一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法。
【背景技术】
[0002]目前，在传统工艺中，纳米防指纹薄膜((AFP)的镀膜方法，都是在产品镀膜完成后，从镀膜设备的炉腔中拿出产品，更换夹持冶具，再对镀膜后的产品进行防指纹处理。传统的纳米防指纹薄膜的镀膜，是用喷涂、浸涂或蒸镀的方式实现的，在涂覆完成后，都需要进行长时间的烘烤，一般要烘烤4-24小时，才能使纳米防指纹薄膜稳定、固化，起到防指纹的效果。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，在镀膜过程中采用离子束辅助沉积工艺，极大的缩短了纳米防指纹薄膜的镀膜时间，不需要额外的烘箱进行烘烤固化，也极大简化了工艺流程。
[0004]实现上述目的的技术方案是:一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，包括以下步骤:
[0005]SI，对镀膜设备进行放气，打开镀膜设备的门；
[0006]S2，安装纳米防指纹薄膜药丸；
[0007]S3，将待镀膜工件放入镀膜设备的炉腔内；
[0008]S4，关闭镀膜设备的门，抽真空，使镀膜设备的炉腔处于真空状态；
[0009]S5，镀膜设备对炉腔内的待镀膜工件进行离子束辅助沉积，同时镀膜设备对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜；
[0010]S6，对镀膜设备进行放气，从炉腔内取出完成纳米防指纹薄膜镀膜的工件；
[0011 ] S7，将完成纳米防指纹薄膜镀膜的工件送去测量滴水角。
[0012]上述的一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，其中，步骤S5中，所述镀膜设备采用串联式蒸镀源对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜。
[0013]上述的一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，其中，所述串联式蒸镀源包括安装法兰、蒸发源水冷进电口、蒸发源水冷出电口和若干蒸发源，其中:
[0014]所述若干蒸发源从上至下依次设置在所述安装法兰的后表面上，且所述若干蒸发源依次串联连接;每个所述蒸发源的外部均设置有蒸发源挡板;所述蒸发源水冷进电口和蒸发源水冷出电口一上一下地设置在所述安装法兰的前表面上，所述蒸发源水冷进电口与位于所述安装法兰的后表面的最上方的蒸发源电连接，所述蒸发源水冷出电口与位于所述安装法兰的后表面的最下方的蒸发源电连接；
[0015]每个所述蒸发源均包括支撑板、绝缘支撑座、两个电极、加热片、坩祸、坩祸挡板和四个支柱，所述支撑板垂直设置;所述绝缘支撑座设置在所述支撑板的前表面的下部;所述两个电极分别设置在所述绝缘支撑座上，且所述两个电极一一对应地位于所述支撑板的左右侧;所述加热片跨接在所述两个电极之间，且位于所述绝缘支撑座的前方;所述坩祸设置在所述加热片的中部;所述坩祸挡板设置在所述坩祸的上端;所述四个支柱一一对应地设置在所述支撑板的后表面的四个角。
[0016]上述的一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，其中，所述蒸发源挡板呈后端开口的箱体结构，每个所述蒸发源设置在相应的所述蒸发源挡板内。
[0017]本发明的新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，采用串联式蒸镀源对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜，在使用少量AFP药丸的情况下，可以使炉腔内的待镀膜工件得到均匀的纳米防指纹薄膜，而且在镀膜过程中采用离子束辅助沉积工艺，极大的缩短了纳米防指纹薄膜的镀膜时间，全部镀膜工艺在30mi η内即可完成，而且不需要额外的烘箱进行烘烤固化，也极大简化了工艺流程。
【附图说明】
[0018]图1为串联式蒸镀源的结构示意图(主视)；
[0019]图2为串联式蒸镀源的结构示意图(后视)；
[0020]图3为串联式蒸镀源的蒸发源的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为了使本技术领域的技术人员能更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对其【具体实施方式】进行详细地说明:
[0022]本发明的最佳实施例，一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，包括以下步骤:
[0023]SI，对镀膜设备进行放气，打开镀膜设备的门；
[0024]S2，安装纳米防指纹薄膜药丸(AFP药丸)；
[0025]S3，将待镀膜工件放入镀膜设备的炉腔内；
[0026]S4，关闭镀膜设备的门，抽真空，使镀膜设备的炉腔处于真空状态；
[0027]S5，镀膜设备对炉腔内的待镀膜工件进行离子束辅助沉积，同时镀膜设备对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜；
[0028]S6，对镀膜设备进行放气，从炉腔内取出完成纳米防指纹薄膜镀膜的工件；
[0029]S7，将完成纳米防指纹薄膜镀膜的工件送去测量滴水角。
