膜厚控制装置、膜厚控制方法和成膜装置与流程

本发明涉及一种膜厚控制装置、膜厚控制方法和成膜装置，能够根据设置在成膜装置上的谐振器的振荡频率来测量成膜速率，且根据所测量出的成膜速率来控制蒸镀源。

背景技术：

现有技术中，在真空蒸镀装置等成膜装置中，为了测量在基板上成膜的膜的厚度和成膜速率，而使用石英晶体微天平(QCM：Quartz Crystal Microbalance)方法这一技术。该方法是利用了配置在腔室内的石英晶体谐振器(quartz-crystal：石英晶体谐振器/又称石英晶体/俗称晶振)的如下特性：由于蒸镀物的沉积带来的质量增加使得其谐振频率减少。因此，可通过测量石英晶体谐振器的谐振频率的变化来测量膜厚和成膜速度。

在具有膜厚传感器的蒸镀装置中，根据所测量出的蒸镀速率，对蒸镀源中的蒸镀材料的加热温度进行反馈控制。一般而言，有时受到蒸镀材料突沸(飞溅)、噪声等干扰因素的影响，膜厚传感器的输出会瞬间有较大变动。

另外，为了实施稳定的反馈控制，已知一种通过对膜厚传感器的输出进行平滑化处理来抑制异常值的影响的方法。例如，在专利文献1中记载了一种方法，按一定时间间隔测量石英晶体谐振器的谐振频率，取根据这些谐振频率算出的膜厚的移动平均，而算出膜厚增加量。

【背景技术文献】

【专利文献】

专利文献1：国际发明专利公开公报2009/038085号

技术实现要素：

发明要解决的问题

在上述现有技术中的通过移动平均处理来使输出平滑化的处理中，例如突沸只要发生1次，此时输出的异常值便会导致平均值整体上升。因此，在现有技术中的平滑化处理中，存在如下问题：由于异常值的原因而导致对蒸镀源的反馈控制发生过剩反应，结果使得该控制发生紊乱(混乱)。

鉴于上述情况而提出了本发明，其目的在于，提供一种膜厚控制装置、膜厚控制方法和成膜装置，以能够抑制原因在于异常值的对蒸镀源的过剩反馈控制。

解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的膜厚控制装置根据设置在具有蒸镀源的成膜装置上的谐振器的振荡频率来测量成膜速率，且根据所测量出的所述成膜速率来控制所述蒸镀源，其具有：速率算出部、第1滤波部和第2滤波部。

所述速率算出部构成为：根据所述谐振器的振荡频率，算出每单位时间的速率换算值。

所述第1滤波部构成为：从所述速率算出部所输出的速率换算值中去除异常值。

所述第2滤波部构成为：将所述第1滤波部所输出的速率换算值平滑化。

采用所述膜厚控制装置，膜厚控制装置具有第1滤波部，该第1滤波部从所述速率算出部所输出的所述速率换算值中去除异常值，因此，能够根据将异常值除外后的速率换算值来实施第2滤波部的平滑化处理。据此，能够抑制原因在于异常值的对蒸镀源的过剩反馈控制。

所述第1滤波部的结构没有特别限定，只要具有能够去除异常值的功能即可，其例如构成为：从所述速率算出部所输出的速率换算值中提取出代表值。所述代表值可以是成为异常值的或然性较低的速率换算值。典型的结构为，第1滤波部由中央值计算滤波器构成。样本数没有特别限定，例如可在不会妨碍对蒸镀源的反馈控制的范围内任意设定。

另外，所述第2滤波部的结构没有特别限定，只要是具有平滑化功能的滤波器即可，其典型结构为：由移动平均滤波器或一阶低通滤波器构成。移动平均包括单纯移动平均和加权移动平均等。样本数没有特别限定，例如可在不会妨碍对蒸镀源的反馈控制的范围内任意设定。

所述膜厚控制装置还可以具有第3滤波部。所述第3滤波部将所述速率算出部所输出的所述速率换算值平滑化，且将平滑化后的速率换算值向所述第1滤波部输出。

据此，即使在速率算出部所输出的速率换算值有较大变动的情况下，由于能够对要输入第1滤波部的该速率换算值进行平滑化，因此也能够抑制测量精度的降低。

第3滤波部的结构没有特别限定，只要是具有平滑化功能的滤波器即可，其典型结构为：由与第2滤波部同样的移动平均滤波器或一阶低通滤波器构成。样本数没有特别限定，例如可在不会妨碍对蒸镀源的反馈控制的范围内任意设定。

