RENA单晶制绒设备抛光工艺冷却装置的制作方法

本实用新型涉及一种冷却装置，特备是一种RENA单晶制绒设备抛光工艺冷却装置。

背景技术：

现有太阳能电池高效单晶抛光设备，如RENA单晶制绒设备刻蚀槽，在进行抛光工艺的过程中释放大量热，制程温度需求为75±2度,制程时间在4min左右,制程循环时间在6.5min左右，硅片在制程过程中会产生放热，且导致温度上升：初始温度为75度，当第一挂架放入硅片反应完成后温度上升到78度左右;当第二挂架放入硅片反应完成后温度同78上升到81度左右，已无法满足工艺要求。

由于没有冷却系统导致反应液体温度居高不下无法达到工艺温度，导致无法进行正常的工艺过程。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是：如何为现有的RENA单晶制绒设备提供一种一机多用的冷却装置。

本实用新型所采用的技术方案是：RENA单晶制绒设备抛光工艺冷却装置：冷切水进水管道上通过顺序安装的第一手动阀门、Y型过滤器后连接多个冷切水支管进水管，每个冷切水支管进水管通过第二手动阀门、电磁阀门、盘管连接到冷切水支管出水管，冷切水支管出水管连接冷切水出水管道，盘管安装在刻蚀槽，盘管被刻蚀槽中的刻蚀液完全浸泡。

作为一种优选方式：电磁阀门连接控制芯片。

本实用新型的有益效果是：本实用新型将制程药水控制在设定范围，不仅可连续生产，工艺也稳定可控。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是盘管结构示意图；

其中，1、第一手动阀门，2、Y型过滤器，3、冷切水进水管道，4、冷切水出水管道，5、电磁阀门，6、第二手动阀门，7、冷切水支管进水管，8、冷切水支管出水管，9、刻蚀槽，10、盘管。

具体实施方式

如图1所示（只画出一个刻蚀槽中的冷切水支管，其它刻蚀槽类似），在抛光开始前首先打开第一手动阀门和需要使用的刻蚀槽上的第二手动阀门，设置好刻蚀槽内部需要保持的温度，抛光过程，如果刻蚀槽内部液体的温度超过设定值，控制芯片控制电磁阀门打开，冷切水通过盘管对刻蚀槽内部液体进行冷却。本实用新型装置彻底解决了抛光工艺过程中的热量散发问题，保证了抛光过程的持续进行。