研磨组件的制作方法

本实用新型属于半导体设备技术领域，特别是涉及一种研磨组件。

背景技术：

化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺的过程主要包括晶圆被一个可活动的研磨头压在研磨垫上，晶圆和研磨垫同时转动，同时配合研磨性和腐蚀性的抛光液。在这个过程中，晶圆表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。

随着半导体制造工艺的发展，化学机械抛光被认为是目前唯一能提供晶片全局和局部平坦化的工艺技术。化学机械抛光工艺已被广泛用于层间介质、金属层(如钨栓塞、铜连线)、浅沟槽隔离的去除和平整，成为半导体制造工艺中发展最快的领域之一。现有的研磨组件通常包括：基座、研磨环、吸附机构，在具体的操作过程中，每完成一片晶圆的研磨后研磨组件都会自动进行一次清洗，但是基座与吸附机构间的逢隙无法得到有效的清洗，导致部分玷污物(包括磨料颗粒、被抛光材料带来的颗粒以及研磨液残留)藏于此处，这些玷污物积攒后形成大颗粒玷污物，在后面晶圆的研磨过程中掉落，可导致后面的晶圆出现宏观划痕(macro scratch)。因此，为了减少宏观划痕，通常需要定期拆下研磨组件进行人工清洗，这样将会降低机台的有效工作时间，同时浪费人力。

因此，提供一种改进型的化学机械研磨组件非常必要。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种研磨组件，用于解决现有技术中的进行晶圆研磨时，基座与吸附机构间的逢隙无法得到有效的清洗，导致晶圆出现宏观划痕的问题，本实用新型提供的研磨组件无需定期拆下进行人工清洗。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种研磨组件，所述研磨组件包括：基座；吸附机构，所述吸附机构设置于所述基座的下表面；研磨环，所述研磨环设置于所述基座的下表面，且设置于所述吸附机构的外围，其中，所述研磨环上设置横向贯穿所述研磨环的通孔。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨环可拆卸套置于所述吸附机构的外围。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨环固定设置于所述吸附机构的外围。

作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔沿所述研磨环的周向均匀分布。

作为本实用新型的一种优选方案，所述吸附机构呈倒“T”形，包括第一直径部和第二直径部，所述第一直径部与所述基座的下表面相接触，所述第一直径部的直径小于所述第二直径部的直径。

作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔设置于所述研磨环与所述吸附机构的所述第一直径部对应的位置。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨环与所述吸附机构的所述第二直径部具有间隙。

作为本实用新型的一种优选方案，所述间隙的水平距离为1.00mm-1.15mm。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨组件还设有清洗管，所述清洗管位于所述研磨环外围，且至少所述清洗管的管嘴与所述通孔位于同一平面内。

作为本实用新型的一种优选方案，所述清洗管沿所述研磨环的周向均匀分布。

如上所述，本实用新型的研磨组件，在具体操作过程中，具有如下有益效果：

1、进行晶圆研磨时，使基座与吸附机构间的逢隙得到有效的清洗，减少晶圆出现的宏观划痕；

2、无需定期拆下研磨组件清洗，提高机台的有效工作时间，节约人力。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例一中提供的研磨组件的剖面结构示意图。

图2显示为本实用新型实施例一中提供的研磨组件的立体图。

图3a及图3b显示为本实用新型实施例二中提供的研磨组件的结构示意图，其中，图3b为图3a的俯视结构示意图。

元件标号说明

11 基座

12 研磨环

121 通孔

13 吸附机构

131 第一直径部

132 第二直径部

14 清洗管

141 管嘴

15 间隙

4 清洗液

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图3b。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，虽图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一

如图1和图2所示，本实用新型提供一种研磨组件，所述研磨组件包括：基座11；吸附机构13，所述吸附机构13设置于所述基座11的下表面；研磨环12，所述研磨环设置于所述基座11的下表面，且设置于所述吸附机构13的外围，其中，所述研磨环12上设置横向贯穿所述研磨环12的通孔121。

