蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法与流程

本发明涉及OLED显示器制造技术领域，特别涉及一种蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法。

背景技术：

OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电致发光显示(Organic Electroluminesence Display)。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基层，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。而且OLED显示器可以做得更轻更薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能。OLED显示器由M*N(M和N均为自然数)个发光像素单元按照矩阵结构排列组合而成，对于彩色OLED显示器每个发光像素又包括红色像素(R)、绿色像素(G)和蓝色像素(B)。OLED显示器根据驱动方式分为主动式驱动(有源驱动)OLED(AMOLED)和被动式驱动(无源驱动)OLED(PMOLED)。

在制造OLED显示器的过程中，需要通过蒸镀掩膜板对红色像素、绿色像素和蓝色像素分别进行蒸镀。为了检验蒸镀效果、判断一些不良产生的原因，需要测量蒸镀像素的偏移情况。目前常用的测量蒸镀像素偏移情况的方法是：制作母玻璃板，在所述母玻璃板上蒸镀单色像素，通过蒸镀后的母玻璃板来判断蒸镀掩膜板对位后的像素偏移情况(也即测量蒸镀像素的偏移情况)。

这种方法需要单独制作母玻璃板，增加了人力、物力和时间成本；此外，无法实际监控蒸镀过程中每块OLED基板对应像素的偏移情况，不能准确反应实时蒸镀效果。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法，以解决现有技术中测量蒸镀像素的偏移情况的成本较高并且不能准确反应实时蒸镀效果的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种蒸镀掩膜板，用以在OLED基板上蒸镀单色像素，所述蒸镀掩膜板包括：框架、固定于所述框架上的掩膜片及固定于所述框架上的支撑掩膜；其中，所述掩膜片包括有源区和过渡区，所述过渡区上设置有第一开口，所述第一开口用于蒸镀单色像素；所述支撑掩膜上设置有第二开口，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口在所述OLED基板上的投影覆盖所述OLED基板上的标记。

可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述支撑掩膜的固定区设置有标识，所述标识用以标示蒸镀颜色。

可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述支撑掩膜的两端固定区均设置有标识。

可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述第一开口的数量为多个。

可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖一个或者多个所述第一开口。

可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述支撑掩膜的数量为多个，其中，一个或者多个支撑掩膜上设置有第二开口。

可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述有源区具有第三开口，所述第三开口用于蒸镀单色像素。

本发明还提供一种OLED基板，所述OLED基板上设置有标记。

可选的，在所述的OLED基板中，所述标记位于所述OLED基板上的非显示区。

本发明还提供一种测量蒸镀像素偏位的方法，所述测量蒸镀像素偏位的方法包括：

采用如上所述的蒸镀掩膜板对如上所述的OLED基板执行蒸镀单色像素工艺；

测量蒸镀后的OLED基板上标记与覆盖标记的单色像素之间的偏移，从而得到蒸镀像素的偏移情况。

在本发明提供的蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法中，通过在OLED基板上设置标记；蒸镀掩膜板的掩膜片上设置有第一开口，所述第一开口用于蒸镀单色像素，蒸镀掩膜板的支撑掩膜上设置有第二开口，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口在所述OLED基板上的投影覆盖所述OLED基板上的标记，由此通过所述蒸镀掩膜板执行蒸镀工艺时，蒸镀的单色像素将同时形成于所述标记上，由此通过测量蒸镀的单色像素与所述标记之间的偏移即可得到蒸镀像素的偏移情况。通过该方法获取蒸镀像素的偏移情况无需特别制作母玻璃板，从而降低了人力、物力和时间成本；此外，能够实际监控蒸镀过程中每块OLED基板对应像素的偏移情况，准确反应实时蒸镀效果。

附图说明

图1是本发明实施例的蒸镀掩膜板的部分结构示意图；

图2是本发明实施例的掩膜片的结构示意图；

图3是本发明实施例的OLED基板的结构示意图；

图4是本发明实施例的蒸镀不同颜色的单色像素时所用的支撑掩膜的比较示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图1至图3，其中，图1为是本发明实施例蒸镀掩膜板的部分结构示意图；图2为本发明实施例掩膜片的结构示意图；图3为本发明实施例的OLED基板的结构示意图。如图1至图2所述，所述蒸镀掩膜板1包括：框架10、固定于所述框架10上的掩膜片20及固定于所述框架10上的支撑掩膜30；其中，所述掩膜片20包括有源区21和过渡区22，所述过渡区22上设置有第一开口(图2中未示出)，所述第一开口用于蒸镀单色像素；所述支撑掩膜30上设置有第二开口31，所述第二开口31在所述掩膜片20上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口31在所述OLED基板4上的投影覆盖所述OLED基板上的标记40。