本发明的一个方式所涉及的膜厚控制方法中，根据设置在具有蒸镀源的成膜装置上的谐振器的振荡频率来测量成膜速率，且根据所测量出的所述成膜速率来控制所述蒸镀源，包括：根据所述谐振器的振荡频率，算出每单位时间的速率换算值。

从所算出的速率换算值中去除异常值。

将去除异常值后的速率换算值平滑化。

如此，在速率换算值的平滑化处理之前，从速率换算值中去除异常值，据此，能够抑制原因在于异常值的成膜速率测量精度的降低。

本发明的一个方式所涉及的成膜装置具有真空腔、蒸镀源、膜厚传感器和膜厚监视器。

所述蒸镀源配置在所述真空腔的内部。

所述膜厚传感器配置在所述真空腔的内部，具有以规定的谐振频率振荡的谐振器。

所述膜厚传感器具有速率算出部、第1滤波部、第2滤波部和输出部。所述速率算出部构成为：根据所述谐振器的振荡频率，算出每单位时间的速率换算值。所述第1滤波部构成为：从所述速率算出部所输出的速率换算值中去除异常值。所述第2滤波部构成为：将所述第1滤波部所输出的速率换算值平滑化。所述输出部构成为：根据所述第2滤波部所输出的速率换算值来生成用于控制所述蒸镀源的控制信号。

发明效果

采用本发明，能够抑制原因在于异常值的对蒸镀源的过剩反馈控制。

附图说明

图1是表示本发明一个实施方式所涉及的成膜装置的概略剖视图。

图2是表示上述成膜装置的测量单元的一个结构例的概略框图。

图3是表示膜厚传感器所输出的成膜速率的实际数据一例的图。

图4是说明比较例所涉及的成膜速率的测量方法的流程图。

图5是表示适用比较例所涉及的滤波器而得到的速率输出的图。

图6是表示上述成膜装置的控制器结构的功能框图。

图7是说明中央值计算一例的图。

图8是说明中央值计算另一例的图。

图9是说明本发明一个实施方式所涉及的成膜速率的测量方法的流程图。

图10是表示使用本发明一个实施方式所涉及的滤波器而得到的速率输出的图。

图11是比较说明与阶跃响应对应的各种滤波器的特性的图。

图12是表示膜厚传感器所输出的成膜速率的实际数据另一例的图。

图13是表示对图12的实际数据使用比较例所涉及的滤波器而得到的速率输出的图。

图14是表示对图12的实际数据使用本实施方式所涉及的滤波器而得到的速率输出的图。

图15是说明本发明另一实施方式所涉及的成膜速率的测量方法的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图来对本发明的实施方式进行说明。

<第1实施方式>

[成膜装置]

图1是表示本发明一个实施方式所涉及的成膜装置的概略剖视图。本实施方式的成膜装置作为真空蒸镀装置来构成。

本实施方式的成膜装置10具有真空腔11、配置于真空腔11内部的蒸镀源12、与蒸镀源12相向的基板架13和配置于真空腔11内部的膜厚传感器14。

真空腔11构成为：与真空排气系统15连接，内部能够保持在规定的减压氛围(气体环境)。

蒸镀源12构成为：能够产生蒸镀材料的蒸气(粒子)。本实施方式中，蒸镀源12构成为：与电源单元18电连接，对金属材料或有机材料进行加热使其蒸发，而使其放出蒸镀粒子。蒸镀源的种类没有特别限定，可适用电阻加热式、感应加热式、电子束加热式等各种方式。

基板架13构成为：能够保持半导体晶圆或玻璃基板等作为成膜对象的基板W，使其朝向蒸镀源12。

膜厚传感器14内置有具有规定基本频率(固有振动频率)的谐振器，并且如后述那样构成传感器头，该传感器头用于测量沉积于基板W的金属膜或有机膜的膜厚和成膜速率。上述谐振器例如使用温度特性比较优异的AT切割石英晶体谐振器，上述规定基本频率的典型范围为5～6MHz。膜厚传感器14配置在真空腔11的内部，位于与蒸镀源12相向的位置。典型的结构是，膜厚传感器14配置在基板架13附近。

