固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法与流程

本发明是关于一种固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法。

背景技术：

在直径300mm的硅晶棒等的工件的切断中，虽然将悬浮有碳化硅等磨粒的浆液供给至钢在线进行切断的现有的游离磨粒切断方式乃是主流，但切断所需的时间，在使用编号#1000～#1500(平均磨粒直径约为8～10μm)的碳化硅磨粒的状况下需要20～25小时的切断时间。

近年，在所谓DRAM与NAND闪存、MPU等的半导体组件的高积体化逐渐接近技术的瓶颈，透过微型化来削减每一个硅半导体组件的成本也逐渐来到极限。因此，作为继续降低成本的手段，而有在每片晶圆上能取得更多的半导体组件数的使晶圆的直径向450mm的大直径化进行研究。

在使用碳化硅等的磨粒的游离磨粒切断方式来切断直径450mm的硅晶棒的状况，原则上须要硅晶棒的面积成倍比的40～50小时的切断时间，因而使每片晶圆的生产率显著降低。

此处，在直径450mm的硅晶棒的切断中，所使用的是在太阳能电池用硅、玻璃、磁性体、水晶、蓝宝石或碳化硅(Sic)的晶棒切断中所采用的芯线固着有钻石磨粒的固定磨粒钢线(参考专利文献1)。代表的固定磨粒钢线是以电解电镀于直径约0.1mm的金属芯线表面固着具有最小直径4μm及最大磨粒直径16μm的分布的钻石磨粒所制造。

在此使用固定磨粒钢线所进行晶棒的切断中，一般为使用多线锯，将不含磨粒的冷却液供给至运行中的固定磨粒钢线的同时，将晶棒压抵于钢线进行切断。与将悬浮有平均磨粒直径约10μm的碳化硅等的磨粒的浆液供给至钢在线进行切断的现有的游离磨粒切断方式相比，其最大的优点在于：其切断时间能缩短1/2至1/3，另外由于未使用游离磨粒，能降低磨粒或金属粉的分离等的切断中所使用过的浆液的废液的处理上所需的成本。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2010-74056号公报

技术实现要素：

一般而言，LSI(Large Scale Integrated circuit；大规模集成电路)具体上随着内存LSI(memory LSI)或逻辑LSI(LOGIC LSI)的小型化，在半导体硅晶圆中对于其平坦度或Warp以更严格的水平进行要求。在此，所谓的Warp为表示硅晶圆未被真空吸附下自然状态的形状的参数，如图5所示，量测面为使用厚度中央面，基准面为使用厚度中央面的最佳配合面，而定义为自量测面扣除基准面的值的最大值与最小值的差。晶圆的Warp一旦恶化，在组件曝光步骤中，会有引发焦距偏差或覆盖的问题的可能性，据传特别是在直径450mm大直径的晶圆中，此些问题尤为显著。

使用固定磨粒钢线进行硅晶棒的切断所面临的挑战为切断后的晶圆形状精度。准备直径450mm、长度约120mm的硅晶棒，将使用在直径0.1mm的芯线表面固着有最小直径4μm及最大磨粒直径16μm的分布的钻石磨粒的固定磨粒钢线以23小时切断的状况，与将悬浮有平均磨粒直径约10μm的碳化硅磨粒的浆液供给至钢在线进行切断之使用现有的游离磨粒以48小时切断的状况，的此两种状况所切断的晶圆的TTV(代表晶圆面内厚度的最大值与最小值的差)与Warp进行比较。

如图6所示，与以游离磨粒方式所切断晶圆的TTV、Warp相比，以现有一般的固定磨粒钢线所切断的晶圆的TTV、Warp的劣势尤为显著。并且，得知在透过固定磨粒钢线所进行的切断中即使将其切断时间延长，并不会显著改善TTV或Warp的水平，且在切断中固定磨粒钢线会有在工件内蛇行前进的倾向。