优选的，所述支撑掩膜30的固定区设置有标识32，所述标识32用以标示蒸镀颜色。即具体实现时，所述标识32可以通过红、绿、蓝等颜色来制作，具体可以与蒸镀的单向像素的颜色一致，从而方便、清楚的示出了当前蒸镀掩膜板1所要蒸镀的单色像素的颜色。更优的，所述支撑掩膜30的两端固定区均设置有标识32。由此，在制作蒸镀掩膜板1的过程中，左右移动所述支撑掩膜30均能够方便的获悉当前蒸镀掩膜板1所要蒸镀的单色像素的颜色。

请继续参考图1和图2，进一步的，所述第一开口的数量为多个，即在此每个过渡区22上均设置有多个第一开口。进一步的，所述有源区21具有第三开口(图2未示出)，所述第三开口用于蒸镀单色像素。较佳的，所述第三开口与所述第一开口的开口形式相似，例如，所述第三开口的形状、大小与所述第一开口的形状、大小相同；同时，每个有源区21具有多个第三开口，每个过渡区22具有多个第一开口，相邻两个第三开口之间的距离与相邻两个第一开口之间的距离相同。

在本申请实施例中，所述第二开口31在所述掩膜片20上的投影覆盖一个或者多个所述第一开口。当所述第二开口31覆盖一个第一开口时，通过所述蒸镀掩膜板1蒸镀单色像素时，将通过所述第二开口31和一个第一开口形成一个蒸镀单色像素(当然，还将通过有源区21上的第三开口形成多个正常的、需要的单色像素)；当所述第二开口31覆盖多个第一开口时，通过所述蒸镀掩膜板1蒸镀单色像素时，将通过所述第二开口31和多个第一开口形成多个蒸镀单色像素。

进一步的，所述支撑掩膜30的数量为多个，其中，一个或者多个支撑掩膜30上设置有第二开口31。请继续参考图1，图1中示出了三个支撑掩膜30，且每个支撑掩膜30上均设置有第二开口31。在本申请的其他实施例中，也可以仅有其中一个或者两个支撑掩膜30上设置有第二开口31，而在另外一个或者两个支撑掩膜30上不设置第二开口31，对此并不做限定。

综上可见，在本申请的设计中，只要通过第二开口31和第一开口蒸镀至少一个额外的单色像素即可。

接着，请继续参考图3，在本申请实施例中，所述标记40位于所述OLED基板4上的非显示区，从而可以完全不影响后续形成的OLED显示器的质量与显示效果。进一步的，可以在所述OLED基板4上形成一个或者多个标记40，一个或者多个标记40均位于非显示区。优选的，所述标记40通过低温多晶硅制程工艺形成，例如，在形成像素限定层的同时形成所述标记40。由此既能够很方便的形成所述标记40，又无需增加额外的制造工序。

接着，便可采用所述蒸镀掩膜板1对所述OLED基板4执行蒸镀单色像素工艺；测量蒸镀后的OLED基板上标记与覆盖标记的单色像素之间的偏移，从而得到蒸镀像素的偏移情况。可见，通过该方法获取蒸镀像素的偏移情况无需特别制作母玻璃板，从而降低了人力、物力和时间成本；此外，能够实际监控蒸镀过程中每块OLED基板对应像素的偏移情况，准确反应实时蒸镀效果。

通过上述方法便可实现单色像素的蒸镀以及测量蒸镀像素的偏移情况。对于一般的红、绿、蓝三色或者更多色的蒸镀工艺而言，接着便可继续其他单色的蒸镀。其中，蒸镀不同单色像素所使用的蒸镀掩膜板以及蒸镀方法、像素偏移的检测方法基本相同。其差别仅在于，由于蒸镀不同的单色像素，支撑掩膜上的第二开口的位置具有一定的偏移。

具体的，请参考图4，其为本发明实施例的蒸镀不同颜色的单色像素时所用的支撑掩膜的比较示意图。如图4所示，支撑掩膜30a、支撑掩膜30b、支撑掩膜30c、支撑掩膜30d和支撑掩膜30e分别用于蒸镀不同颜色的单色像素，可见，这几者的第二开口之间具有一定的偏移，从而实现蒸镀不同颜色的单色像素。此时，通过每个支撑掩膜上的标识可以很方便的看出各支撑掩膜用以蒸镀的单色像素的颜色。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。