本发明涉及半导体技术领域,特别涉及晶圆的化学气相沉淀腔。
背景技术:
低压化学气相沉淀是指将沉淀腔中抽成低压状态,将反应气体置入沉淀腔中,反应气体扩散至沉淀腔中的晶圆表面,在晶圆表面附近的反应区发生反应形成薄膜。现有的低压化学沉淀腔的结构设计不合理,反应气体不能均匀的扩散至晶圆表面,导致形成的薄膜厚度不均匀。
技术实现要素:
针对现有技术存在的上述问题,申请人进行研究及改进,提供一种环管式低压化学气相沉淀腔。
为了解决上述问题,本发明采用如下方案:
一种环管式低压化学气相沉淀腔,包括腔体,所述腔体中内置有导气结构及用于支撑晶圆的支撑结构,所述导气结构为一环形腔套,所述环形腔套的内壁安装有多根径向设置的导气管,所述支撑结构包括一支撑轴,所述支撑轴轴向设置于所述环形腔套中,支撑轴的周壁上借助卡夹夹持晶圆,所述导气管置于相邻的晶圆之间。
本发明的技术效果在于:
本发明采用环状形的导气结构及置于该导气结构中的支撑轴,支撑轴采用放射方式固定晶圆,大大降低晶圆的支撑体积,减小整个沉淀腔的体积,并提高反应气体与晶圆的接触均匀度。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图中:1、腔体;2、支撑结构;3、导气结构;4、导气管;5、卡夹;6、晶圆。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。
如图1所示,本实施例的环管式低压化学气相沉淀腔,包括腔体1,腔体1中内置有导气结构3及用于支撑晶圆的支撑结构2,导气结构3为一环形腔套,环形腔套的内壁安装有多根径向设置的导气管4,支撑结构2包括一支撑轴,支撑轴轴向设置于环形腔套中,支撑轴的周壁上借助卡夹5夹持晶圆6,导气管4置于相邻的晶圆6之间。使用时,将反应气体通入导气结构3的环形腔套中,反应气体从导气管4中导出至相邻的晶圆6之间,反应气体与晶圆6表面充分均匀接触。
以上所举实施例为本发明的较佳实施方式,仅用来方便说明本发明,并非对本发明作任何形式上的限制,任何所属技术领域中具有通常知识者,若在不脱离本发明所提技术特征的范围内,利用本发明所揭示技术内容所作出局部改动或修饰的等效实施例,并且未脱离本发明的技术特征内容,均仍属于本发明技术特征的范围内。