一种性能均衡的电子材料用铜合金的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种性能均衡的电子材料用铜合金，其包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁和质量份数1-3的氧化钛；其余由Cu和不可避免的杂质构成。根据本发明所得的电子材料的强度、导电性和弯曲加工性的均衡大大提高，且本发明的电子材料在应力松弛特性和钎焊料润湿性方面也显示出优良的特性。
【专利说明】一种性能均衡的电子材料用铜合金
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，具体涉及一种性能均衡的电子材料用铜合金。
【背景技术】
[0002]对于用于引线框架、端子、接插件等的性能均衡的电子材料用铜合金来说，作为制品的基本特性，要求高的强度和高的导电性或者导热性兼备。而且近年来更要求电子器件的小型化、高集成化，因此要求原材料的薄板化，在引线框架、端子、接插件中，引线数等的增加、狭小间距化正在发展。进一步要求器件形状的复杂化并提高组合安装中的可靠性，因此对于使用的材料来说，除了机械强度和导电性优良之外,还要求良好的弯曲加工性。
[0003]特别地，对于在活动连接器等中使用的铜合金，为了进行高电流化，且不使连接器大型化，即使后壁化也具有良好的弯曲性，期望60%IACS以上的导电率和650Mpa左右以上的0.2%屈服强度。
[0004]近年来，作为性能均衡的电子材料用铜合金，代替以往的磷青铜、黄铜等为代表的固溶强化型铜合金，从高强度和高导电性的观点出发，时效硬化性铜合金的使用量正在增力口，时效硬化性铜合金通过固溶处理的过饱和固溶体进行时效处理,使细小的析出物均匀地分散，在提高合金的强度的同时，减少铜中的固溶元素量，从而导电性提高。因此，作为强度、弹性等机械性能优良，而且导电性、导热性良好的材料使用。
[0005]一般认为合金的弯曲加工性和晶粒度有关，晶粒度越小，弯曲加工性能越优良，但是，将晶粒度调整为小的情况下，即使控制制造条件，也容易形成混合未再结晶部分的混合晶粒组织，其结果，产生叫做弯曲性降低的问题。
【发明内容】
[0006]发明目的:针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种性能均衡的电子材料用铜合金。
[0007]技术方案:本发明公开了一种性能均衡的电子材料用铜合金，其包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁和质量份数1-3的氧化钛；其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0008]作为本发明的进一步优化，本发明包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁、质量份数1-3的氧化钛、质量份数5-15份的N1、质量份数1-5份的Al、质量份数1-5份的Cr、质量份数2_3份的Co，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0009]作为本发明的进一步优化，本发明包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁、质量份数1-3的氧化钛、质量份数1-5份的Al、质量份数1-2份的Sn、质量份数0.5-1份的Li，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0010]作为本发明的进一步优化，本发明包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁、质量份数1-3的氧化钛、质量份数1.5-3.5份的Fe、质量份数2_3份的氧化钛和质量份数1_3份的氧化硅，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0011]有益效果:根据本发明所得的电子材料的强度、导电性和弯曲加工性的均衡大大提高，且本发明的电子材料在应力松弛特性和钎焊料润湿性方面也显示出优良的特性。
【具体实施方式】
[0012]下面结合实施例进一步阐明本发明。
[0013]实施例1:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，其包含质量份数I份的镁、质量份数I份的硅、质量份数I份的银、质量份数2份的二磷化三镁和质量份数I的氧化钛；其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0014]实施例2:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，其包含质量份数25份的镁、质量份数2份的硅、质量份数10份的银、质量份数3份的二磷化三镁和质量份数3的氧化钛；其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0015]实施例3:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，其包含质量份数18份的镁、质量份数I份的硅、质量份数5份的银、质量份数3份的二磷化三镁和质量份数2的氧化钛；其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0016]实施例4:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数I份的镁、质量份数I份的硅、质量份数I份的银、质量份数2份的二磷化三镁、质量份数I的氧化钛、质量份数5份的N1、质量份数I份的Al、质量份数I份的Cr、质量份数2份的Co，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0017]实施例5:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数25份的镁、质量份数2份的硅、质量份数10份的银、质量份数3份的二磷化三镁、质量份数3的氧化钛、质量份数15份的N1、质量份数5份的Al、质量份数5份的Cr、质量份数3份的Co，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0018]实施例6:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数18份的镁、质量份数2份的硅、质量份数5份的银、质量份数2份的二磷化三镁、质量份数2的氧化钛、质量份数10份的N1、质量份数3份的Al、质量份数3份的Cr、质量份数3份的Co，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0019]实施例7:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数13份的镁、质量份数2份的硅、质量份数5份的银、质量份数2份的二磷化三镁、质量份数2的氧化钛、质量份数3份的Al、质量份数I份的Sn、质量份数I份的Li，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0020]实施例8:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数I份的镁、质量份数I份的硅、质量份数I份的银、质量份数2份的二磷化三镁、质量份数I的氧化钛、质量份数I份的Al、质量份数I份的Sn、质量份数0.5份的Li，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0021]实施例9:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数25份的镁、质量份数2份的硅、质量份数10份的银、质量份数3份的二磷化三镁、质量份数3的氧化钛、质量份数5份的Al、质量份数2份的Sn、质量份数I份的Li，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0022]实施例10:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数I份的镁、质量份数I份的硅、质量份数I份的银、质量份数2份的二磷化三镁、质量份数I的氧化钛、质量份数1.5份的Fe、质量份数2份的氧化钛和质量份数I份的氧化硅，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0023]实施例11:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数25份的镁、质量份数2份的硅、质量份数10份的银、质量份数3份的二磷化三镁、质量份数3的氧化钛、质量份数3.5份的Fe、质量份数3份的氧化钛和质量份数3份的氧化硅，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
[0024]实施例12:
本实施例的一种性能均衡的电子材料用铜合金，包含质量份数18份的镁、质量份数I份的硅、质量份数6份的银、质量份数2份的二磷化三镁、质量份数2的氧化钛、质量份数2份的Fe、质量份数3份的氧化钛和质量份数2份的氧化硅，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
【权利要求】
1.一种性能均衡的电子材料用铜合金，其特征在于:其包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁和质量份数1-3的氧化钛；其余由Cu和不可避免的杂质构成。
2.根据权利要求1所述的一种性能均衡的电子材料用铜合金，其特征在于:其包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁、质量份数1-3的氧化钛、质量份数5-15份的N1、质量份数1-5份的A1、质量份数1_5份的Cr、质量份数2-3份的Co，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
3.根据权利要求1所述的一种性能均衡的电子材料用铜合金，其特征在于:其包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁、质量份数1-3的氧化钛、质量份数1-5份的A1、质量份数1-2份的Sn、质量份数0.5-1份的Li，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
4.根据权利要求1所述的一种性能均衡的电子材料用铜合金，其特征在于:其包含质量份数1-25份的镁、质量份数1-2份的硅、质量份数1-10份的银、质量份数2-3份的二磷化三镁、质量份数1-3的氧化钛、质量份数1.5-3.5份的Fe、质量份数2_3份的氧化钛和质量份数1-3份的氧化硅，其余由Cu和不可避免的杂质构成。
【文档编号】C22C9/00GK104451245SQ201410818716
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月25日 优先权日:2014年12月25日
【发明者】张真 申请人:春焱电子科技（苏州）有限公司