或方面可以与期望的其他实施例的一个或多个其他特征和/或方面结合。而且，就在本文中使用术语“包括”、“具有的”、“具有”、“带有”和/或其变体而言，这样的术语旨在包括类似“包括的”的意义。而且，“示例性”仅意味着实例而不是最优实施例。还应该理解，为了简单和容易理解的目的，通过相互的特定尺寸和/或定向示出本文中所描述的部件、层和/或元件并且实际尺寸和/或定向可以基本不同于本文中所描述的尺寸和/或定向。
【权利要求】
1.一种化学机械抛光系统,包括: 第一抛光装置，包括第一抛光盘和第一 CMP头，其中，所述第一 CMP头被配置成当工件被放置在所述第一抛光盘上时对所述工件实施第一化学机械抛光； 第二抛光装置，包括第二抛光盘和第二 CMP头，其中，所述第二 CMP头被配置成当所述工件被放置在所述第二抛光盘上时对所述工件实施第二化学机械抛光； 再加工抛光装置，包括再加工抛光盘和再加工CMP头，其中，所述再加工CMP头被配置成当所述工件被放置在所述再加工抛光盘上时对所述工件实施辅助化学机械抛光； 测量装置，被配置成测量所述工件的一个或多个参数； 传送装置，被配置成在所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置以及所述测量装置中的两个或更多个装置之间传送所述工件；以及 控制器，被配置成仅当所述测量装置所测量的所述一个或多个参数不符合要求时，经由所述传送装置将所述工件选择性地传送到所述再加工抛光装置。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，进一步包括:加载装置，所述加载装置被配置成在多个FOUP之一和所述传送装置之间传送所述工件。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，进一步包括:清洁装置，所述清洁装置被配置成从所述工件清理抛光残留物，其中，所述传送装置进一步被配置成在所述清洁装置与所述第一抛光装置 、所述第二抛光装置和所述再加工抛光装置中的一个或多个装置之间传送所述工件。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中，所述第一抛光装置和第二抛光装置总体上限定抛光台。
5.根据权利要求4所述的化学机械抛光系统，其中，所述化学机械抛光系统包括多个抛光台。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中，所述第一抛光盘和第二抛光盘均被配置成同时支撑多个工件，其中，所述第一抛光装置和第二抛光装置均被配置成同时化学机械抛光相应的所述多个工件。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其中，所述传送装置包括机器人，所述机器人被配置成经由双臂处理装置选择性地传送两个或更多工件。
8.根据权利要求7所述的化学机械抛光系统，其中，所述机器人进一步可操作地连接至轨道，所述机器人被配置成沿着所述第一抛光装置、所述第二抛光装置、所述再加工抛光装置、所述测量装置、清洁装置以及负载锁定室中的两个或更多个装置之间的轨道平移。
9.一种用于化学机械抛光多个工件的方法，所述方法包括: 将工件放置在第一抛光盘上； 经由第一 CMP头以粗抛光方式来抛光放置在所述第一抛光盘上的工件； 将所述工件放置在第二抛光盘上； 经由第二 CMP头以细抛光方式来抛光放置在所述第二抛光盘上的所述工件； 测量与所述工件的表面相关联的一个或多个参数； 确定所述一个或多个参数是否符合要求；以及 如果所述一个或多个参数不符合要求，则将所述工件放置在再加工抛光盘上，经由再加工CMP头在所述再加工抛光盘上进一步抛光所述工件，其中，在所述再加工抛光盘上进一步抛光所述工件不会影响到达所述第一抛光盘和所述第二抛光盘的其他工件的生产量。
10.一种用于提供半导体工艺控制的计算机程序产品，所述计算机程序产品具有其上包含计算机程序的介质，所述计算机程序包括用于以下步骤的计算机程序代码: 将工件放置在第一抛光盘上； 经由第一 CMP头以粗抛光方式来抛光放置在所述第一抛光盘上的所述工件； 将所述工件设置在第二抛光盘上； 经由第二 CMP头以细抛光方式来抛光放置在所述第二抛光盘上的所述工件； 测量与所述工件的表面相关联的一个或多个参数； 确定所述一个或多个参数是否符合要求；以及 如果所述一个或多个参数不符合要求，则将所述工件放置在再加工抛光盘上，经由再加工CMP头在所述再加工抛光盘上进一步抛光所述工件，其中，进一步抛光所述再加工抛光盘上的所述工件 不会影响到达所述第一抛光盘和所述第二抛光盘的附加工件的生产量。
【文档编号】B24B37/34GK103962935SQ201310163387
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年5月6日 优先权日:2013年2月4日
【发明者】吴健立, 沈宪聪, 黃循康, 黄正吉, 杨棋铭 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司