鉴于上述的问题，本发明的目的为提供一种固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法，能抑制工件切断中的固定磨粒钢线的蛇行，并能改善自工件所切出的晶圆的TTV、Warp。

为达成上述的目的，根据本发明，提供一种固定磨粒钢线，于芯线的表面固着有磨粒，其中于该芯线的表面中，其每单位面积的该磨粒的个数的磨粒数密度为1200个/mm²以上，且全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下。

在上述磨粒数密度的范围内，能抑制因磨粒数密度过小所产生的工件的切断时的固定磨粒钢线的蛇行。另外一方面，如磨粒数密度过高则容易产生磨粒的凝结，也因此容易发生工件切断中的固定磨粒钢线的蛇行，在本发明中由于上述的平均圆相当直径以下的重心间距离的分布比例为2％以下，因此磨粒平均的分散并固着，其磨粒的凝结较少。于是能抑制因磨粒的凝结所导致的固定磨粒钢线的蛇行。因此，本发明的固定磨粒钢线能改善自工件所切出的晶圆的TTV、Warp，并能以高生产性得到形状精度优良的晶圆。

此时，能使该磨粒为钻石磨粒。钻石磨粒适用于作为本发明的固定磨粒钢线的磨粒。

另外此时，该固定磨粒钢线，能于该芯线的表面所固着的该磨粒具有最小磨粒直径4μm及最大磨粒直径16μm的粒度分布。具有此粒度分布的磨粒适用于作为本发明的固定磨粒钢线的磨粒，因此能高效率的进行工件的切断。

另外，为达成上述目的，根据本发明，提供一种线锯，包含：钢线列，由上述的本发明的固定磨粒钢线于多个导线器间以螺旋状卷绕所形成，工件进给机构，支撑工件的同时，将该工件压抵于该钢线列，喷嘴，供给冷却液至该工件与该钢线的接触部，其中，自该喷嘴供给该冷却液至该钢线的同时，借由该工件进给机构将该工件压抵至该钢线列而将该工件切断成晶圆状。

经由此线锯，能抑制工件切断中的固定磨粒钢线的蛇行，且能改善自工件所切出的晶圆的TTV、Warp，与以游离磨粒方式加工者相较能以高生产性得到形状精度优良的晶圆。

并且，为达成上述的目的，根据本发明，提供一种工件的切断方法，准备于芯线的表面固着有磨粒的固定磨粒钢线，并将该准备的固定磨粒钢线以螺旋状卷绕于多个导线器间而形成钢线列，将该固定磨粒钢线在轴方向作往复运行的同时，将工件压抵在该钢线列，而将该工件切断成晶圆状，其中在准备该固定磨粒钢线时包括以下的步骤：磨粒抽出步骤，对该固定磨粒钢线的表面进行摄像，在所拍摄到的图像上，借由二元化图像分析而抽出磨粒；磨粒数密度求取步骤，求取该经抽出的磨粒的个数，而求出每单位面积的该磨粒的个数的磨粒数密度；平均圆相当直径计算步骤，求取该经抽出的各磨粒的圆相当直径，而计算出全磨粒的平均圆相当直径；重心间距离求取步骤，求取该经抽出的各磨粒的重心，而求出全部的各磨粒间的重心间距离；固定磨粒钢线选别步骤，选出满足条件的固定磨粒钢线，该条件为：该所求出的磨粒数密度为1200个/mm²以上，且该所求取出的全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，该所计算出的全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下，使用该经选出的固定磨粒钢线而进行该工件的切断。

如此一来，由于能更加简便且正确的选出满足磨粒数密度为1200个/mm²以上，且全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下的条件的固定磨粒钢线，而能使用在工件的切断上，故相较于游离磨粒方式能以良好的生产性自工件切出形状精度高的晶圆。而且，与游离磨粒方式相比能降低浆液的废液处理的成本。