膜厚传感器14的输出被向测量单元17(膜厚控制装置)供给。测量单元17根据谐振器的谐振频率的变化，测量上述膜厚和成膜速率，并且控制蒸镀源12使该成膜速率为规定值。QCM的吸附所致的频率变化和质量载荷的关系使用下式(1)所示的Sauerbrey公式表示。

【公式1】

在公式(1)中，ΔF_s表示频率变化量、Δm表示质量变化量、f₀表示基本频率、ρ_Q表示石英晶体的密度、μ_Q表示石英晶体的剪应力、A表示电极面积、N表示常数。

成膜装置10还具有遮挡门16。遮挡门16配置在蒸镀源12和基板架13之间，其构成为：能够敞开或切断从蒸镀源12至基板架13和膜厚传感器14的蒸镀粒子的射入路径。

遮挡门16的开闭由未图示的控制单元控制。典型的结构是，在蒸镀开始时，遮挡门16关闭(堵塞)，直至蒸镀源12中蒸镀粒子的放出稳定为止。然后，在蒸镀粒子的放出已稳定时，敞开遮挡门16。据此，来自蒸镀源12的蒸镀粒子到达基板架13上的基板W，基板W的成膜处理开始。同时，来自蒸镀源12的蒸镀粒子到达膜厚传感器14，在测量单元17中对基板W上的蒸镀膜的膜厚和其成膜速率进行监测。

[测量装置]

接着，对测量单元17进行说明。

图2是表示测量单元17的一个结构例的概略框图。测量单元17具有振荡电路41、测量电路42和控制器43。

振荡电路41使膜厚传感器14的谐振器20振荡。测量电路42用于测量从振荡电路41输出的谐振器20的谐振频率。控制器43通过测量电路42在每单位时间获取谐振器20的谐振频率，算出蒸镀材料粒子在基板W上的成膜速率和沉积于基板W的蒸镀膜的膜厚。控制器43进一步控制蒸镀源12以使成膜速率达到规定值。

测量电路42具有混频电路51、低通滤波器52、低频率计数器53、高频率计数器54和基准信号生成电路55。从振荡电路41输出的信号被输入高频率计数器54，首先测量振荡电路41的振荡频率的大致值。由高频率计数器54测量到的振荡电路41的振荡频率的大致值被输出到控制器43。控制器43以与测量到的大致值接近的频率的基准频率(例如5MHz)来使基准信号生成电路55振荡。以该基准频率振荡的频率的信号和从振荡电路41输出的信号被输入混频电路51。

混频电路51将输入的2种信号混合，并且经由低通滤波器52输出到低频率计数器53。在此，当从振荡电路41输入的信号为cos((ω+α)t)，从基准信号生成电路输入的信号为cos(ωt)时，在混频电路51内生成由cos(ωt)·cos((ω+α)t)这一公式表示的交流信号。该公式为cos(ωt)和cos((ω+α)t)乘积的形式，该公式所示的交流信号等于由cos((2·ω+α)t)表示的高频分量信号与由cos(αt)表示的低频分量信号的和。

由混频电路51生成的信号被输入低通滤波器52，高频分量信号cos((2·ω+α)t)被去除，仅低频分量信号cos(αt)被输入低频率计数器53。即，低频率计数器53被输入频率为绝对值|α|的低频分量信号，而该低频分量信号为振荡电路41的信号cos((ω+α)t)与基准信号生成电路55的信号cos(ωt)之差值。

低频率计数器53测量该低频分量信号的频率，并将该测量值向控制器43输出。控制器43根据由低频率计数器53测量到的频率与基准信号生成电路55的输出信号的频率，算出振荡电路41输出的信号的频率。具体而言，在基准信号生成电路55的输出信号的频率比振荡电路41的输出信号的频率小的情况下，在振荡电路41的输出信号上加上(作加法)低频分量信号的频率，在相反的情况下，从振荡电路41的输出信号减去(作减法)低频分量信号的频率。

例如，当由高频率计数器54测量得到的振荡电路41的振荡频率的测量值超出5MHz，使基准信号生成电路55以5MHz的频率振荡时，基准信号生成电路55的振荡频率比振荡电路41的实际振荡频率低。因此，为了求得振荡电路41的实际振荡频率，可将由低频率计数器53求得的低频分量信号的频率|α|与基准信号生成电路55的设定频率5MHz相加。若低频分量的频率|α|为10kHz，则振荡电路41的准确的振荡频率为5.01MHz。

