蒸镀设备及安装于蒸镀设备内的分流装置的制作方法

本申请涉及PVD(Physical Vapor Deposition)领域，尤其涉及一种蒸镀设备及安装于蒸镀设备内的分流装置。

背景技术：

真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术。在真空室内蒸发材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。

蒸发镀膜是通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面的一种真空镀膜技术。蒸发材料如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源。待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待坩埚抽至高真空后，加热坩埚使其中的蒸发材料进而从喷嘴喷出。蒸发材料的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。

如图1和图2所述为一种蒸镀机的喷射系统的示意图。

线源21作为蒸发材料收纳于坩埚12内。待坩埚12抽至高真空后，加热器13加热坩埚12使线源21蒸发进而从喷嘴11喷出，线源21的原子或分子以冷凝的方式沉积在待镀工件表面。

在实现现有技术过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

线源21蒸发时，局部受热不均，或者，多个线源21之间受热不均，均有可能导致待镀工件表面的膜厚不均。

因此，需要提供一种可以解决镀膜的膜厚不均的技术方案。

技术实现要素：

本实用新型提供一种解决上述镀膜的膜厚不均的技术方案。

具体的，一种蒸镀设备，设有真空溅射室，所述真空溅射室内设有：

用于供蒸发材料沉积的待镀区；

喷射系统，朝向所述待镀区，用于加热蒸发材料使蒸发材料向待镀区沉积；

分流装置，设置于所述喷射系统与所述待镀区两者之间的蒸发材料的沉积路径上，设有若干分流孔以分散蒸发材料，同时分流孔孔壁具有缓冲蒸发材料的作用。

优选的，所述若干分流孔依照放射状或阶梯状或者网状排布。

优选的，所述分流孔孔径为纳米级或微米级。

优选的，所述分流装置位于所述待镀区与喷射系统中间。

优选的，分流装置相对于所述待镀区是不平行的。

本实用新型还提供一种分流装置，用于蒸镀设备，所述蒸镀设备包括真空溅射室，所述真空溅射室包括用于供蒸发材料沉淀的待镀区以及朝向所述待镀区的喷射系统，所述喷射系统用于加热蒸发材料并使所述蒸发材料向待镀区沉积，其特征在于：

所述分流装置设置于所述喷射系统与所述待镀区两者之间的蒸发材料的沉积路径上，所述分流装置设有若干分流孔以分散蒸发材料，同时分流孔孔壁具有缓冲蒸发材料的作用。

优选的，所述若干分流孔依照放射状或阶梯状或者网状排布。

优选的，所述分流孔孔径为纳米级或微米级。

优选的，分流装置相对于所述待镀区是不平行的。

本申请实施例提供的蒸镀设备和分流装置，至少具有如下有益效果：

分流装置设有若干分流孔以分散蒸发材料，分流孔孔壁具有缓冲蒸发材料的作用，从而可以解决镀膜的膜厚不均的技术问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例的喷射系统示意图。

图2为图1的剖视图。

图3为蒸镀设备的内部结构示意图。

图4为放射状分布的分流孔的孔中心连线示意图。

图5为阶梯状分布的分流孔的孔中心连线示意图。

图6为网状分布分流孔的孔中心连线示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

蒸镀工艺是一种通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面的一种真空镀膜技术。

蒸镀机是一种执行该蒸镀工艺的专用设备。蒸镀机在执行该蒸镀工艺时，抽取真空，然后加热蒸发材料使蒸发材料升华或汽化从喷嘴内喷出到待镀工件表面。

在生成过程中待镀工件置于喷嘴正对的位置。蒸发材料从喷嘴内连续喷出对待镀工件的加工质量有重大影响。

请参照图1和图2，线源21作为蒸发材料收纳于坩埚12内。待坩埚12抽至高真空后，加热器13加热坩埚12使线源21蒸发进而从喷嘴11喷出，线源21的原子或分子以冷凝的方式沉积在待镀工件表面。

在本申请实施例中，为了解决镀膜的膜厚不均的技术问题，发明人对原有的蒸镀设备进行了改进。

请参照图3，蒸镀设备100，设有真空溅射室。真空溅射室内的抽真空设备，在现有技术中有详细揭示，这里不做说明。

在本申请的实施例中，真空溅射室内设有：

用于供蒸发材料沉积的待镀区1；

喷射系统2，朝向所述待镀区1，用于加热蒸发材料使蒸发材料向待镀区1沉积；

分流装置3，设置于所述喷射系统2与所述待镀区1两者之间的蒸发材料的沉积路径上，设有若干分流孔以分散蒸发材料。

待镀区1，在具体的形态中，笼统地可以表现为待镀工件或者说待镀基材的放置区，由于，这个放置区面向喷射系统2，接纳蒸发材料。更确切地，可以为待镀工件或待镀基材放置于真空溅射室内时，向外曝露出来的需要镀膜的区域。

喷射系统2，朝向待镀区1，用于加热蒸发材料使蒸发材料向待镀区1沉积。喷射系统2的具体形态可以表现为，主要由图1和图2中揭示的线源21、坩埚12、加热器13、喷嘴11等构成的喷射蒸发材料的系统。

分流装置3，设置于喷射系统2与待镀区1两者之间的蒸发材料的沉积路径上。分流装置3设有若干分流孔以分散蒸发材料。在本申请实施例中，分流孔可以疏导蒸发材料，而分流孔的孔壁则会阻挡蒸发材料的通过，对蒸发材料起到缓冲作用，同时改变蒸发材料的沉积分布，以使得镀膜的膜厚均匀。

进一步的，分流孔孔径为纳米级或微米级。这样，可以使得蒸发材料的大部分正常通过，而不影响镀膜工序的进行。

进一步的，为了对蒸发材料沉积的方向进行精确疏导，若干分流孔可以依照放射状、阶梯状或者网状排布。请具体参照图4-图6为分流孔的孔中心的连线图。

在本申请提供的实施例中，分流装置3设有若干分流孔以分散蒸发材料，从而可以解决镀膜的膜厚不均的技术问题。

在本申请提供的实施例中，分流装置3相对于待镀区1是不平行的，例如，可以使得位于喷射系统2正上方的分流装置朝向待镀区1靠拢，则会带动分流装置3其他区域远离待镀区1，实现分流装置3与待镀区1不平行，从而防止原先位于喷射系统2正上方的待镀区1内镀膜过厚，实现镀膜厚度的平均化。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。