此时，在该固定磨粒钢线的表面的摄像中，能使用扫描型电子显微镜或共轭焦雷射显微镜。本发明中，此种方式适用于观察此固定磨粒钢线的表面。

另外此时，能使该磨粒为钻石磨粒。如此，使用钻石磨粒适用于作为固定磨粒钢线的磨粒。

此时，能将该准备的固定磨粒钢线，于该芯线的表面所固着的该磨粒具有最小磨粒直径4μm及最大磨粒直径16μm的粒度分布。本发明适合使用具有此细微的粒度分布的固定磨粒钢线，因而能有效率的进行工件的切断。

通过本发明的固定磨粒钢线及线锯并用之工件的切断方法，与游离磨粒方式的切断相比，能大幅缩短切断所需要的时间，且能大幅改善现有透过固定磨粒方式所切断的晶圆的TTV、Warp等的形状精度。因此对于严格要求晶圆形状精度的内存LSI或逻辑LSI方面的大直径硅晶圆来说，能使用具有很大优势生产性的固定磨粒钢线来应用于硅晶棒的切断。而且，由于未使用游离磨粒，因而能在晶圆的制造步骤中大幅地降低成本。

附图说明

图1为显示本发明的线锯的一例的概略图。

图2为显示本发明的工件的切断方法的一例的流程图。

图3为显示实施例1至实施例3、比较例1、比较例2的TTV、Warp的结果的曲线图。

图4为显示比较例1至比较例4的TTV、Warp的结果的曲线图。

图5为显示Warp的定义的说明图。

图6为显示以游离磨粒方式及以现有的固定磨粒方式所切出的晶圆的TTV、Warp值的曲线图。

图7为显示使用图像处理软件进行二元化图像分析的一例的图像。

图8为显示制造本发明的固定磨粒钢线时能使用的制造装置的一例的概略图。

具体实施方式

以下，说明关于本发明的实施例，但本发明并非被限定于此实施例。

如上所述，使用固定磨粒钢线之工件的切断方法与游离磨粒方式的切断方法相比较，虽能在更短时间内进行工件的切断，但所切出之晶圆的形状精度会有恶化的问题。

因此，本发明人对于所应解决的此种问题进行了以下的研究。

关于使用固定磨粒而使晶圆的形状精度的恶化，是由于在切断中固定磨粒钢线本身会蛇行来进行所导致。本发明人假设钢线的蛇行原因为固定磨粒钢线的表面的磨粒数密度的不均所导致，并反复进行了实验。

其结果，随着每单位面积的磨粒的个数的磨粒数密度的增加，虽然见到TTV或Warp等有改善的倾向，但却比以游离磨粒方式切断的状况的TTV或Warp等的形状精度差。另外，在超过预定的磨粒数密度的固定磨粒钢线中，却相反的使TTV或Warp等变大并恶化。即，了解到如单单只增加磨粒数也得不到良好形状精度的晶圆。

因此，对超过预定磨粒数密度的固定磨粒钢线使得晶圆型状恶化的原因进行调查，确认到如改变在固定磨粒钢线的表面中透过磨粒的分散状态(凝结状态)所致的晶圆的形状精度，使磨粒以预定水平平均的分散便能得到良好的形状精度。

透过以上内容了解到，使芯线的表面的磨粒高密度化，即借由使磨粒的个数增加，并且使增加的磨粒平均的分散，便能抑制晶圆的形状精度的恶化。并且想到，借由磨粒数密度为1200个/mm²以上，且全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下的固定磨粒钢线便能解决上述问题，从而完成本发明。

以下详细说明本发明。首先，详细说明本发明的固定磨粒钢线。本发明的固定磨粒钢线在芯线的表面固着有磨粒。此芯线可以是金属制成，例如它的直径可以是约直径0.1mm。

另外，本发明的固定磨粒钢线的芯线的表面所固着的磨粒，可以具有最小磨粒直径4μm及最大磨粒直径16μm的粒度分布。借由具有此细微的粒度分布的磨粒的固定磨粒钢线，能使晶圆的TTV或Warp等的形状质量更良好。

