一种镀膜装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种镀膜装置，其包括蒸镀源材料、蒸镀锅体，所述镀锅与所述蒸镀源材料相向放置，其特征在于：所述蒸镀锅体包括围绕所述锅体中心排列的多个晶片载体，所述晶片载体经一连接支撑体固定于蒸镀锅体，通过调节所述连接支撑体的高度进而调节晶片载体与蒸镀锅体的距离，使所述晶片载体与蒸镀源材料原子入射方向垂直。
【专利说明】一种镀膜装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及半导体【技术领域】，尤其涉及一种镀膜装置。
【背景技术】
[0002] 半导体芯片制备过程中，很多结构层需要经过镀膜工艺制成，因此镀膜步骤在半 导体芯片制备中具有相当重要的作用，特别是目前使用成熟的真空镀膜工艺更是被广泛使 用。所谓真空镀膜即将待镀晶片（即为待镀物）置于真空室内，通过加热或电子束轰击镀源 材料使镀源原子沉积到晶片表面的过程。以蒸镀为例，目前所使用的镀膜装置中，用于固定 晶片载体220的蒸镀锅200悬置于蒸镀机台内腔100,与蒸镀源300相向而置，其晶片表面 与镀源原子入射方向310存在非直角的Θ角度(参看附图1)，其造成镀源的原子入射路径 增长，易造成镀源材料浪费；且晶片表面镀层分布不均，局部区域镀层较厚，在后续制程中 易出现镀层剥离后存在多金的异常现象。
【发明内容】
[0003] 针对上述问题，本实用新型提出了一种镀膜装置，其藉由调节蒸镀锅结构，使其在 制程中晶片与镀源材料原子的入射方向垂直，进而改变原子入射路径，改善金属耗用量及 多金异常现象。
[0004] 本实用新型解决技术的技术方案为：镀膜装置包括：蒸镀源材料、蒸镀锅，镀锅与 所述蒸镀源材料相向放置；而所述蒸镀锅体包括围绕所述锅体中心排列的多个晶片载体， 所述晶片载体经一连接支撑体固定于蒸镀锅体，通过调节所述连接支撑体的高度而调节晶 片载体与蒸镀锅体的距离，使所述晶片载体与蒸镀源材料原子入射方向角度呈垂直关系。
[0005] 优选的，所述连接支撑体的高度沿从中心至边缘方向依次增加。
[0006] 优选的，所述连接支撑体的高度范围为：内圈〇· 8?1. 3cm，次内圈1. 3?1. 8cm， 次外圈1. 8?2. 3cm，外圈2. 3?2. 8cm。
[0007] 优选的，所述连接支撑体的高度范围为：内圈0. 8?1. 8cm，外圈1. 8?2. 8cm。
[0008] 在一些实施例中，所述连接支撑体为条形支撑杆，相互隔开置于晶片载体的边缘 底部，固定晶片载体于镀锅上，且支撑晶片载体与镀锅距离一定高度，且使晶片载体与镀源 入射方向角度垂直。
[0009] 在另一些实施例中，所述支撑连接体为所述晶片载体的组成部分，直接用于固定 晶片，其晶片载体为一环状结构，支撑连接体为环状的侧壁。
[0010] 本实用新型至少具有以下有益效果：通过调节晶片载体的结构，使其在制程中晶 片与镀源材料原子的入射方向角度垂直，进而减小镀膜时原子入射路径，从而改善金属耗 用量及多金异常现象。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型 的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概 要，不是按比例绘制。
[0012] 图1为现有一种镀膜装置结构截面图。
[0013] 图2~图3为本实用新型之实施例1之一种镀膜装置结构截面图。
[0014] 图4为图3中I部放大立体示意图。
[0015] 图5~图6为本实用新型之实施例2之一种镀膜装置结构截面图。
[0016] 图7为图6中I部放大立体示意图。
【具体实施方式】
[0017] 下面结合附图和实施例对本实用新型的【具体实施方式】进行详细说明。
[0018] 实施例1
[0019] 请参看附图2和3,镀膜装置包括：蒸镀机台内腔100、蒸镀源材料300和蒸镀锅 200,其中蒸镀锅200悬置于蒸镀机台内腔100,与所述蒸镀源材料300相向放置；而所述蒸 镀锅200包括围绕所述锅体中心排列的多个晶片载体220,所述晶片载体220经一连接支撑 体210固定于蒸镀锅200,通过调节所述连接支撑体210的高度而调节晶片载体220与蒸镀 锅200的间距，从而使得所述晶片载体与蒸镀源材料原子入射方向310垂直（Θ =90° )。
[0020] 具体的，连接支撑体为条形支撑杆，相互隔开置于晶片载体边缘底部(请参看附图 4)，固定晶片载体220置于镀锅200上，并支撑晶片载体220与镀锅200距离一定高度，且 该高度沿中心至边缘方向依次增加，当该镀锅200包含大于2圈的晶片载体220时，其高度 范围依次为：内圈a为0· 8?1. 3cm，次内圈b为1. 3?1. 8cm，次外圈c为1. 8?2. 3cm， 外圈d为2. 3?2. 8cm ;当该镀锅200包含小于等于2圈晶片载体220时，其高度范围依次 为：内圈a为0· 8?1. 8cm，外圈d为1. 8?2. 8cm，通过调节该高度范围进而使得晶片载体 220与镀源300入射方向310垂直，及保证待镀晶片与该入射方向垂直，从而减小镀源原子 入射距离，并改善晶片表面的镀层均匀性，改善局部区域多金异常。
[0021] 实施例2
[0022] 请参看附图5和6,连接支撑体210为晶片载体220的组成部分，直接用于固定晶 片；其晶片载体220为一环状结构，待镀晶片固定于环状结构内，支撑连接体210为环状的 侧壁(请参看附图7)，调节侧壁的高度，即调节晶片载体与镀锅200的距离，保证待镀晶片 表面与镀源原子入射方向垂直，其侧壁高度范围及晶片载体圈数可以同实施例1。
[0023] 应当理解的是，上述具体实施方案为本发明的优选实施例，本发明的范围不限于 该实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种镀膜装置，包括：蒸镀源材料、蒸镀锅体，所述镀锅与所述蒸镀源材料相向放 置，其特征在于：所述蒸镀锅体包括围绕所述锅体中心排列的多个晶片载体，所述晶片载体 经一连接支撑体固定于蒸镀锅体，通过调节所述连接支撑体的高度而调节晶片载体与蒸镀 锅体的距离，使所述晶片载体与蒸镀源材料原子入射方向垂直。
2. 根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：所述连接支撑体的高度沿从中心至 边缘方向依次增加。
3. 根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于：所述连接支撑体的高度范围为：内圈 0· 8?1. 3cm，次内圈1. 3?1. 8cm，次外圈1. 8?2. 3cm，外圈2. 3?2. 8cm。
4. 根据权利要求2所述的镀膜装置，其特征在于：所述连接支撑体的高度范围为：内圈 0· 8 ?1. 8cm，外圈 1. 8 ?2. 8cm。
5. 根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：所述连接支撑体为置于所述晶片载 体底部的条形支撑杆。
6. 根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于：所述连接支撑体为所述晶片载体的 组成部分，直接用于固定晶片。
【文档编号】C23C14/50GK203878203SQ201420295907
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年6月5日 优先权日:2014年6月5日
【发明者】黄照明, 张家豪, 郭明兴, 季韬, 程叶, 刘峰 申请人:安徽三安光电有限公司