半导体晶圆减薄装置制造方法

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半导体晶圆减薄装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体晶圆减薄装置,包括第一转动机械轴和第二转动机械轴,所述第一转动机械轴下方设有第一产品吸附平台,所述第二转动机械轴上方设有第二产品吸附平台,所述第一产品吸附平台与所述第二产品吸附平台之间设有磨轮,所述磨轮的上下表面均设有磨轮齿,所述磨轮的上表面与所述第一产品吸附平台相对设置,所述磨轮的下表面与所述第二产品吸附平台相对设置。本实用新型的半导体晶圆减薄装置,可以同时实现不同研磨品质要求的半导体晶圆减薄研磨工艺,可以同时进行树脂面减薄和硅面减薄,提高设备利用率,成倍增加了磨片机产能及工艺的灵活性。
【专利说明】半导体晶圆减薄装置

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及圆片级封装领域,具体涉及一种半导体晶圆减薄装置。

【背景技术】
[0002]在圆片级封装领域,经过圆片级封装的半导体晶圆,一般都需要通过磨片机进行减薄厚度,其基本方式是通过半导体晶圆和研磨砂轮的相对运动来实现,分别是通过粗磨和精磨两个砂轮实现,精磨砂轮的颗粒尺寸直接决定了研磨的品质。
[0003]参见图1,转动机械轴1下方安装磨轮固定铸铁2,磨轮固定铸铁2下方安装磨轮3,产品硅片4吸附在产品承载平台5上,将磨轮3需要研磨的面向上放置,通过上部的磨轮3转动,来达到研磨的目的。如果需要研磨不同的面,需要更换不同的磨轮。
[0004]现有技术的磨片机作业时只能安装一个型号的精磨砂轮,而半导体圆片级封装领域对同一片晶圆又有不同的研磨品质的要求。例如有些产品需进行硅面和树脂面的减薄,其作业顺序只能是:先进行硅面减薄,更换树脂磨轮后再进行树脂面减薄。这样导致一片产品减薄硅面及树脂面,需要多次进行磨轮的更换,不但浪费材料,还大大降低了设备的利用率。
实用新型内容
[0005]在下文中给出关于本实用新型的简要概述,以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分,也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
[0006]为了解决现有技术的问题,本实用新型提供一种提高设备利用率,增加产能的半导体晶圆减薄装置。
[0007]为了实现上述目的,本实用新型采取的技术方案是:
[0008]一种半导体晶圆减薄装置,包括第一转动机械轴和第二转动机械轴,所述第一转动机械轴下方设有第一产品吸附平台,所述第二转动机械轴上方设有第二产品吸附平台,所述第一产品吸附平台与所述第二产品吸附平台之间设有磨轮,所述磨轮的上下表面均设有磨轮齿,所述磨轮的上表面与所述第一产品吸附平台相对设置,所述磨轮的下表面与所述第二产品吸附平台相对设置。
[0009]与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
[0010]本实用新型的半导体晶圆减薄装置,可以同时实现不同研磨品质要求的半导体晶圆减薄研磨工艺,可以同时进行树脂面减薄和硅面减薄,提高设备利用率,成倍增加了磨片机产能及工艺的灵活性。

【专利附图】

【附图说明】
[0011]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为现有技术提供的磨片机研磨部分的结构示意图;
[0013]图2为本实用新型提供的的半导体晶圆减薄装置的研磨部分结构示意图。
[0014]附图标记:
[0015]1-转动机械轴;2磨轮固定铸铁;3磨轮,30磨轮齿,31第一磨轮,32第二磨轮;4硅片;5产品承载平台;6第一转动机械轴;7第二转动机械轴;8第一产品吸附平台;9第二产品吸附平台;10贯穿轴;11树脂。