此外，固着于芯线之磨粒的种类可以是钻石磨粒。此钻石磨粒特别适用于作为本发明的固定磨粒钢线的磨粒。

并且，本发明的固定磨粒钢线于芯线的表面中，其每单位面积的磨粒的个数的磨粒数密度为1200个/mm²以上，且全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下。

基本上，固着于表面的磨粒的个数多者能抑制晶圆的形状精度的恶化。借由本发明的每单位面积的磨粒的个数为1200个/mm²以上，能抑制由于磨粒较少所导致的晶圆的形状精度的恶化，进而在工件的切断中能切出具有良好形状的晶圆。此外，能使磨粒的个数为1500个/mm²以上。

另外，磨粒的个数增加且磨粒的分布偏向于芯线表面的特定位置的状况(导致磨粒凝结的状况)下，在工件的切断中固定磨粒钢线会蛇行，进而导致晶圆的形状精度恶化。此种磨粒的凝结状态能作为磨粒的重叠进行分析，在全磨粒间的重心间距离的当中，此些的分布中磨粒的平均圆相当直径以下所占据的比例越多则能判断为磨粒的凝结。

因此，如本发明，全部的各磨粒间的重心间距离的分布之中，全磨粒的平均圆相当直径以下其重心间距离的比例为2％以下，能使磨粒的分布的偏离受到最大限度的抑制，平均的分散使得凝结处于缓和的状态，而能抑制凝结所导致的晶圆的形状精度的恶化。

在此，对于本发明的固定磨粒钢线的制造方法的一例进行说明。本发明的固定磨粒钢线的制造能利用电解镀镍于金属芯线的表面固着钻石磨粒等的磨粒。此金属芯线例如等能利用钢琴线等。

具体来说，如图8所示，能使用制造装置来制造固定磨粒钢线。

在图8所示之固定磨粒钢线的制造装置20中，首先，于前处理槽21中使用丙酮溶液22和盐酸溶液23去除芯线24的表面的污垢与铁锈。之后，在电镀槽25中，使芯线24通过分散有钻石磨粒等的磨粒26的电镀液27中，使钻石磨粒与自带正电的镍电极溶出的镍离子同时电镀于芯线24的表面而能制造出固定磨粒钢线1。再者，上述说明中，虽将代表的制造方法及当下所使用的制造装置进行例示，但本发明的固定磨粒钢线的制造方法并不限定于此，亦能使用其他的制造方法来制造本发明的固定磨粒钢线。

接下来，参考图1说明本发明的线锯。

如图1所示，固定磨粒方式的线锯11主要由：切断工件W的固定磨粒钢线1、附凹沟滚筒2、钢线张力赋予机构3、3’、工件进给机构4、冷却液供给机构5等所构成。并且此固定磨粒钢线1为上述所说明之本发明的固定磨粒钢线。

固定磨粒钢线1从一侧的卷线盘6送出，经由移台车(traverser)再经过由磁粉离合器((powder clutch)定转矩马达)或上下跳动滚筒(静重车(dead weight))等所组成的钢线张力赋予机构3，进入附凹沟滚筒2。此附凹沟滚筒2能为于钢体制圆筒的周围压入聚胺脂树脂，并于其表面以预定的节距切出凹沟的滚筒。

固定磨粒钢线1借由卷绕于多个附凹沟滚筒2约300～400次后形成钢线列。固定磨粒钢线1经由另一侧的钢线张力赋予机构3’而卷入卷线盘6’内。以这种方式卷绕的固定磨粒钢线1能借由驱动用马达10而往复运行。在此，在使固定磨粒钢线1往复运行时，不需要使往固定磨粒钢线1的双方向的运行距离相同，只要钢线新线能得到供给，亦能使往其中一方向的运行距离变长。如此一来，固定磨粒钢线1于往复运行的同时于长运行距离的方向被供给新线。