其中，如图所示，所述通孔121开设于所述研磨环12上，并贯穿所述研磨环12的，使得所述吸附机构13与外界连通，在此并不限制所述通孔121的形状与数量，一切可以实现上述功能的通孔均可以。优选地，所述通孔121垂于所述研磨环12侧壁并贯穿。

作为示例，所述研磨环12可拆卸套置于所述吸附机构13的外围。

其中，所述研磨环12相对于所述基座11可以不固定连接，可以可拆卸的套置于所述吸附机构13的外围，这种连接方式，方便具体的操作以及后续的维护。

作为示例，所述研磨环12固定设置于所述吸附机构13的外围。

其中，在实际的实施方式中，所述研磨环12也可以与所述基座11的下表面固定连接，进而相对于所述吸附机构13固定于其外围。

作为示例，所述通孔121沿所述研磨环12的周向均匀分布。

作为示例，所述吸附机构13呈倒“T”形，包括第一直径部131和第二直径部132，所述第一直径部131与所述基座11的下表面相接触，所述第一直径部131的直径小于所述第二直径部132的直径。

作为示例，所述通孔121设置于所述研磨环12与所述吸附机构13的所述第一直径部131对应的位置。在具体的实施方式中，所述研磨环12与所述吸附机构13的所述第二直径部具有间隙15。

作为示例，所述间隙15的横向尺寸为1.00mm-1.15mm。在本实施例中，所述间隙15的横向尺寸为1.08mm。

其中，基于以上所述的具体实施方式，在实际操作时，清洗液，如超纯水，可以从所述通孔121进入所述吸附机构13的所述第一直径部131，进行清洗，再进入所述研磨环12与所述吸附机构13的间隙15当中，并可从所述间隙15流出，使其得到更有效的清洗。基于上述结构与方法，所述基座11与所述吸附机构13间的逢隙便得到了有效的清洗，藏于此处的玷污物(包括磨料颗粒、被抛光材料带来的颗粒以及研磨液残留等)被清洗掉，进而避免了这些玷污物在此处积攒后形成大颗粒玷污物，也减少了在后面晶圆的研磨过程中的掉落，进而减少了因其导致的晶圆出现宏观划痕的可能性。

实施例二

如图3a和图3b所示，本实用新型还提供一种研磨组件，本实施例中所述的研磨组件与实施例一中所述的研磨组件的结构大致相同，二者的区别在于：本实施例所提供的研磨组件在实施例一中所述的研磨组件的基础上还增设有清洗管14，所述清洗管14位于所述研磨环12外围，且至少所述清洗管14的管嘴141与所述通孔121位于同一平面内。

其中，在其他实施例中，所述清洗管14还可以具体包括水平部和竖直部，所述水平部设置有所述管嘴141，清洗液通过所述清洗管14的管嘴141进入所述通孔121，进而可以通过调节水流的大小，改变管嘴的位置等更有效的进行清洗，这里，对清洗管的数量和形状不做具体限制，具体为可以实现上述方案的任意数量和形状。

作为示例，所述清洗管14沿所述研磨环12的周向均匀分布。在其他实施方式中，所述清洗管14还可以沿所述研磨环12的周向呈非均匀分布。

在本实施例中，所述清洗管14的数量为4个，其沿所述研磨环12的周向均匀分布，所述管嘴141与其对应位置的所述通孔121配合，完成研磨组件的清洗。

本实施例中的所述研磨组件的其他结构与实施例一中所述的研磨组件的其他结构完全相同，图3a和图3b只示出了相关改进部分的结构，其余结构具体请参阅实施例一，此处不再累述。

综上所述，本实用新型提供一种研磨组件，所述研磨组件包括：基座；吸附机构，所述吸附机构设置于所述基座的下表面；研磨环，所述研磨环设置于所述基座的下表面，且设置于所述吸附机构的外围，其中，所述研磨环上设置横向贯穿所述研磨环的通孔。通过上述方案，在进行晶圆研磨时，不仅使基座与吸附机构间的逢隙有效得到有效的清洗，减少晶圆出现的宏观划痕；无需定期拆下研磨组件清洗，提高机台的有效工作时间，节约人力。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。