低频率计数器53的分辨率(resolution)虽然有上限，但可以为了测量上述差值的频率|α|而设定该分辨率，因此，与以相同的分辨率来测量振荡电路41的振荡频率的情况相比，能够进行准确的频率测量。

另外，基准信号生成电路55的振荡频率通过控制器43控制，能够以使差值的频率|α|小于规定值的方式设定该振荡频率，因此，能够有效利用低频率计数器53的分辨率。所求得的频率值被存储于控制器43。控制器43根据所求得的频率值，利用上述公式(1)所示的算式，来算出沉积在基板W上的蒸镀材料的膜厚和成膜速率。

[成膜速率测量方法]

可是，一般在根据使用膜厚传感器测量出的成膜速率来控制对蒸镀源的蒸发材料的加热温度的情况下,有时受到蒸镀材料的飞溅/噪声等干扰因素的影响,膜厚传感器的输出会有瞬时较大变动,而无法对蒸镀源进行稳定的反馈控制。已知一种解决方法,通过对膜厚传感器的输出进行平滑化处理来抑制异常值的影响。

例如如图3所示，在根据包括速率瞬间大幅上升那样的异常值在内的测量数据来算出成膜速率的情况下，典型的结构是使用具有图4所示处理步骤的滤波器。即，首先，根据从膜厚传感器获得的谐振器的振荡频率的变化，获取将该变化换算为成膜速率而得到的速率换算值(步骤101)。接着，通过例如移动平均计算来将获取到的速率换算值平滑化(步骤S102)，将平滑化后的速率换算值作为成膜速率输出(步骤103)。

图5表示通过移动平均计算将图3所示的传感器输出平滑化时的输出一例。如图5所示，异常值导致的变动幅度变小，但变动时间(T)变长。即，上述的通过移动平均处理来使输出平滑化的处理中，例如突沸只要发生1次，此时输出的异常值便会导致平均值整体上升。因此，在该平滑化处理中，存在如下问题：由于突发异常值的原因而导致对蒸镀源的反馈控制发生过剩反应，结果使得该控制发生紊乱(混乱)。

因而，在本实施方式中，为了消除上述问题，测量单元17的控制器43如图6所示那样来构成。

图6是表示控制器43结构的功能框图。控制器43具有速率算出部431、中央值计算部432、平滑化处理部433和输出部434。

典型的结构是，控制器43可利用CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等计算机所使用的硬件结构要素和必要的软件来实现。也可以替代CPU或者在具有CUP基础上，使用FPGA(Field Programmable Gate Array)等PLD(Programmable Logic Device)或者DSP(Digital Signal Processor)等。

速率算出部431构成为：根据在测量电路42中测量出的谐振器20的振荡频率，算出每单位时间的速率换算值。速率算出部431例如利用上述公式(1)来算出速率换算值。

中央值计算部432作为“第1滤波部”来构成，该第1滤波部从速率算出部431所输出的速率换算值中去除异常值。即，中央值计算部432按时序每次获取规定样本数的、从速率算出部呈阶跃状输出(逐步输出)的(每单位时间的)速率换算值，输出将获取到的有限数量的样本数据按由小到大的顺序排列时的位于中央的数据(速率换算值)。样本数没有特别限定，例如可在不会妨碍对蒸镀源的反馈控制的范围内任意设定。

参照图7和图8对中央值计算部432中的中央值算出方法进行说明。

图7中A、B是用于说明样本数为奇数个时的中央值算出方法的图。在此，为了易于理解，设样本数为5个。按时序获取到的数据为图7中A所示的值时，将这些值如图7中B所示那样按值由小到大的顺序排列。此时的中央值为“顺位为3”的“4”。

另一方面，图8中A、B是用于说明样本数为偶数个时的中央值算出方法的图。在此，为了易于理解，设样本数为6个。按时序获取到的数据为图8中A所示的值时，将这些值如图8中B所示那样按值由小到大的顺序排列。此时的中央值为“顺位为3”的“3”和“顺位为4”的“4”这二者的算术平均值“3.5”。

平滑化处理部433作为“第2滤波部”来构成，该第2滤波部将中央值计算部432所输出的速率换算值(中央值)平滑化。平滑化处理部433的典型结构为：由移动平均滤波器(求取移动平均值的滤波器)或一阶低通滤波器构成。移动平均包括单纯移动平均和加权移动平均等。样本数没有特别限定，例如可在不会妨碍对蒸镀源的反馈控制的范围内任意设定。