冷却液供给机构5由水槽7、冷却器8、喷嘴9等所构成。喷嘴9配置于借由固定磨粒钢线1卷绕于附凹沟滚筒2所形成的钢线列的上方。此喷嘴9连接于水槽7，冷却液借由冷却器8控制供给温度并从喷嘴9供给至固定磨粒钢线1。

工件W借由工件进给机构4来予以支撑。此工件进给机构4借由从钢线的上方向下方押下工件W，而将工件W压抵在往复运行的固定磨粒钢线1上并予以切断。此时，能透过控制计算机所预先编辑的进给速度将所支撑的工件W以预定的进给量对工件的送出进行控制。另外，工件W的切断完成后，能借由逆转工件W的送出方向将切断完成的工件W从钢线列拉出。

通过具备本发明的固定磨粒钢线的线锯，能较游离磨粒方式的线锯大幅的缩短切断时间，且能较现有的固定磨粒方式的线锯以良好的形状精度将工件切断。

接下来，说明本发明的工件的切断方法。本发明的工件的切断方法具有以下显示于图2所说明的步骤。

首先，在准备固定磨粒钢线时，对固定磨粒钢线的表面进行摄像，于所拍摄到的图像上借由二元化图像分析而抽出磨粒(图2的S101)。在此，固定磨粒钢线的表面的摄像中能使用扫描型电子显微镜或共轭焦雷射显微镜。

特别如果是通过具有固定磨粒钢线的大约半径的焦点深度的扫描型电子显微镜或共轭焦雷射显微镜，能适用于固定磨粒钢线的表面的摄像。

另外，摄像完成的图像，例如能使用如图7的图像处理软件WinROOF(三谷商事股份有限公司制)来进行二元化图像分析。

接下来，借由二元化图像分析求取经抽出的磨粒的个数，而求出每单位面积的该磨粒的个数的磨粒数密度(图2的S102)。

并且，求取经抽出的各磨粒的圆相当直径，而计算出全磨粒的平均圆相当直径(图2的S103)。

并且，求取经抽出的各磨粒的重心，而求出全部的各磨粒间的重心间距离(图2的S104)。

如此一来，求出成为固定磨粒钢线表面的磨粒数以及磨粒的分散状态的指针的磨粒数密度、平均圆相当直径、各磨粒间的重心间距离。

再者，自上述经抽出的磨粒求取磨粒数密度的步骤(图2的S102)、计算平均圆相当直径的步骤(图2的S103)、求取重心间距离的步骤(图2的S104)其所进行的顺序并不限定于显示于图2的流程图的顺序，上述三个的步骤可以以任何顺序来进行。

在此，对固定磨粒钢线的表面进行摄像所得到的图像为平面图像。由于实际的钢线的表面形状为圆筒形状的缘故，对成为磨粒数密度的分母的面积进行更严密量测的状况下，能将平面图像变换为圆筒形状后再进行量测。另外同样的，在求取全磨粒的重心间距离时，同样的能将平面图像变换为圆筒形状后再进行求取。另一方面，想要尽可能简便的计算出此些指标的状况下，亦能有意地直接处理平面画像，而求出成为磨粒数密度的分母的面积或全磨粒的重心间距离。如此一来，因应所期望的量测精度及成本等，而能适当地决定对圆筒形状的变换量测。

接下来，选出固定磨粒钢线(图2的S105)。

在此选出满足以下的条件的固定磨粒钢线，在磨粒数密度求取步骤中(图2的S102)，其所求出的磨粒数密度为1200个/mm²以上，且在重心间距离求取步骤中(图2的S104)，在其所求得的全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，平均圆相当直径计算步骤中(图2的S103)所计算出的全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下。

并且，将经选出的固定磨粒钢线以螺旋状卷绕于多个导线器间而形成钢线列，在将固定磨粒钢线在轴方向作往复运行的同时，将工件压抵在钢线列，供给冷却液的同时，将该工件切断成晶圆状(图2的S106)。依照以上的内容来完成工件的切断。

