一种半导体镀膜设备真空腔用管路截断方法与流程

本发明涉及一种新型管路截断方法，确切地说是一种半导体镀膜设备真空腔用管路截断方法。该方法主要应用于半导体镀膜设备真空腔容积大小的控制，属于半导体薄膜沉积应用及制备技术领域。

背景技术：

现有的半导体镀膜工艺中出现了多种化学源不在反应腔内相遇而是交替通入气体的饱和反应形式，这种饱和反应在时间上需求较长。为了保证生产效率尽量提高的要求，参考饱和反应的特性同时又要将其它时间降到最低，最直接的方式就是将反应腔及整个真空环境的容积降到最低。因此就产生了需要将设备不参与饱和反应部分的真空环境容积关闭和保护管路的问题。

技术实现要素：

本发明以解决上述问题为目的，主要为解决现有技术中不参与饱和反应的真空环境不能关闭也要占用抽气时间和腐蚀管路的问题，而提供一种方法简单，操作方便，有效隔绝真空环境容积和保护管路的方法。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：一种半导体镀膜设备真空腔用管路截断方法，该方法中所涉及的半导体镀膜设备真空腔的整套真空环境由刻蚀系统通过法兰与管路连接，管路的两侧在靠近喷淋板和反应腔的一端安装通止阀，反应腔与抽气管路连接，抽气管路同时与真空泵相连，整个系统由真空泵提供真空环境，由两个通止阀的开关控制真空环境容积的变化和保护管路与刻蚀系统。

本发明的有益效果及特点在于：

方法简单、操作方便，可实现隔断部分真空环境容积将抽气时间最小化，同时还能保护关闭的管路不受反应副产物的腐蚀。使用此方法，可以避免饱和反应时不参与反应的真空环境容积同样占用抽气时间的技术问题，通过通止阀的开关实现不同工况下不同的需求。同时也能防止其他反应对管路的腐蚀起到保护管路的作用，适用于多种样式的设备，且操作简单，可广泛应用于半导体镀膜技术领域。

附图说明

图1是本发明的示意图，也是本发明的具体实施例。

具体实施方式

实施例

参照图1，一种半导体镀膜设备真空腔用管路截断方法，该方法中所涉及半导体镀膜设备真空腔的整套真空环境由刻蚀系统7通过法兰与管路6连接，管路6的两侧在靠近喷淋板2和反应腔5的一端安装通止阀1，反应腔5与抽气管路3连接，抽气管路3同时与真空泵4相连，整个系统由真空泵4提供真空环境，由两个通止阀1的开关控制真空环境容积的变化和保护管路6与刻蚀系统7。

本发明的工作原理：当进行饱和反应时通止阀1关闭，通止阀1以上的管路6和刻蚀系统7的真空环境容积就被通止阀1隔断，将这部分容积需要的抽气时间消除以实现抽气时间最小化的目的，同时被关闭的管路6和刻蚀系统7还能避免被化学反应的副产物腐蚀的伤害。当需要刻蚀内部的副产物时，通止阀1打开即可实现刻蚀副产物的工作。