【具体实施方式】
[0016]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意,为了清楚的目的,附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0017]参见图2,一种半导体晶圆减薄装置,包括第一转动机械轴6和第二转动机械轴7,第一转动机械轴6下方设有第一产品吸附平台8,第二转动机械轴7上方设有第二产品吸附平台9,第一产品吸附平台8与第二产品吸附平台9之间设有磨轮3,所述磨轮3的上下表面均设有磨轮齿30,磨轮3的上表面与第一产品吸附平台8相对设置,磨轮3的下表面与第二产品吸附平台9相对设置。
[0018]采用本实用新型的半导体晶圆减薄装置,可同时作业硅面及树脂面,实现硅面及树脂面的减薄,提高了设备利用率,增加了产能。
[0019]优选地,磨轮3包括第一磨轮31和第二磨轮32,第二磨轮32位于第一磨轮31的,第一磨轮31和第二磨轮31通过贯穿轴10连接,第一磨轮31的上表面设有磨轮齿30,第一磨轮31与第一产品吸附平台8相对设置,所述第二磨轮32的下表面设有磨轮齿30,第二磨轮32与第二产品吸附平台9相对设置。
[0020]优选地,第一产品吸附平台8下方用于吸附硅片4,第一磨轮31为硅面减薄磨轮,硅面减薄磨轮对圆片硅面进行减薄。
[0021]优选地,第二产品吸附平台9上方用于吸附树脂11,第二磨轮32为树脂面减薄磨轮,树脂面减薄磨轮对圆片树脂面进行减薄。
[0022]优选地,为方便操作及整体的紧凑性,设计时,第一转动机械轴6、第一产品吸附平台8、磨轮3、第二转动机械轴7及第一产品吸附平台9的轴线位于同一条线上。
[0023]采用本实用新型的半导体晶圆减薄装置,可以在不进行磨轮更换的前提下,同时作业硅面及树脂面的减薄,增加了磨片机的产能。
[0024]本实用新型的工作原理:磨轮做成正反面都有磨轮齿的结构,作业时磨轮不旋转,而是产品承载平台吸附产品进行旋转,来达到研磨的目的。并且减薄设备设计为双料盒上下料,分为料盒A及料盒B,料盒A的产品进行硅减薄,料盒B的产品进行树脂减薄,将硅面减薄磨轮和树脂减薄磨轮各取1片,一个磨轮齿向上一个磨轮齿向下,中间用贯穿轴固定,进料手臂将料盒A中产品放置到上吸附平台进行硅减薄,将料盒B中产品放置到下吸附平台进行树脂减薄,这样就实现了 A料盒产品在上端进行硅减薄作业,B料盒产品在下端进行树脂作业,互不干扰。实现一台设备同时进行硅及树脂减薄。提高了设备利用率的同时,增加了产能。
[0025]在本实用新型上述各实施例中,实施例的序号仅仅便于描述,不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
[0026]在本实用新型的装置和方法等实施例中,显然,各部件或各步骤是可以分解、组合和/或分解后重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本实用新型的等效方案。同时,在上面对本实用新型具体实施例的描述中,针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用,与其它实施方式中的特征相组合,或替代其它实施方式中的特征。
[0027]应该强调,术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在,但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
[0028]最后应说明的是:虽然以上已经详细说明了本实用新型及其优点,但是应当理解在不超出由所附的权利要求所限定的本实用新型的精神和范围的情况下可以进行各种改变、替代和变换。而且,本实用新型的范围不仅限于说明书所描述的过程、设备、手段、方法和步骤的具体实施例。本领域内的普通技术人员从本实用新型的公开内容将容易理解,根据本实用新型可以使用执行与在此所述的相应实施例基本相同的功能或者获得与其基本相同的结果的、现有和将来要被开发的过程、设备、手段、方法或者步骤。因此,所附的权利要求旨在在它们的范围内包括这样的过程、设备、手段、方法或者步骤。
【权利要求】
1.一种半导体晶圆减薄装置,其特征在于,包括第一转动机械轴和第二转动机械轴,所述第一转动机械轴下方设有第一产品吸附平台,所述第二转动机械轴上方设有第二产品吸附平台,所述第一产品吸附平台与所述第二产品吸附平台之间设有磨轮,所述磨轮的上下表面均设有磨轮齿,所述磨轮的上表面与所述第一产品吸附平台相对设置,所述磨轮的下表面与所述第二产品吸附平台相对设置。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆减薄装置,其特征在于,所述磨轮包括第一磨轮和第二磨轮,所述第二磨轮位于所述第一磨轮的下方,所述第一磨轮和第二磨轮通过贯穿轴连接,所述第一磨轮的上表面设有磨轮齿,所述第一磨轮与所述第一产品吸附平台相对设置,所述第二磨轮的下表面设有磨轮齿,所述第二磨轮与所述第二产品吸附平台相对设置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆减薄装置,其特征在于,所述第一产品吸附平台下方用于吸附硅片,所述第一磨轮为硅面减薄磨轮。
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆减薄装置,其特征在于,所述第二产品吸附平台上方用于吸附树脂,所述第二磨轮为树脂面减薄磨轮。
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆减薄装置,其特征在于,所述第一转动机械轴、第一产品吸附平台、磨轮、第二转动机械轴及第一产品吸附平台的轴线位于同一条线上。
【文档编号】B24B37/10GK204209541SQ201420628115
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年10月27日 优先权日:2014年10月27日
【发明者】郭其俊, 王栋卫 申请人:南通富士通微电子股份有限公司
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