如同本发明所述，借由对固定磨粒钢线的表面进行摄像、根据所拍摄到图像的磨粒密度、重心间距离以及量测平均圆相当直径的磨粒的个数及分散状态(凝结状态)进行评价的技术，能简便且正确的评价出固定磨粒钢线的表面的磨粒的状态。

再者，例如作为现有的固定磨粒钢线的评价检查的方法，提出以对钢线照射光拍摄出钢线的投影图像，进而检测出磨粒的个数、磨粒间隔等的方法(例如参考日本特开2006-95644号公报)。然而，在经由投影对磨粒的检测中，所观察的磨粒的区域仅限于一小部分，并且，虽然磨粒间隔的值能根据投影图像的轮廓线所求取的标准偏差来得到，但不容易判定出磨粒凝结。相对于此，透过上述本发明能简便且正确的评价出固定磨粒钢线的表面的磨粒的状态。

如此一来，由于能简便且正确的选出固着于表面的磨粒的个数多，即磨粒数密度为1200个/mm²以上，且磨粒的分布的偏离受到抑制并处于平均分散的状态，也就是在各磨粒的重心间距离之中，平均圆相当直径以下长度者的比例为2％以下的固定磨粒钢线使用于切断中，因此能抑制晶圆的形状精度的恶化。并且，由于大幅度的缩短固定磨粒方式的切断中所需要的切断时间，因此能提升生产性，并且能降低晶圆制造所需要的成本。

此时，使用钻石磨粒适用于作为磨粒。钻石磨粒多用于作为固定磨粒方式的磨粒。

另外，能将所准备的固定磨粒钢线，于芯线的表面所固着的磨粒具有最小磨粒直径4μm及最大磨粒直径16μm的粒度分布。

满足上述磨粒数密度及上述各磨粒间的重心间距离的条件，并且经由这样的磨粒的粒度分布，能得到形状精度更好的晶圆。再者，关于将粒度分布调节至上述的范围内，只要事先准备满足上述范围粒度分布的磨粒并使其固着于芯在线即可。

另外，本发明的工件的切断方法特别适用于直径450mm以上的单结晶硅晶棒的切断。

在使用固定磨粒钢线切断此种大直径的单结晶硅晶棒的状况下，在使用现有的固定磨粒钢线的切断方法中虽然会使形状精度大幅的恶化，但经由本发明的工件的切断方法则能大幅的抑制形状精度的恶化。

实施例

以下，显示本发明的实施例及比较例而更为具体的说明本发明，但本发明并未被限定于此实施例及比较例。

＜实施例1＞

依照显示于图2的本发明的工件的切断的方法将所选出的固定磨粒钢线安装在图1所显示的线锯上，依照本发明的工件的切断的方法将工件切断。并且，量测工件的切断后的全部的晶圆的TTV及Warp的值，并计算出此些值的平均值。

在此所使用的固定磨粒钢线，于直径0.1mm的芯线固着具有最小磨粒直径6μm及最大磨粒直径16μm的粒度分布的钻石磨粒。

固定磨粒钢线的磨粒数密度为1200个/mm²，全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为0.9％。再者，固定磨粒钢线的表面的摄像中所使用的是扫描型电子显微镜，对拍摄到的图像进行的二元化图像分析所使用的是图像处理软件WinROOF(三谷商事股份有限公司制)。

再者，切断对象的工件所使用的是直径450mm、长度约120mm的单结晶硅晶棒。

表1中所显示的为实施例1、后面叙述的第二、三实施例以及比较例1至比较例4中，固定磨粒钢线的磨粒数密度(个/mm²)、平均圆相当直径(μm)、重心间距离的平均值(μm)、以及全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例(％)各项的总表。

另外，将在实施例1至实施例3、比较例1至比较例4中切断后的晶圆的TTV及Warp的量测结果显示于表2与图3。

实施例1中，所切出的晶圆的TTV的平均值为12.55(μm)、Warp的平均值为15.1(μm)，与后述的比较例相比可大幅度的获得形状精度良好的晶圆。

＜实施例2＞

所使用的固定磨粒钢线除了磨粒数密度为1500个/mm²，全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2.0％以外，以与实施例1相同的条件切断单结晶硅晶棒，并计算出所切出的全晶圆的TTV及Warp的平均值。