输出部434根据在平滑化处理部433中被平滑化后的速率换算值，来生成并输出后续处理所需的信号。上述信号包括显示信号、存储信号和控制信号等，其中，显示信号被作为成膜速率信息或膜厚信息输出给未图示的监视器；存储信号用于使相应的各信息存储于规定存储介质；控制信号被向电源单元18输出，用于控制对蒸镀源12的蒸镀材料的加热温度。

图9是表示控制器43的处理步骤的流程图。

控制器43首先获取在测量电路42中测量出的谐振器20的振荡频率，在速率算出部431中算出每单位时间的速率换算值(步骤201)。控制器43在中央值计算部432中，通过从速率算出部431所输出的速率换算值中提取出中央值，来去除异常值(步骤202)。接着，控制器43在平滑化处理部433中，对中央值计算部432所输出的速率换算值进行平滑化处理(步骤203)。然后，控制器43在输出部434中，根据被平滑化后的速率换算值来生成上述规定信号，向对应的设备(监视器、存储装置、蒸镀源12等)输出。

本实施方式所涉及的滤波器具有从速率算出部431所输出的速率换算值中去除异常值的中央值计算部432，因此，能够根据将异常值除外后的速率换算值来实施平滑处理部433的平滑化处理。由此，能够抑制原因在于异常值的成膜速率测量精度的降低。另外，在根据所测量出的速率对蒸镀源12进行反馈控制时，能够抑制原因在于异常值的对蒸镀源12的过剩反馈控制。

另外，在本实施方式中，在速率换算值的平滑化处理之前从速率换算值中去除异常值，因此，能够使平滑化处理的计算中不包括异常值。因此，能够得到不受异常值影响的速率信息或膜厚信息。

利用本实施方式的滤波器对图3所示的包括异常值的测量值实际数据进行处理后得到的数据在图10中示出。

另外，在本实施方式中，在中央值计算部432中将异常值除外，因此，能够缩短平滑化处理部433中的计算时间，从而缩短平滑化处理导致的对蒸镀源12的反馈控制的延迟时间。

例如，针对阶跃响应(step response)而将(a)20个点的移动平均同(b)10个点的中央值计算和10个点的移动平均进行比较时，(a)的情况下发生20个点的延迟，(b)的情况下发生15个点的延迟，以相同点数进行比较，如图11所示，使用本实施方式的包括中央值计算的滤波器，更能够缩短延迟时间。

用于中央值计算部432的中央值计算的样本数和用于平滑化处理部433的移动平均计算的样本数不限于如上述那样为相同个数，可适当设定。

例如，如图11所示，进行中央值计算的情况与进行移动平均计算的情况相比，具有较迟开始上升但上升速度较高的特性。另外，在蒸镀材料为铝等升华特性高的材料的情况下，由于速率的稳定性较高，因此即使滤波时间设定得较长一般也不会有太大问题。从这种观点出发，也可以使中央值计算的点数多于移动平均计算的点数，以实现速率测量精度的提高。

图12～图14是说明本实施方式所涉及的包括中央值计算和移动平均计算的滤波器与比较例所涉及的仅包括移动平均计算的滤波器之间的不同的另一实验结果。在图12中示出根据谐振器(膜厚传感器)的谐振频率的变化而算出的成膜速率的实际数据，在图13中示出使用比较例所涉及的滤波器对该实际数据进行处理时的测量数据，而且在图14中示出使用本实施方式所涉及的滤波器对该实际数据进行处理时的测量数据。

比较例中移动平均计算的点数为40个，本实施方式中中央值计算和移动平均计算的点数分别为20个。

采用本实施方式，与比较例相比，能够将测量开始时的速率偏差控制在较小。另外，采用本实施方式，能够使速率的变动幅度较小，并且，能够使速率瞬间较大变动时的变动时间较短。因此，采用本实施方式，与比较例相比，成膜速率的测量精度提高，能够实现对蒸镀源12的稳定的反馈控制。

