双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线的制作方法

文档序号:3313192阅读:216来源:国知局
双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种工作效率高、设计合理的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线,包括机架,所述机架上依次设置有进口真空腔体、进口缓冲真空腔体、进口过渡腔体、工艺真空腔体、出口真空腔体、出口缓冲真空腔体和出口过渡腔体;所述机架上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带;所述工艺真空腔体为9个,所述每个工艺真空腔体都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb2Ox阳极;或1到8对SiOx阳极;或1到6对Ito阳极;所述进口真空腔体内配备有1到2组低真空抽气系统;所述进口缓冲真空腔体和出口缓冲真空腔体内配备1到2组高真空抽气系统;所述工艺真空腔体内配备2到3组维持高真空抽气系统。本生产线结构合理,功能先进,工作效率高,有利于推广使用。
【专利说明】双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种导电膜生产线,尤其是一种结构简单可靠、操作方便、镀膜效果好的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线。
【背景技术】
[0002]目前,双面消影触摸屏的导电膜多为通过依次设置的进口真空腔体、工艺腔体和出口真空腔体完成,功能单一,效率低下。

【发明内容】

[0003]为解决上述问题,本发明提供了一种结构简单可靠、操作方便、效率高的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线。
[0004]实现本发明目的的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线,包括机架,所述机架上依次设置有进口真空腔体、进口缓冲真空腔体、进口过渡腔体、工艺真空腔体、出口真空腔体、出口缓冲真空腔体 和出口过渡腔体;
[0005]所述机架上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带;
[0006]所述工艺真空腔体为9个,所述每个工艺真空腔体都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb20x阳极;或I到8对SiOx阳极;或I到6对Ito阳极;
[0007]所述进口真空腔体内配备有I到2组低真空抽气系统;
[0008]所述进口缓冲真空腔体和出口缓冲真空腔体内配备I到2组高真空抽气系统;
[0009]所述工艺真空腔体内配备2到3组维持高真空抽气系统。
[0010]本生产线结构合理,功能先进,工作效率高,有利于推广使用。
【专利附图】

【附图说明】
[0011]图1为本发明的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]如图1所示,本发明所述的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线,包括机架8,所述机架8上依次设置有进口真空腔体1、进口缓冲真空腔体2、进口过渡腔体3、工艺真空腔体4、出口真空腔体5、出口缓冲真空腔体6和出口过渡腔体7 ;
[0013]所述机架8上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带9 ;
[0014]所述工艺真空腔体4为9个,所述每个工艺真空腔体9都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体9可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb20x阳极;或I到8对SiOx阳极;或I到6对Ito阳极;
[0015]所述进口真空腔体I内配备有I到2组低真空抽气系统;
[0016]所述进口缓冲真空腔体2和出口缓冲真空腔体6内配备I到2组高真空抽气系统;
[0017]所述工艺真空腔体4内配备2到3组维持高真空抽气系统。
[0018]本生产线结构合理,功能先进,工作效率高,有利于推广使用。
[0019]上面所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明设计精神前提下,本领域普通工程技术人员对本发明技术方案做出的各种变形和改进 ,均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
【权利要求】
1.双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产线,其特征在于,包括机架,所述机架上依次设置有进口真空腔体、进口缓冲真空腔体、进口过渡腔体、工艺真空腔体、出口真空腔体、出口缓冲真空腔体和出口过渡腔体; 所述机架上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带; 所述工艺真空腔体为9个,所述每个工艺真空腔体都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb20x阳极;或I到8对SiOx阳极;或I到6对Ito阳极; 所述进口真空腔体内配备有I到2组低真空抽气系统; 所述进口缓冲真空腔体和出口缓冲真空腔体内配备I到2组高真空抽气系统; 所述工艺真空 腔体内配备2到3组维持高真空抽气系统。
【文档编号】C23C14/35GK104018131SQ201410184791
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年5月5日 优先权日:2014年5月5日
【发明者】郭爱云 申请人:红安华州光电科技有限公司
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