其结果如表2、图3所示，TTV的平均值为11.8(μm)，Warp的平均值为12.5(μm)，与后述的比较例相比可大幅度的获得形状精度良好的晶圆。

＜实施例3＞

所使用的固定磨粒钢线除了磨粒数密度为1500个/mm²，全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为1.5％以外，以与实施例1相同的条件切断单结晶硅晶棒，并计算出所切出的全晶圆的TTV及Warp的平均值。

其结果如表2、图3所示，TTV的平均值为12.43(μm)，Warp的平均值为10.45(μm)，与后述的比较例相比可大幅度的获得形状精度良好的晶圆。另外，此TTV及Warp的值与游离磨粒方式所切断的形状质量相同。因此，借由本发明能让使用固定磨粒钢线的切断时间大幅的缩短，并且，能确认其所获得的晶圆的形状精度与使用游离磨粒的状况相同。再者，实施例2与实施例3的TTV及Warp已较实施例1得到改善。此为由于各磨粒间的重心间距离的分布中将上述的比例保持在2％以下，并且其磨粒数密度为较实施例1高的1500个/mm²的缘故所导致。

＜比较例1＞

所使用的固定磨粒钢线除了磨粒数密度为900个/mm²，全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为1.6％以外，以与实施例1相同的条件切断单结晶硅晶棒，并计算出所切出的全晶圆的TTV及Warp的平均值。

其结果如表2、图3、4所示，TTV的平均值为26.81(μm)，Warp的平均值为32.22(μm)。由于这里的磨粒数较少，即磨粒数密度为未满1200个/mm²的状况下，晶圆的TTV、Warp同时恶化，确认到其成为形状精度明显不良的晶圆。

＜比较例2＞

所使用的固定磨粒钢线除了磨粒数密度为1000个/mm²，全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为1.8％以外，以与实施例1相同的条件切断单结晶硅晶棒，并计算出所切出的全晶圆的TTV及Warp的平均值。

其结果如表2、图3、4所示，TTV的平均值为20(μm)，Warp的平均值为28(μm)。由于这里的磨粒数密度为未满1200个/mm²的状况下，晶圆的TTV、Warp同时恶化，确认到其成为形状精度不良的晶圆。

＜比较例3＞

所使用的固定磨粒钢线除了磨粒数密度为1200个/mm²，全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为3.8％以外，以与实施例1相同的条件切断单结晶硅晶棒，并计算出所切出的全晶圆的TTV及Warp的平均值。

其结果如图4、表2所示，TTV的平均值为16.64(μm)，Warp的平均值为18.25(μm)。即使磨粒数密度在1200个/mm²以上的状况下，随着磨粒数密度的增加，一旦各磨粒间的重心间距离的平均圆相当直径以下者的比例超过2％，磨粒变成凝结的状态，晶圆的TTV、Warp同时恶化，确认到其成为形状精度不良的晶圆。

＜比较例4＞

所使用的固定磨粒钢线除了磨粒数密度为1500个/mm²，全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为4.3％以外，以与实施例1相同的条件切断单结晶硅晶棒，并计算出所切出的全晶圆的TTV及Warp的平均值。

其结果如图4、表2所示，TTV的平均值为22.57(μm)，Warp的平均值为29.04(μm)。由于这里随着磨粒数密度的增加，磨粒的凝结为更进一步的状态，晶圆的TTV、Warp更加恶化，确认到其成为形状精度明显不良的晶圆。

表1

表2

此外，本发明并未被限定于上述实施例，上述实施例为例示，凡具有与本发明的申请专利范围所记载的技术思想实质上相同的构成，能得到同样的作用效果者，皆被包含在本发明的技术范围内。