<第2实施方式>

图15是表示本发明的另一实施方式中的控制器43的处理步骤的流程图。

下面，主要对与第1实施方式不同的结构进行说明，对与上述实施方式相同的结构标注相同的标记，并省略或简化其说明。

本实施方式的控制器43构成为：在对速率算出部431所输出的速率换算值执行中央值计算之前，使该速率换算值平滑化(步骤301～303)。据此，即使在速率算出部431所输出的速率换算值有较大变动的情况下，由于能够使要输入中央值计算部432的该速率换算值平滑化，因此也能够抑制测量精度的降低。

此外，中央值计算部432所输出的速率换算值与上述同样，在平滑化处理部433中被进行平滑化处理，所得到的测量数据通过输出部434向外部设备输出(图6，步骤304、305)。

在这种情况下，控制器43还具有作为“第3滤波部”的平滑化处理部，该平滑化处理部将速率算出部431所输出的速率换算值平滑化后向中央值计算器432输出。该平滑化处理部可以采用与作为“第2滤波部”的平滑化处理部433相同的结构，也可以采用与其不同的结构。

作为“第3滤波部”的平滑化处理部没有特别限定，只要是具有平滑化功能的滤波器即可，其典型结构为：由与第2滤波部同样的移动平均滤波器或一阶低通滤波器构成。样本数没有特别限定，例如可在不会妨碍对蒸镀源的反馈控制的范围内任意设定。

例如，上述第3滤波部中的平滑化处理所使用的样本数设定在中央值计算所使用的样本数的1/2倍以下。据此，能够抑制延迟时间的增加，且能够确保高精度的速率测量。

上面对本技术的实施方式进行了说明，但本技术并不限定于上述实施方式，当然可以进行各种变更。

例如，在上面的实施方式中，采用了中央值计算和移动平均计算至少执行1次的结构，但也可以重复执行2次以上。具体而言，对进行了中央值计算和移动平均计算后的速率换算值，再执行中央值计算和移动平均计算。

另外，在上面的实施方式中，以真空蒸镀装置为例来对成膜装置进行了说明，但并不局限于此，溅射装置等其他成膜装置也可适用本发明。在溅射装置中适用本发明的情况下，蒸镀源由包括靶的溅射阴极构成。

附图标记说明

10：成膜装置；11：真空腔；12：蒸镀源；14：膜厚传感器；17：测量单元；18：电源单元；20：谐振器；41：振荡电路；42：测量电路；43：控制器；431：速率算出部；432：中央值计算部；433：平滑化处理部；434：输出部；W:基板。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.一种膜厚控制装置，其根据设置在具有蒸镀源的成膜装置上的谐振器的振荡频率来测量成膜速率，且根据所测量出的所述成膜速率来控制所述蒸镀源，其特征在于，具有：

速率算出部，其根据所述谐振器的振荡频率，算出每单位时间的速率换算值；

第1滤波部，其将所述速率算出部所输出的速率换算值平滑化；

第2滤波部，其从所述第1滤波部所输出的速率换算值中去除异常值；和

第3滤波部，其将所述第2滤波部所输出的速率换算值平滑化。

2.根据权利要求1所述的膜厚控制装置，其特征在于，

所述第1滤波部由移动平均滤波器构成。

3.根据权利要求1或2所述的膜厚控制装置，其特征在于，

所述第2滤波部由中央值计算滤波器构成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的膜厚控制装置，其特征在于，

所述第3滤波部由移动平均滤波器构成。

5.一种膜厚控制方法，根据设置在具有蒸镀源的成膜装置上的谐振器的振荡频率来测量成膜速率，且根据所测量出的所述成膜速率来控制所述蒸镀源，其特征在于，

根据所述谐振器的振荡频率，算出每单位时间的速率换算值；

将所算出的速率换算值平滑化；

从平滑化后的速率换算值中去除异常值；

再将去除异常值后的速率换算值平滑化。

6.一种成膜装置，其特征在于，

具有：

真空腔；

蒸镀源，其配置在所述真空腔的内部；

膜厚传感器，其配置在所述真空腔的内部，具有以规定的谐振频率振荡的谐振器；和

膜厚监视器，其具有速率算出部、第1滤波部、第2滤波部、第3滤波部和输出部，其中，所述第1滤波部将所述速率算出部所输出的速率换算值平滑化，所述第2滤波部从所述第1滤波部所输出的速率换算值中去除异常值，所述第3滤波部将所述第2滤波部所输出的速率换算值平滑化，所述输出部根据所述第3滤波部所输出的速率换算值来生成用于控制所述蒸镀源的控制信号。