[0030]步骤S5中，镀膜设备采用串联式蒸镀源对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜。
[0031]请参阅图1和图2，串联式蒸镀源3包括安装法兰31、蒸发源水冷进电口32、蒸发源水冷出电口 33和若干蒸发源34;若干蒸发源34从上至下依次设置在安装法兰31的后表面上，且若干蒸发源34依次串联连接;每个蒸发源34的外部均设置有蒸发源挡板35，蒸发源挡板35呈后端开口的箱体结构，每个蒸发源34设置在相应的蒸发源挡板35内；蒸发源水冷进电口 32和蒸发源水冷出电口 33—上一下地设置在安装法兰31的前表面上，蒸发源水冷进电口 32与位于安装法兰31的后表面的最上方的蒸发源34电连接，蒸发源水冷出电口 33与位于安装法兰31的后表面的最下方的蒸发源34电连接。
[0032]再请参阅图3，每个所蒸发源34均包括支撑板341、绝缘支撑座342、两个电极343、加热片344、坩祸345、坩祸挡板346和四个支柱347，支撑板341垂直设置;绝缘支撑座342设置在支撑板341的前表面的下部；两个电极343分别设置在绝缘支撑座342上，且两个电极343——对应地位于支撑板341的左右侧;加热片344跨接在两个电极343之间，且位于绝缘支撑座342的前方;坩祸345设置在加热片344的中部;坩祸挡板346设置在坩祸345的上端；四个支柱347—一对应地设置在支撑板341的后表面的四个角。
[0033]综上所述，本发明的新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，采用串联式蒸镀源对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜，在使用少量AFP药丸的情况下，可以使炉腔内的待镀膜工件得到均匀的纳米防指纹薄膜，另外，蒸镀AFP效果比喷涂、浸涂等防指纹薄膜要稳定、固化快，放置时间久防指纹效果更明显。而且在镀膜过程中采用离子束辅助沉积工艺，极大的缩短了纳米防指纹薄膜的镀膜时间，全部镀膜工艺在30min内即可完成，而且不需要额外的烘箱进行烘烤固化，也极大简化了工艺流程。
[0034]本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。
【主权项】
1.一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤: Si，对镀膜设备进行放气，打开镀膜设备的门； S2，安装纳米防指纹薄膜药丸； S3，将待镀膜工件放入镀膜设备的炉腔内； S4，关闭镀膜设备的门，抽真空，使镀膜设备的炉腔处于真空状态； S5，镀膜设备对炉腔内的待镀膜工件进行离子束辅助沉积，同时镀膜设备对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜； S6，对镀膜设备进行放气，从炉腔内取出完成纳米防指纹薄膜镀膜的工件； S7，将完成纳米防指纹薄膜镀膜的工件送去测量滴水角。2.根据权利要求1所述的一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，其特征在于，步骤S5中，所述镀膜设备采用串联式蒸镀源对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜。3.根据权利要求2所述的一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，其特征在于，所述串联式蒸镀源包括安装法兰、蒸发源水冷进电口、蒸发源水冷出电口和若干蒸发源，其中: 所述若干蒸发源从上至下依次设置在所述安装法兰的后表面上，且所述若干蒸发源依次串联连接;每个所述蒸发源的外部均设置有蒸发源挡板;所述蒸发源水冷进电口和蒸发源水冷出电口一上一下地设置在所述安装法兰的前表面上，所述蒸发源水冷进电口与位于所述安装法兰的后表面的最上方的蒸发源电连接，所述蒸发源水冷出电口与位于所述安装法兰的后表面的最下方的蒸发源电连接； 每个所述蒸发源均包括支撑板、绝缘支撑座、两个电极、加热片、坩祸、坩祸挡板和四个支柱，所述支撑板垂直设置;所述绝缘支撑座设置在所述支撑板的前表面的下部;所述两个电极分别设置在所述绝缘支撑座上，且所述两个电极一一对应地位于所述支撑板的左右侧;所述加热片跨接在所述两个电极之间，且位于所述绝缘支撑座的前方;所述坩祸设置在所述加热片的中部;所述坩祸挡板设置在所述坩祸的上端;所述四个支柱一一对应地设置在所述支撑板的后表面的四个角。4.根据权利要求3所述的一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，其特征在于，所述蒸发源挡板呈后端开口的箱体结构，每个所述蒸发源设置在相应的所述蒸发源挡板内。
【专利摘要】本发明公开了一种新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法。本发明的新型纳米防指纹薄膜的镀膜方法，采用串联式蒸镀源对炉腔内的待镀膜工件进行纳米防指纹薄膜镀膜，在使用少量AFP药丸的情况下，可以使炉腔内的待镀膜工件得到均匀的纳米防指纹薄膜，而且在镀膜过程中采用离子束辅助沉积工艺，极大的缩短了纳米防指纹薄膜的镀膜时间，全部镀膜工艺在30min内即可完成，而且不需要额外的烘箱进行烘烤固化，也极大简化了工艺流程。
【IPC分类】C23C14/24
【公开号】CN105714251
【申请号】CN201610105969
【发明人】史旭
【申请人】纳峰真空镀膜（上海）有限公司