本实用新型涉及一种冷却系统，尤其涉及一种用于太阳能硅片的设备炉管温度控制的冷却系统。属于太阳能光伏技术领域。
背景技术：
PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
炉管温度控制是该工艺重要影响因素之一，温度控制不好会导致产品外观颜色、膜厚以及折射率等不合要求。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种设备炉管温度控制的冷却系统，能有效的进行炉管温度控制，提高产品的质量。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种设备炉管温度控制的冷却系统，它包括相互独立分隔的冷却箱，在每个冷却箱的侧壁上开设有炉管接入口，且在每个冷却箱内设置有冷却水盘管，在冷却箱的顶部设置有主冷却箱，主冷却箱内设置有主冷却水盘管，在所述主冷却箱上设置有五个进水管和五个出水管，其中一对进水管和出水管与主冷却盘管相连，另外四对进水管和出水管分别成对进入每层的冷却箱中，出水管与冷却水盘管相连，进水管分别连接前炉门法兰、冷却水盘管和后炉门法兰。
优选地，在每层冷却箱的进水管和出水管上安装进回水阀门，每根进水管上加装流量计。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：
1、不同管间无热干涉，可独立调整冷却效果；
2、炉管环境的温度没有被热空气所提升；
3、空气运动（通风装置）没有使房间污染；
4、噪音水平低。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示，本实施例中的一种设备炉管温度控制的冷却系统，包括相互独立分隔的冷却箱1，在每个冷却箱1的侧壁上开设有炉管接入口2，且在每个冷却箱1内设置有冷却水盘管3，在冷却箱1的顶部设置有主冷却箱4，主冷却箱4内设置有主冷却水盘管5，在所述主冷却箱4上设置有五个进水管6和五个出水管7，其中一对进水管6和出水管7与主冷却盘管5相连，另外四对进水管6和出水管7分别成对进入每层的冷却箱1中，出水管7与冷却水盘管3相连，进水管6分别连接前炉门法兰8、冷却水盘管3和后炉门法兰9，并且在每层冷却箱1的进水管6和出水管7上安装进回水阀门10，每根进水管6上加装流量计11。通过控制阀门的开度，可实现单个炉管温度的升降温速率。通过切断相应的进回水阀门，可实现单根炉管的检修。
通过改造可以实现根据工艺要求调整单个炉管冷却系统冷却水流量，调整单根炉管升温降温速率；方便单根炉管设备检修和差异化工艺。
除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。